“能源之星”對(duì)PC和服務(wù)器的能源效率要求已越來越高。在50%的負(fù)載條件下，能源之星要求今年7月前，PC的能源效率要達(dá)到85%，而服務(wù)器的能源效率須達(dá)到89%；09年7月前，PC的能源效率須達(dá)到88%，而服務(wù)器的能源效率更是要達(dá)到92%；至于2010年時(shí)，PC的能源效率也必須達(dá)到90%以上。歐洲可以說在節(jié)能方面走在世界前列，其它區(qū)域正在緊跟。“雖然能源之星沒有對(duì)基站等通信基礎(chǔ)設(shè)施進(jìn)行規(guī)范，但是從我們接觸的諾基亞來看，其對(duì)基站的能源效率要求早已超過90%?！庇w凌(Infineon)汽車、工業(yè)及多重市場(chǎng)電源管理高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理Thomas Schmidt對(duì)《國際電子商情》表示。 因此，在各種便攜電子設(shè)備竭力提升效率的同時(shí)，大型的電子產(chǎn)品如服務(wù)器、基站等也將提升能源效率，降低功耗變成首要的任務(wù)。在這里，選擇一個(gè)最低導(dǎo)通電阻的MOSFET，對(duì)提升能源效率可以起到事半功倍的作用。 英飛凌日前推出具有非常低的導(dǎo)通電阻、SuperS08無鉛封裝的40V、60V和80V OptiMOS 3 N溝道MOSFET系，號(hào)稱具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻。其40V系列具備最低1.8毫歐的導(dǎo)通電阻，60V系列具備最低2.8毫歐的導(dǎo)通電阻，80V系列具備最低4.7毫歐的導(dǎo)通電阻，“與最接近的競(jìng)爭(zhēng)性產(chǎn)品相比，新推出的OptiMOS3系列導(dǎo)通電阻降幅高達(dá)50%，為業(yè)界樹立了新標(biāo)桿?！盨chmidt表示。此外，這些器件的FOM(品質(zhì)系數(shù)，以導(dǎo)通電阻乘以柵極電荷得出)與采用標(biāo)準(zhǔn)TO封裝的同類產(chǎn)品相比高出25%，能夠更快速實(shí)現(xiàn)開關(guān)，同時(shí)最大程度降低開關(guān)損耗和柵極驅(qū)動(dòng)損耗，提高功率密度，降低驅(qū)動(dòng)器散熱量。SuperSO8封裝寄生電感不到0.5nH，比TO-220封裝的5-10nH電感低很多，這進(jìn)一步提升了器件整體效率，最大程度上減少在開關(guān)條件下的振蕩現(xiàn)象。 “在同步整流應(yīng)用中，如果用OptiMOS3替代目前市場(chǎng)上普遍采用的肖特基二極管，將可以使得能源效率提升3-5%。針對(duì)30V-80V的電壓，能源效率提升有所差別?！盨chmidt表示。在他表示，目前市場(chǎng)上同步整流方案中，有35%是采用肖特基二極管。“就是與英飛凌的前代產(chǎn)品比，在DC/DC升壓方案中其可將能源效率提升1%?！碑?dāng)然，Schmidt也解釋，從目前的價(jià)格來看，采用MOSFET替代二極管，成本一定會(huì)提升，但這是必經(jīng)之路。 不過，他分析道，半導(dǎo)體市場(chǎng)會(huì)遵循這樣的原則，先提升性能，然后是降低硅片的成本。OptiMOS3采用了更小型的SS08封裝，將功率密度提升50%，同時(shí)也會(huì)降低每瓦的成本。英飛凌還推出業(yè)界領(lǐng)先的采用S3O8封裝的60V和80V擊穿電壓MOSFET，其占位空間與標(biāo)準(zhǔn)SO8或SuperSO8器件相比再減少60%。 OptiMOS 3 40V、60V和80V產(chǎn)品適用于需要高效率和功率密度的功率轉(zhuǎn)換和電源管理應(yīng)用，包括眾多產(chǎn)品的SMPS(開關(guān)模式電源)、DC/DC轉(zhuǎn)換器和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。這些產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)、家用電器、小型電動(dòng)車、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)、電信設(shè)備和電動(dòng)工具、電動(dòng)剪草機(jī)和風(fēng)扇等消費(fèi)類電子設(shè)備。 但是，Schmidt也指出，MOSFET未來的趨勢(shì)是針對(duì)不同的垂直應(yīng)用開發(fā)有針對(duì)性的產(chǎn)品，即ASIC模式的MOSFET?！拔磥鞰OSFET供應(yīng)商之間的競(jìng)爭(zhēng)，就是看它們所擁有的客戶定制化能力以及針對(duì)不同應(yīng)用設(shè)計(jì)MOSFET產(chǎn)品的能力。”他說道，“未來的MOSFET產(chǎn)品不會(huì)是像現(xiàn)在這樣，一顆MOSFET適用于所有領(lǐng)域，而是會(huì)更加細(xì)分化?！?