為促進(jìn)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的突破性進(jìn)展，臺(tái)灣地區(qū)工研院電子所宣布與該地區(qū)四大內(nèi)存制造商力晶(PSC)、南亞科技、茂德(ProMOS)和華邦簽訂合作協(xié)議，聯(lián)合五家機(jī)構(gòu)的經(jīng)費(fèi)與人力投入新一代內(nèi)存技術(shù)——相變化內(nèi)存(PCM)的研發(fā)，預(yù)計(jì)三年之后將有初步的成果顯現(xiàn)。

作為非易失性內(nèi)存的一種，相變化內(nèi)存利用屬于硫化合物(Ge、Sb、Te)的相變化材料做為記憶核心；通過(guò)電流加熱使該材料發(fā)生溫度變化，即產(chǎn)生不同的電阻值來(lái)進(jìn)行記憶功能。工研院電子所所長(zhǎng)陳良基表示，相變化內(nèi)存具備小體積、低功耗、讀寫速度快與高密度等優(yōu)點(diǎn)，是有望取代現(xiàn)有DRAM與閃存的所謂“終極內(nèi)存”。

“電子所在三年前成立了相變化內(nèi)存研發(fā)團(tuán)隊(duì)，且所有的技術(shù)成果都是臺(tái)灣地區(qū)本土的產(chǎn)出?！标惲蓟赋?，雖然電子所的技術(shù)研發(fā)已經(jīng)小有成績(jī)，但要讓相變化內(nèi)存邁向商業(yè)化，必須持續(xù)投入龐大的經(jīng)費(fèi)與精力；為了分散風(fēng)險(xiǎn)并加快研發(fā)速度，該所自去年10月起就主動(dòng)與存儲(chǔ)器制造商接洽合作事宜，也成功獲得力晶、南亞、茂德與華邦的支持，將由四家廠商在三年內(nèi)提供約380萬(wàn)美元的經(jīng)費(fèi)與人力，與工研院一同進(jìn)行相變化內(nèi)存研發(fā)。

出席簽約儀式的四大廠商的高管皆表示，臺(tái)灣地區(qū)內(nèi)存廠商規(guī)模與三星、英飛凌等國(guó)際大廠相比有一段差距，研發(fā)資源僅能支持目前生產(chǎn)線上的DRAM等相關(guān)技術(shù)，在新一代內(nèi)存的開發(fā)上仍屬心有余而力不足，因此能夠參與電子所的這項(xiàng)合作計(jì)劃，對(duì)于各家廠商來(lái)說(shuō)都是一個(gè)發(fā)展關(guān)鍵機(jī)會(huì)。這項(xiàng)計(jì)劃將在第一年由電子所投入20名人力進(jìn)行相變化內(nèi)存基礎(chǔ)研發(fā)，并在第二年后由四家廠商各自成立研發(fā)團(tuán)隊(duì)，與電子所人員共同研究。

“我們預(yù)計(jì)可在三年后完成相變化內(nèi)存的基礎(chǔ)架構(gòu)研發(fā)，推出兆位級(jí)的內(nèi)存模塊；而第二個(gè)三年則是實(shí)際進(jìn)行商品化量產(chǎn)的研發(fā)，由各家廠商依專長(zhǎng)推出不同應(yīng)用的產(chǎn)品?！标惲蓟硎荆嘧兓瘍?nèi)存因應(yīng)用廣泛，且其工藝與現(xiàn)有的內(nèi)存工藝相近，因此該所首次采取與多家廠商合作研發(fā)的方式，希望集合產(chǎn)業(yè)界力量以提高成功機(jī)率；此外電子所也與臺(tái)積電合作進(jìn)行MRAM的研發(fā)。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，相變化內(nèi)存市場(chǎng)產(chǎn)值可在2008年達(dá)到近10億美元的規(guī)模，甚至有望在2012年超過(guò)30億美元，龐大商機(jī)讓全球內(nèi)存廠商躍躍欲試。三星、英特爾與意法半導(dǎo)體等都已經(jīng)積極投入該技術(shù)的研發(fā)，但目前尚屬研究階段，距實(shí)際量產(chǎn)仍有一大段距離。

作者：鄭伃君