ALPHA & OMEGA semiconductor(中文名:萬國半導(dǎo)體,下文簡稱AOS)公司全球銷售副總裁Tony Grizelj在IIC China 2012展會訪談中向記者透露AOS正積極拓展其在高功率應(yīng)用領(lǐng)域的解決方案。 AOS為消費(fèi)、計算等領(lǐng)域提供電源管理方案，擁有廣闊的產(chǎn)品系列，包括Power MOSFET，Power IC，TVS等。Tony Grizelj介紹，MOSFET是AOS傳統(tǒng)強(qiáng)項，在開關(guān)速度、減小損耗方面擁有優(yōu)異表現(xiàn)，在PC應(yīng)用上取得了世界前三的市場地位。AOS又推出了新的UniSiC MOSFET,針對大型太陽能逆變器等高端應(yīng)用，可在發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢的同時，顯著降低由于二極管帶來的能源損耗，在提高能源效率上有突出優(yōu)勢。 在對MOSFET價格緩慢下降的市場預(yù)期下，AOS采取減小成本、改進(jìn)技術(shù)的策略保持價格優(yōu)勢。Tony Grizelj介紹，AOS今年1月收購了IDT位于美國俄勒岡的一家Fab廠，不僅可以保障產(chǎn)能，控制成本，更重要的是能夠縮短新工藝新產(chǎn)品的開發(fā)周期。與作為主要競爭對手的其他電源大廠相比，AOS在新工藝方面更加銳進(jìn)，其Power MOSFET產(chǎn)品采用8寸晶圓，在高良率，高性價比方面占技術(shù)優(yōu)勢。

AOS萬國半導(dǎo)體全球銷售副總裁Tony GrizeljIzJesmc

成本優(yōu)勢還有一個秘訣是：中國。 AOS產(chǎn)品的封測線集中在中國，在上海擁有支持全球客戶的應(yīng)用技術(shù)中心。Tony Grizelj介紹，中國市場雖然目前在AOS全球業(yè)績中所占比例還不高，但中國市場上升很快，他對十二五計劃中綠色能源的發(fā)展抱持很大希望。 AOS為繼續(xù)開拓其在太陽能及其他綠色能源等高功率應(yīng)用中的市場占有率，正積極開發(fā)新產(chǎn)品線αIGBT，據(jù)介紹，這種技術(shù)結(jié)合了一種獨(dú)立單元和垂直器件結(jié)構(gòu)，提供了優(yōu)異的導(dǎo)通和開關(guān)特性，同時保持了可靠的短路性能。 以下是AOS萬國半導(dǎo)體的部分代表性產(chǎn)品信息： * 60V N-溝道 MOSFET AON6242 AON6242 是一款運(yùn)用最先進(jìn)溝道工藝為高頻開關(guān)工作專門優(yōu)化的高效60V MOSFET。它具有極低的RDS(on)和Crss，極大的減少了功率的損耗。同時，得益于集成的軟恢復(fù)體二極管，有優(yōu)異的高頻開關(guān)特性。該器件是升壓轉(zhuǎn)換器和同步整流的理想開關(guān)元件，可以應(yīng)用于消費(fèi)電子，通信，工業(yè)電源以及LED背光領(lǐng)域。 產(chǎn)品簡介 VDS：60V
ID (Vgs=10V)：85V
RDS(on) (Vgs=10V)：<3.6mΩ
RDS(on) (Vgs=4.5V)：<4.5mΩ
100% UIS 測試
100% Rg 測試 *αIGBTTM 技術(shù)和產(chǎn)品 αIGBTTM是AOS利用業(yè)界最先進(jìn)的IGBT技術(shù)開發(fā)出的高性能高可靠性的分立IGBT產(chǎn)品。該技術(shù)結(jié)合了一種獨(dú)立單元和垂直器件結(jié)構(gòu)，提供了優(yōu)異的導(dǎo)通和開關(guān)特性，同時保持了可靠的短路性能。 規(guī)格: VCE(MAX): 600V or 1200V
IC: 5A 至 75A @Tc=100℃ 特點(diǎn): 技術(shù): αIGBTTM, 場終止技術(shù)
VCE(SAT): 1.6V，EON/EOFF: 250/110uJ，最佳的導(dǎo)通損耗和開通/關(guān)斷損耗的平衡
QGC/QGE: 1.5 ，適合于高dV/dt的橋式應(yīng)用
低Gm，CGC適合于并聯(lián)應(yīng)用，無振鈴問題
二極管VF壓降小，軟恢復(fù)特性好，能很好地消除EMI問題
短路承受時間 >10uS 應(yīng)用: 變頻器，UPS, 電焊機(jī)，洗衣機(jī)，電磁爐

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