iPhone用3D NAND進(jìn)度，東芝落后三星兩月

Flash Memory閃存正迎來(lái)10年一度的超級(jí)周期，三星、美光、SK海力士提前加價(jià)和原材料廠商簽訂供應(yīng)合約確保貨源安全，導(dǎo)致全球硅晶圓庫(kù)存水位處于歷史低點(diǎn)，需求嚴(yán)重供應(yīng)不足。有分析認(rèn)為，截至2018年年末為止，12寸硅晶圓價(jià)格很有可能會(huì)比2016年年末調(diào)漲40%以上。opMesmc

供應(yīng)鏈消息稱，全球第二大NAND Flash廠商?hào)|芝半導(dǎo)體受出售事件影響，與硅晶圓供應(yīng)商協(xié)商落后，在快速變化的市場(chǎng)處于不利地位，報(bào)導(dǎo)稱，在蘋(píng)果iPhone新機(jī)采購(gòu)的3D NAND Flash的研發(fā)上，與三星電子相比，東芝還落后2個(gè)月時(shí)間。在給蘋(píng)果供貨方面，東芝可能因?yàn)楣杈A缺貨而導(dǎo)致交貨延遲，而影響全球NAND行情。opMesmc

目前，東芝半導(dǎo)體出售事宜還未定論，具體合資方未敲定，時(shí)間一拖再拖，東芝半導(dǎo)體的不確定因素將影響后續(xù)存儲(chǔ)器市場(chǎng)行情。opMesmc

上游硅晶圓漲價(jià)缺貨，整個(gè)NAND Flash產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進(jìn)3D技術(shù)進(jìn)展不順，智能手機(jī)內(nèi)建的存儲(chǔ)器容量不斷提升，下半年，終端品牌廠商成本上漲壓力加劇。華為也對(duì)存儲(chǔ)混用事件進(jìn)行了反思，供應(yīng)鏈將強(qiáng)化存儲(chǔ)器供應(yīng)商管理，下半年缺貨將不可避免。opMesmc

群聯(lián)潘董：下半年需求會(huì)1個(gè)月比1個(gè)月強(qiáng)

據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成日前表示，固態(tài)硬盤(pán)(SSD)需求顯著轉(zhuǎn)強(qiáng)，尤其是中國(guó)大陸廠商需求最強(qiáng)，主要是第三季度是傳統(tǒng)旺季，加上暑假將至，電玩市場(chǎng)復(fù)蘇等因素，使得客戶拉貨力道逐漸轉(zhuǎn)強(qiáng)，預(yù)期下半年需求會(huì)1個(gè)月比1個(gè)月強(qiáng)。opMesmc

目前，蘋(píng)果已經(jīng)針對(duì)下半年問(wèn)世的新款智能手機(jī)備貨，從年初每個(gè)月就開(kāi)始拉貨，規(guī)格最高可能是256GB，因?yàn)橐葘?duì)蘋(píng)果規(guī)格，安卓陣營(yíng)還在觀察。如果接下來(lái)安卓陣營(yíng)手機(jī)廠商備貨需求涌現(xiàn)，預(yù)計(jì)NAND Flash將會(huì)缺到年底，缺貨潮恐嚴(yán)重到難以想象。opMesmc

據(jù)了解，蘋(píng)果與三家NAND Flash大廠（三星、SK海力士、美光）都有簽訂供貨保障合約，確保下半前新機(jī)問(wèn)世有足夠的存儲(chǔ)器可用，現(xiàn)在各家家半導(dǎo)體廠都因?yàn)?D NAND良率的問(wèn)題，恐難以交出足夠的貨源給蘋(píng)果。opMesmc

此前，由于閃存芯片價(jià)格漲太多，中間的代理商認(rèn)為利潤(rùn)被壓縮，不愿意出貨，也會(huì)導(dǎo)致存儲(chǔ)器缺貨。opMesmc

潘健成透露，Q3供給非常辛苦，Q4恐怕比Q3更缺貨，下半年NAND Flash怕會(huì)缺翻天！截至5月底止，群聯(lián)庫(kù)存水位逾90億元新臺(tái)幣，已經(jīng)有供貨商提前預(yù)告，在貨源供應(yīng)上，第4季的需求將會(huì)較第三季度還吃緊，甚至未來(lái)3年的供給機(jī)無(wú)法滿足需求量。opMesmc

存儲(chǔ)器產(chǎn)能轉(zhuǎn)移緩慢，合約價(jià)格持續(xù)上揚(yáng)

DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進(jìn)而轉(zhuǎn)進(jìn)垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)，然而轉(zhuǎn)換期所造成的產(chǎn)能損失，導(dǎo)致供需失衡，進(jìn)而使合約價(jià)持續(xù)上揚(yáng)。DRAMeXchange預(yù)估，在2017年NAND Flash供應(yīng)都將吃緊的情況下，NAND Flash廠商營(yíng)收將逐季增加。opMesmc

