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去年下半年開始，存儲器各種漲價缺貨，把整機制造商折騰的夠忙的，原廠產(chǎn)能釋放就等于躺著賺錢。一旦原廠出點什么突發(fā)狀況，對供應鏈而言都是地震，計劃安排可能被打亂。日前，臺灣供應鏈傳出，美光旗下臺灣桃園Fab 2工廠出現(xiàn)氮氣發(fā)生外泄，過半DRAM晶圓報廢，停工疏散人員，恐對全球DRAM供應造成沖擊…

業(yè)界所預期的“摩爾定律”(Moore’s Law)極限，將是推動半導體與計算機產(chǎn)業(yè)轉型的開始。這是日前在慶祝“圖靈獎”(Alan Turing award)50周年紀念活動上的一場專題討論中業(yè)界專家們發(fā)表的看法。

TechInsights的研究人員針對采用XPoint技術的英特爾Optane內(nèi)存之制程、單元結構與材料持續(xù)進行深入分析與研究。

集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）指出，東芝今日宣布選擇日本投資人和美國私募股權公司貝恩資本合盟的團隊為優(yōu)先競購者，目標將在6月28日的股東會議和上述團隊達成最終協(xié)議，并于2018年3月之前完成收購交易，短期來看，最受影響為NAND Flash市場，預期第四季有機會轉趨供需平衡；長期而言，收購方對NAND Flash具大量需求，將有助東芝在產(chǎn)能與技術上超越三星。

最新消息，東芝半導體因為原料硅晶圓供應不足，導致iPhone用3D NAND落后三星2個月；群聯(lián)董事長潘潘健成日前表示，Q3是傳統(tǒng)旺季，客戶拉貨力道逐漸轉強，需求會1個月比1個月強。Flash Memory閃存正迎來10年一度的超級周期，下半年存儲器行情將如何演繹？廠商應該如何應對？

據(jù)報道稱，紫光集團旗下的半導體晶圓代工廠武漢新芯廠區(qū)內(nèi)部發(fā)生化學污染事件，造成生產(chǎn)工藝污染導致產(chǎn)品發(fā)生異常等問題，所幸并無人員傷亡。其中，NOR Flash產(chǎn)品影響較大，恐怕會讓NOR Flash缺貨漲價行情再度上演。

東芝半導體競標案即將公布最后一輪的競標結果，根據(jù)《朝日新聞》報道，美國博通(Broadcom)已經(jīng)獲得獨家洽商權，意味著博通獲得優(yōu)先認購權利，鴻海、SK海力士、西部數(shù)據(jù)已幾無勝算。

根據(jù)臺灣媒體報道稱，日前，鴻海集團董事長郭臺銘在日本大阪，接受日媒采訪時透露出一則重要消息：鴻海已經(jīng)獲得亞馬遜和蘋果的雙重支持，共同參與競購東芝半導體業(yè)務。

MOS memory領銜車用IC出現(xiàn)史上最高增速的兩位數(shù)增長，意外的是，車載MCU和DSP只是表現(xiàn)出個位數(shù)增長。

日前，內(nèi)存控制芯片大廠群聯(lián)董事長潘健成表示，目前NAND Flash芯片需求相當強勁，加上主要廠商大多表示，未來3年產(chǎn)能仍無法滿足市場需求的情況下，預期2017年第3季NAND Flash會比2017年第1季還缺貨，可能會是史上最缺貨一季。外資也表示，因為未來新款手機內(nèi)建儲存容量不斷提高，2017年NAND Flash缺貨的情況將不易緩解。

2017年第一季度的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看，由于去年第四季嚴重供不應求，多數(shù)PC-OEM廠商選擇提早在去年12月洽談第一季的合約價以確保供貨穩(wěn)定，使得第一季合約價再度上漲超過三成，亦帶動其他內(nèi)存類別同步上揚，如服務器內(nèi)存在第一季的價格上揚也相當可觀，行動式內(nèi)存價格也有近一成的漲幅。

賽普拉斯在上周召開的股東大會上正式確認，將淡出中低容量NOR Flash（編碼型閃存）市場，策略轉向?qū)Ｗ④囉煤凸I(yè)用規(guī)格市場。

確定2016年凈虧損84億美元，東芝出售半導體業(yè)務一案也將塵埃落定。

5月10日，英特爾在其大連工廠發(fā)布了兩款全新的采用3D NAND的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤：英特爾? 固態(tài)盤DC P4500系列及英特爾? 固態(tài)盤DC P4600系列。

