一種產(chǎn)業(yè)的興起，必定會帶動起周邊的一系列產(chǎn)業(yè)。當前中國共有大大小小400多家IC設計公司，這就帶動了IC設計失效分析這樣一個行業(yè)。納瑞科技 (Ion Beam)成立于2006年，是一家專業(yè)的由在聚焦離子束（掃描離子顯微鏡）應用技術領域有多年經(jīng)驗的技術骨干創(chuàng)立而成。 目前國內很多知名IC設計制造公司都是納瑞的客戶，包括珠海矩力、BYD半導體、華為海思、華大科技、大唐、中芯微、硅谷數(shù)模、ADI、意法半導體等。2012年半導體業(yè)大環(huán)境不好，但并沒有對納瑞造成影響，對此納瑞科技（北京）有限公司銷售部經(jīng)理孟建磊女士表示，因為在IC設計整個環(huán)節(jié)中，失效分析和可靠性測試必不可少，只要設計公司不削減研發(fā)經(jīng)費，第三方實驗室都是可以接到大量實驗需求的。對于2013年的前景，納瑞仍然十分看好。 納瑞科技在本次IIC China上著重展示了他們最新的利用FIB技術進行的失效分析，包括FIB透射電鏡樣品制備和FIB電路修改。FIB透射電鏡樣品制備的特點是從納米或微米尺度的試樣中直接切取可供透射電鏡或高分辨電鏡研究的薄膜。試樣可以為IC芯片、納米材料、顆?；虮砻娓男院蟮陌差w粒，對于纖維狀試樣，既可以切取橫切面薄膜也可以切取縱切面薄膜。對含有界面的試樣或納米多層膜，該技術可以制 備研究界面結構的透射電鏡試樣。技術的另一重要特點是對原始組織損傷很小。 FIB電路修改則是利用FIB對芯片電路進行物理修改，可使芯片設計者對芯片問題處作針對性的測試，以便更快更準確的驗證設計方案。 若芯片部份區(qū)域有問題，可通過FIB對此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能，以便找到問題的癥結。FIB還能在最終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片，利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設計方案修改次數(shù)，縮短研發(fā)時間和周期。

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納瑞科技目前在珠海，深圳，北京和上海都有分部，可以為全國各地的集成電路設計和制造工業(yè)，光電子工業(yè)，納米材料研究領域提供一流的分析技術服務。特別專注于離子束應用技術在IC芯片修改以及失效分析領域的技術應用及拓展。 納瑞的服務宗旨是將為IC芯片設計工程師，IC制造工程師縮短設計，制造時間，增加產(chǎn)品成品率。為研究人員提供，截面分析，二次電子像，以及透射電鏡樣品制備。同時還為聚焦離子束系統(tǒng)的應用客戶提供維修，系統(tǒng)安裝，技術升級換代，系統(tǒng)耗材， 以及應用開發(fā)和培訓。 IIC-China 2013展專訪系列文章歡迎轉載，請注明出處并附鏈接

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