被動(dòng)元件廠商國(guó)巨公司最近宣布，該公司已在高容值MLCC(積層陶瓷電容)上取得重大技術(shù)突破，通過X5R 1210 100μF(微法拉)高容值MLCC的成功開發(fā)，奠定了該公司在被動(dòng)元件上領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。根據(jù)定義，高容值MLCC是指電容值大于1微法拉、介電層厚度小于4微米的產(chǎn)品。

國(guó)巨100μF MLCC突破了介電層厚度和電極層厚度的限制。kyqesmc

國(guó)巨積層陶瓷電容事業(yè)部副總經(jīng)理胡湘麒表示，這次100μF高容值MLCC的成功研發(fā)，是臺(tái)灣廠商首次以高溫度穩(wěn)定性材質(zhì)成功研發(fā)完成100μF高容MLCC，更讓國(guó)巨晉升為全球高容MLCC的主要供應(yīng)商。該公司MLCC研發(fā)技術(shù)中心協(xié)理胡慶利博士補(bǔ)充指出，X5R 1210 100μF積層陶瓷電容運(yùn)用了多項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)，包括納米粉體覆蓋、內(nèi)埋式電極、精密印刷、低溫端電極等。通過整合國(guó)巨全球研發(fā)團(tuán)隊(duì)資源、工業(yè)技術(shù)研究院材化所、臺(tái)灣大學(xué)材料所的研發(fā)資源及歐美、日本技術(shù)顧問的指導(dǎo)，該公司在高容值MLCC產(chǎn)品的成功開發(fā)上具備前所未有的指針意義。 就應(yīng)用面來(lái)看，100μF高容值MLCC可應(yīng)用于液晶電視、液晶顯示器、電源供應(yīng)器以及許多低功耗的手持式消費(fèi)性電子產(chǎn)品。胡湘麒進(jìn)一步說(shuō)明指出，過去100μF的高容值電容市場(chǎng)向來(lái)由鉭質(zhì)電容主導(dǎo)，而X5R 1210 100μF積層陶瓷電容的溫度性穩(wěn)定較高，在-55℃至85℃的工作溫度范圍內(nèi)，誤差值僅為±15%，生產(chǎn)良率穩(wěn)定，因此可有效取代鉭質(zhì)電容市場(chǎng)需求。該公司的X5R 1210 100μF電容預(yù)計(jì)將在今年的第三季至第四季度間量產(chǎn)。 在此次的研發(fā)成果中，國(guó)巨已能突破介電層厚度和電極層厚度的限制，成功推出介電層小于2微米、電極層厚度小于1微米的高容值MLCC，堆棧數(shù)高達(dá)八百余層。繼這次的技術(shù)成功研發(fā)后，國(guó)巨今年的研發(fā)重點(diǎn)將再接再厲鎖定薄層技術(shù)的突破，主要為介電層 1.2微米的高容系列產(chǎn)品開發(fā)，包括0201 220MF、0402 1.5ΜF(xiàn)、0603 10ΜF(xiàn) 以及0805 17ΜF(xiàn)等。胡湘麒還特別針對(duì)其中的0603 10ΜF(xiàn)指出，這種元件在信息產(chǎn)品的應(yīng)用面極廣，為國(guó)巨新產(chǎn)品開發(fā)重點(diǎn)，目前正加緊研發(fā)過程中，預(yù)計(jì)今年底前便可開始供應(yīng)0603 10ΜF(xiàn)電容。 針對(duì)X5R1210 100μF高容值積層MLCC的研發(fā)，國(guó)巨在2005年申請(qǐng)獲得臺(tái)灣當(dāng)局經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局“主導(dǎo)性新產(chǎn)品開發(fā)輔導(dǎo)計(jì)劃”2,200萬(wàn)新臺(tái)幣的補(bǔ)助。胡慶利說(shuō)明指出，該計(jì)劃共分為十個(gè)子計(jì)劃，在這項(xiàng)計(jì)劃執(zhí)行過程中，國(guó)巨以滿分通過每一階段的技術(shù)審查，順利達(dá)成該項(xiàng)計(jì)劃設(shè)定的生產(chǎn)良率目標(biāo)，并在2006年底完成。繼此次的研發(fā)成果后，針對(duì)MLCC技術(shù)的主要發(fā)展方向，諸如小型化、高容值、高耐壓及高溫(汽車工業(yè))等，國(guó)巨將繼續(xù)提出具體計(jì)劃，爭(zhēng)取相關(guān)補(bǔ)助。國(guó)巨目前的三大主力產(chǎn)品——芯片電阻、MLCC及磁性材料在全球市場(chǎng)都取得極佳的市占率，芯片電阻更是世界第一，另兩項(xiàng)產(chǎn)品則名列全球前三大。其中，高容MLCC在今年底前的月產(chǎn)量將達(dá)到124億顆，為去年33億顆的3.5倍。