日本東芝已經(jīng)告知美國西部數(shù)據(jù)(Western Digital Corp)，要求勿干擾其芯片業(yè)務出售，駁斥西部數(shù)據(jù)有關違反合資協(xié)議的主張。西部數(shù)據(jù)駐日本發(fā)言人拒絕作出評論。

日前，市場研究機構IC Insight公布的2017年第一季全球十大半導體廠營收排名顯示，英特爾和三星已經(jīng)十分接近，SK海力士、美光、東芝內(nèi)存廠大賺，排名上升。博通力壓高通成為全球最大的FABLESS廠商，英飛凌取代聯(lián)發(fā)科排名第十位。

現(xiàn)在的日本輿論一面倒地偏向拯救一家傳奇性的本土企業(yè)，奇怪的是很少有人提及該如何拯救東芝的內(nèi)存業(yè)務，讓我們來聽聽日本本土芯片專家的看法…

在三星、SK海力士及美光集團三大原廠的納米制程轉進及智能手機主流AP（應用處理器）的搭載需求下，LPDDR4X的產(chǎn)出比重持續(xù)增加，出貨數(shù)量在第二季開始將超越LPDDR4，且由于LPDDR4及LPDDR4X已呈 同價趨勢，兩者和LPDDR3的價差都小于5%，也加速LPDDR4系列（含LPDDR4X）的導入速度，預估全年度LPDDR4系列將達到5成以上的市占率，正式取代LPDDR3成為2017年移動內(nèi)存的搭載主流。

前幾天，富士康公司董事長郭臺銘與夏普社長戴正吳造訪過白宮，加速富士康的美國制造布局，此舉正值特朗普拋出大規(guī)模減稅方案計劃。郭臺銘在會面之后表示，富士康計劃在美國進行一系列投資，這個項目報告資本密集型投資、技術工人和高科技投資。顯然，郭臺銘這次關鍵時間點的美國之旅還有其他重要目的：為收購東芝半導體鋪路。

近三年來，我一直預測2017年會是閃存(Flash)/固態(tài)硬盤(SSD)豐收的一年。然而，由于3D NAND轉型步調(diào)緩慢，加上智能手機到服務器等市場的需求旺盛，如今的flash顆粒供應極其吃緊。不僅價格持續(xù)上漲20%或甚至更多，而像個人計算機(PC)等領域的內(nèi)存供應不足更對其銷售數(shù)字帶來沖擊。

全球市場研究機構集邦咨詢最新研究顯示，在今年度移動式內(nèi)存猛烈的價格漲勢之下，智能手機移動式內(nèi)存搭載量的成長動能受到壓抑，預估2017年智能手機移動式內(nèi)存平均單機搭載量自3.7GB下修至約3.2GB，與去年相較為僅成長33.4%。

華為P10閃存混用真的沒辦法，供應鏈缺貨太厲害了。目前業(yè)內(nèi)傳出消息，閃迪（SanDisk）的貨也開始缺了。目前部分4GB顆粒出現(xiàn)缺貨，如SDIN7DP2-4G。由于SanDisk計劃第三季度要將19納米產(chǎn)線轉到15納米先進工藝，期間或出現(xiàn)供應緊張狀況。

在英特爾在統(tǒng)治了全球半導體四分之一個世紀之后，半導體行業(yè)即將會看到另一個新霸主的出現(xiàn)。市場調(diào)查機構IC Insights表示，韓國三星有望于在2017年第二季度終結處理器霸主英特爾，成為全球半導體龍頭，這是自1993年來的25年紀錄首次終結。

手機普及更大內(nèi)存受到成本抑制，目前DRR4顆?，F(xiàn)貨價格出現(xiàn)小幅下跌行情，向合約價靠近，主要由于三、四季度備貨潮還未來臨。受工藝產(chǎn)能限制，全年來看，DRAM顆粒價格將繼續(xù)上揚。

智能手機對NAND Flash的需求居高不下，64GB已經(jīng)是千元機的標準配置，旗艦手機大多配置128GB閃存存儲，這種翻倍上漲的存儲需求直接導致手機供應鏈嚴重缺貨。手機銷量火爆，廠商卻陷入沒有貨源不足的囧境。