隨著產(chǎn)業(yè)持續(xù)整合為三家主要的DRAM供貨商，以及DRAM與NAND閃存供貨商縮減資本設(shè)備支出，帶動產(chǎn)品價格上揚，市場調(diào)研公司IC Insights表示，2013年1月DRAM平均銷售價(ASP)較去年同期增加13%，NAND Flash的平均銷售價更較去年同期大幅增長37%。 IC Insights指出，這將有助于為整體內(nèi)存市場帶來19.9%的年增長率，并為整體IC市場增加6.2%的年增長率。

NAND和DRAM產(chǎn)品資本輸出以及平均銷售價趨勢圖
Source:IC Insightsl98esmc

2013年儲存市場充滿希望 因由DRAM制造商大幅縮減資本設(shè)備支出，以期能使價格持續(xù)穩(wěn)定，但更可能有助于帶動產(chǎn)品價格上揚。IC Insights表示，NAND閃存供貨商也調(diào)整其資本支出，雖然不像DRAM那么顯著，但隨著市場對于像固態(tài)硬盤(SSD)等產(chǎn)品的需求增加，也為NAND Falsh帶來平均銷售價上漲的壓力。 從2003年以來，1月DRAM市場平均較前一年同期增長18.7%，但在2013年，DRAM銷售超過平均而增長了21.0%。同時，今年1月NAND Flash的銷售增長了23.4%，較過去十年來的平均減少了4.4%。 市調(diào)機構(gòu)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查也顯示，12月上旬合約價格受到現(xiàn)貨價格拉抬的激勵，平均漲幅約2%，下旬合約價更延續(xù)上旬上漲的氣勢，尤其是主流模組4GB的高價位價格上漲最多，達到3.17%，成交價格落在16.25美元，與合約均價(15.75美元)的價差已經(jīng)拉大到呈現(xiàn)0.5美元的間距。 本文為《國際電子商情》原創(chuàng)，版權(quán)所有，謝絕轉(zhuǎn)載 本文下一頁：2013年DRAM產(chǎn)業(yè)五大趨勢

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{pagination} 2013年DRAM產(chǎn)業(yè)五大趨勢 2012年對DRAM產(chǎn)業(yè)確實是艱困的一年，如美光正式并購爾必達、臺系DRAM廠退出或轉(zhuǎn)型代工業(yè)務(wù)，甚至2Gb DRAM價格最低至0.6美元，大部分DRAM廠商都面臨虧損；所幸危機也帶來轉(zhuǎn)機，隨著各DRAM廠商調(diào)整生產(chǎn)計劃，年末現(xiàn)貨價格大漲超過20%，合約價格也同步反轉(zhuǎn)成上漲格局，為2013年DRAM產(chǎn)業(yè)帶來新的契機?？偨Y(jié)2012年DRAM市場動態(tài)并展望2013年，TrendForce提出新的一年DRAM市場值得持續(xù)關(guān)注的五大重點趨勢如下： 1. 三星、SK海力士、美光三強鼎立，大者恒大市場趨勢確立 由于美光正式整并爾必達已在程序處理當(dāng)中，整合工作預(yù)計將于今年下半年塵埃落定，新美光集團營收規(guī)模將與SK海力士在伯仲之間，再加計三星的市占率，三大集團的市占率將超過90%，不光市場呈現(xiàn)大者恒大的趨勢，也確立DRAM市場寡占的態(tài)勢確立，三大集團各自擁有DRAM與NAND Flash的技術(shù)下，對于產(chǎn)品組合將可以更靈活的調(diào)配運用，在價格走勢上將更傾向寡占的市場格局，將有助于價格回歸健康面。 2. 移動內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存躍升市場主流，標準型內(nèi)存比重持續(xù)降低 由于智能型手機與平板電腦的熱賣，TrendForce預(yù)估2013年下半年移動內(nèi)存將取代標準型內(nèi)存成為市場主流，LPDDR2內(nèi)存仍是2013年的主流規(guī)格，緊隨著Intel Haswell芯片組的推出，移動內(nèi)存將首度進軍筆記本電腦市場。同時，服務(wù)器用內(nèi)存也受惠于云端需求的興起，單機搭載容量也有將近30%的躍升，2013年將占總產(chǎn)出量的20%，標準型內(nèi)存在DRAM廠的策略考慮下，產(chǎn)出量將進一步萎縮，預(yù)估今年位元產(chǎn)出將較去年大幅衰減27%。 3. 20nm與30nm制程將是2013年市場主流規(guī)格，制程演進趨緩是各DRAM廠共識 DRAM市場由于經(jīng)歷近幾年的低檔盤旋，大部分DRAM廠都面臨大幅虧損的壓力，加上進入20nm制程以下需要購入EUV設(shè)備，資本支出更甚浸潤式設(shè)備(immersion scanner)，不少DRAM廠已經(jīng)將20nm以下制程的進度延至明年，TrendForce預(yù)估今年DRAM廠仍將以20nm及30nm制程作為市場主流，往年動輒一年有兩個世代交替的快速演進將不復(fù)見。 4. 臺系DRAM廠2013上半年全面退出標準型內(nèi)存市場，朝利基型與代工業(yè)轉(zhuǎn)型 去年下半年隨著南科宣布退出標準型內(nèi)存市場，正式宣告臺灣品牌在標準型內(nèi)存的領(lǐng)域結(jié)束；與華邦電子相同，南科將專注于利基型內(nèi)存的生產(chǎn)，力晶也在去年轉(zhuǎn)型代工業(yè)務(wù)，今年開始不再生產(chǎn)標準型內(nèi)存，瑞晶與華亞科將以代工廠的形式繼續(xù)生產(chǎn)標準型內(nèi)存，成為新美光集團生產(chǎn)的支持體系。 5. 減產(chǎn)效應(yīng)發(fā)酵，帶動2013年標準型內(nèi)存價格漲價新契機 有鑒于去年下半年2Gb標準型內(nèi)存價格最低來到0.6美元，部份DRAM廠紛紛啟動減產(chǎn)機制，加上大廠加速轉(zhuǎn)向移動內(nèi)存與服務(wù)器內(nèi)存，配合上PC-OEM于年末的庫存回補，去年12月現(xiàn)貨市場大漲逾20%，合約市場亦正式反轉(zhuǎn)成上漲格局，雖然PC需求端狀況尚不明朗，但在標準型內(nèi)存供給持續(xù)短少下，2013 年標準型內(nèi)存價格將持續(xù)向上、逐步恢復(fù)的趨勢將指日可待。 本文為《國際電子商情》原創(chuàng)，版權(quán)所有，謝絕轉(zhuǎn)載

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