三星(Samsung)計(jì)劃明年推出容量達(dá)1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(SSD)。該公司并表示，去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開始出樣，據(jù)稱這款產(chǎn)品能夠達(dá)到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內(nèi)存的低延遲能力。BA4esmc

三星的Tbit NAND可支持高達(dá)每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率，并在一個(gè)堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達(dá)4Tb容量。三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副裁Kye Hyun Kyung介紹，該芯片將在內(nèi)存單元堆棧底部的新金屬接合層嵌入周邊電路，從而達(dá)到新的密度水平。BA4esmc

三星在日前舉行的閃存高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上發(fā)布這項(xiàng)消息，其中還有幾家競(jìng)對(duì)手則描述采用96層與每單元4bit的芯片。三星目前的512Gbit芯片采用9個(gè)垂直信道與64層，較前一代產(chǎn)品所采用的4信道與48層大幅提升。BA4esmc

Kyung表示，3D NAND可支持每單元4bit，已能滿足業(yè)界大部份的非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM)需求。不過(guò)，他表示，三星已經(jīng)從2002年起致力于開發(fā)具有次微米級(jí)延遲的磁性與相變內(nèi)存(PCM)，最終將有助于縮短在NAND與DRAM之間的差距。BA4esmc

同時(shí)，三星也正為NetApp與Datera等用戶出樣采用其Z-NAND芯片的SSD產(chǎn)品；Z-NAND可支持低至15微秒的延遲。該芯片采用專為延遲優(yōu)化的感測(cè)放大器，能以高達(dá)800Mbits/s的數(shù)據(jù)速率執(zhí)行，并鎖定用于執(zhí)行分析與快取應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)中心。BA4esmc

三星目前正致力于開發(fā)第二代Z-NAND，支持每單元2bits的容量，其目的是為了使產(chǎn)品更加經(jīng)濟(jì)實(shí)惠，而其讀取延遲預(yù)計(jì)將僅有些微提升。BA4esmc

Z-NAND產(chǎn)品可望挑戰(zhàn)英特爾在今年3月發(fā)布的Optane SSD——采用3DXP芯片。市場(chǎng)研究公司Objective Analysis分析師Jim Handy表示，從該SSD采用的PCI Express匯排流目前所能實(shí)現(xiàn)的延遲來(lái)看，這款芯片最大的機(jī)會(huì)預(yù)計(jì)將來(lái)自于明年時(shí)搭載更快速內(nèi)存總線的板卡應(yīng)用。BA4esmc

除了芯片開發(fā)藍(lán)圖之外，三星還發(fā)布一系列開發(fā)中的新組件與SSD計(jì)劃。BA4esmc

它將以每單元4bit封裝高達(dá)32個(gè)1-Tbit芯片的線鍵堆棧至2TB或4TB組件中。而這些堆棧將再被封裝至容量高達(dá)128TB的2.5寸SSD中。BA4esmc

此外，三星正與其他公司合作，為所謂的M.3尺寸標(biāo)準(zhǔn)化至30.5 x 110.0 x 4.38 mm的尺寸。它將會(huì)比現(xiàn)在的M.2服務(wù)器卡更寬，以便容納16TB的容量，而在明年采用V-NAND芯片后可望支持高達(dá)5億次IOPS的能力。三星并展示了一款參考設(shè)計(jì)，可用于1U儲(chǔ)存服務(wù)器中提供576TB容量和1000萬(wàn)IOPS的效能。

三星的M.3原型卡底部與目前的M.2卡比較BA4esmc

同時(shí)，三星也在開發(fā)一種軟件標(biāo)準(zhǔn)，使儲(chǔ)存程序不必再轉(zhuǎn)換成廣泛使用的區(qū)塊儲(chǔ)存。所謂的Key Value SSD則以地址存取可變長(zhǎng)度數(shù)據(jù)。BA4esmc

三星已經(jīng)向NVMe和SNIA等產(chǎn)業(yè)組織提出技術(shù)建議，共同致力于使該途徑成為開放標(biāo)準(zhǔn)。如果獲得采用的話，三星也計(jì)劃為此途徑推出SDK和參考范例。BA4esmc

不過(guò)，三星并未針對(duì)其規(guī)格、基礎(chǔ)制程技術(shù)或出貨時(shí)程透露任何細(xì)節(jié)。BA4esmc

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