英特爾日前在官網(wǎng)宣布，與美光的閃存合作即將發(fā)生關鍵性變化，具體內容則是雙方將會在2018年繼續(xù)研究第三代3D NAND的研發(fā)與生產(chǎn)，并且將持續(xù)到2019年年初，在此之后雙方將不再合作。lgvesmc

目前，英特爾和美光正在進行第二代64層3D閃存的增產(chǎn)工作，所以近期內不會出現(xiàn)太多的合作變動。lgvesmc

兩家公司已經(jīng)同意在這一技術節(jié)點之后，雙方將獨立開發(fā)3D NAND，以便更好地為各自的業(yè)務需求優(yōu)化技術和產(chǎn)品。lgvesmc

Intel強調，這次“分手”是雙方同意的，獨立之后二者將能抽出更多精力優(yōu)化自身產(chǎn)品并提供更好的服務給客戶，分開之后不會對路線圖和技術節(jié)點造成影響。lgvesmc

“英特爾和美光科技建立了成功的長期合作關系，令雙方受益匪淺?，F(xiàn)在，NAND 開發(fā)合作關系已經(jīng)發(fā)展到了適當階段，是時候讓兩家公司致力于各自專注的市場?！庇⑻貭柗且资源鎯鉀Q方案部門高級副總裁兼總經(jīng)理 Rob Crooke 說，“我們的 3D NAND 和 Optane 技術路線圖為客戶應對當下的眾多計算和存儲需求提供了強大的解決方案?！?span style="display:none">lgvesmc

“美光與英特爾的合作由來已久，我們期待在未來各自進行 NAND 開發(fā)的同時繼續(xù)就其他項目與英特爾合作?！泵拦饪萍技夹g開發(fā)執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 說，“我們3D NAND 技術的開發(fā)路線圖非常穩(wěn)固，計劃在我們業(yè)界領先的 3D NAND 技術基礎上，將極具競爭力的產(chǎn)品推向市場?！?span style="display:none">lgvesmc

Intel和鎂光的合作可以追溯到2005年。當時雙方成立了合資企業(yè)IM Flash Technologies（IMFT），孕育的首批產(chǎn)品是72nm NAND。2012年，Intel把多數(shù)IMFT工廠的股份賣給了美光，只保留Lehi這一個據(jù)點。lgvesmc

此后，雙方就開始各自興建自己的生產(chǎn)線，開始生產(chǎn)一些自家品牌的存儲產(chǎn)品。美光獨自建立Fab工廠生產(chǎn)NAND Flash，并提供NAND Flash給英特爾，研發(fā)工作仍然是兩家聚集在Lehi工廠共同進行。lgvesmc

另外，英特爾和美光兩家公司將繼續(xù)共同運營猶他州的Lehi工廠，該工廠主要是負責3D XPoint的研發(fā)與生產(chǎn)，所以即使雙方停止了3D NAND的合作，也不會影響3D XPoint技術的發(fā)展和制造。lgvesmc

據(jù)AnandTech分析，Intel和美光的市場屬性不同，Intel只愿意將美光提供的閃存給自己的SSD用，而美光則急于參與全球競爭，想把閃存賣給更多客戶，尤其是手機廠商，這或許是“分手”的主要原因。lgvesmc

AnandTech猜測，也可能是 NAND 堆疊層數(shù)破百之后，需要調整 String Stacking 的堆疊方式，兩家公司對此看法不同，因而分手。lgvesmc

另一個可能是，目前 3D NAND 的生產(chǎn)主流是電荷儲存式（Charge trap） ，三星電子等都采用此一方式，英特爾／美光是唯一采用浮閘（floating gate）架構的業(yè)者。也許是兩家公司中有一家想改采電荷儲存式架構，但是此舉等于坦承失敗，代表從2D NAND 轉換成 3D NAND 后，續(xù)用浮閘是錯誤決定，因而鬧翻。lgvesmc

對普通消費者來說，這次“分手”具有很多積極的意義。內存市場今后產(chǎn)品更拓寬，新的技術也應該會更快推出，多頭競爭應使內存的價格更趨于合理。lgvesmc

本文綜合自中國閃存市場、電腦之家、存儲在線報道lgvesmc

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