根據(jù)IC Insights的預(yù)計(jì)，2017年內(nèi)存(DRAM)價(jià)格漲幅將達(dá)到39%，閃存(Flash)漲幅也有望達(dá)到25%。這是由于需求增長(zhǎng)和供給收縮。一方面，國(guó)產(chǎn)品牌手機(jī)出貨量持續(xù)增長(zhǎng)；另一方面，以三星、海力士為代表的企業(yè)正投入一場(chǎng)存儲(chǔ)器創(chuàng)新競(jìng)賽，將二維閃存(2D NAND Flash)轉(zhuǎn)移至三維閃存(3D NAND Flash)的技術(shù)革命，這導(dǎo)致產(chǎn)能增長(zhǎng)放緩。opMesmc

在NANDFLASH領(lǐng)域，三星、東芝/閃迪、美光/英特爾、SK海力士幾乎瓜分了全部市場(chǎng)，同時(shí)產(chǎn)能規(guī)模方面東芝/閃迪達(dá)到了49萬(wàn)片/月，三星40萬(wàn)片/月，美光/英特爾27萬(wàn)片/月，SK海力士21萬(wàn)片/月。opMesmc

目前，DRAM生產(chǎn)工藝微縮進(jìn)入到20納米節(jié)點(diǎn)，工藝制程繼續(xù)微縮、良率提升的難度急劇上升，經(jīng)濟(jì)效益不好，因此，各大廠對(duì)先進(jìn)技術(shù)開(kāi)發(fā)、資本支出持保守態(tài)度。預(yù)計(jì)到2018年，隨著3D NAND Flash產(chǎn)能和良率不斷提升以及新增產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn)，存儲(chǔ)器供應(yīng)緊張局面有望緩解。opMesmc

存儲(chǔ)器周期波動(dòng)，企業(yè)應(yīng)該如何應(yīng)對(duì)？

存儲(chǔ)器周期波動(dòng)還將嚴(yán)重影響到系統(tǒng)整機(jī)企業(yè)、分銷商和芯片設(shè)計(jì)企業(yè)的庫(kù)存和備貨。尤其是對(duì)手機(jī)領(lǐng)域如聯(lián)發(fā)科、展訊等提供Turnkey解決方案的芯片企業(yè)來(lái)說(shuō)，影響更為巨大。這些企業(yè)需要提前備齊整機(jī)產(chǎn)品所需的所有元器件的用料，一般情況下芯片原廠、分銷商/代理商、系統(tǒng)整機(jī)企業(yè)均各備一個(gè)月的貨。存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格的劇烈波動(dòng)，大幅增加了這些企業(yè)的備貨風(fēng)險(xiǎn)。例如在功能機(jī)時(shí)代，某手機(jī)芯片企業(yè)曾提前囤積了大量的套片和512MBDRAM+256MBFLASHMCP芯片，但由于出貨時(shí)市場(chǎng)主流配置變成了1GBDRAM和512MBFLASH，同時(shí)加上存儲(chǔ)器企業(yè)清理庫(kù)存和轉(zhuǎn)產(chǎn)，造成了512MBDRAM和256MBFLASH芯片顆粒價(jià)格暴跌，結(jié)果大量的套片和存儲(chǔ)芯片積壓在該手機(jī)芯片企業(yè)手中，最終只能大幅虧損清理出去。opMesmc

存儲(chǔ)器周期波動(dòng)，那么企業(yè)應(yīng)該如何應(yīng)對(duì)？首先，關(guān)注市場(chǎng)最新的、第一手的行情信息，對(duì)采購(gòu)和生產(chǎn)計(jì)劃進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整，平衡淡季和旺季下的采購(gòu)需求。其次，以價(jià)換量、預(yù)測(cè)走勢(shì)，在保證價(jià)格的前提下保證供貨，和存儲(chǔ)器原廠、代理商、分銷商簽訂合約價(jià)格，避免陷入缺貨臨頭才找貨源的囧境，如果在物料缺貨的情況下，做到以量換價(jià)。第三，很多企業(yè)都是微利運(yùn)營(yíng)，如果物料漲價(jià)太快，不賣產(chǎn)品反而更賺。這個(gè)時(shí)候，公司營(yíng)銷部門(mén)應(yīng)該主動(dòng)降低需求，進(jìn)行戰(zhàn)略調(diào)整，減產(chǎn)減銷。最后，供應(yīng)商與廠商之間都是在合作中不斷的互相篩選和評(píng)估，謹(jǐn)慎從一些炒貨的貿(mào)易商、代理商處采購(gòu)物料。opMesmc

opMesmc