第二大DRAM生產(chǎn)商和主要NAND制造商之一的SK海力??士正在猶豫是否申請美國聯(lián)邦政府延長的激勵措施，并希望爭取更多時間調(diào)整其全球產(chǎn)能。據(jù)韓聯(lián)社、韓國時報和路透社報道，SK海力士聯(lián)席首席執(zhí)行官樸正浩3月29日在年度股東大會上表示，公司認(rèn)為CHIPS法案的申請程序過于苛刻，仍在確定是否申請。Q2Oesmc
3 月 27 日，美國商務(wù)部國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院發(fā)布通知，要求有意向激勵的企業(yè)披露預(yù)期利用率、晶圓產(chǎn)量、晶圓良率、晶圓銷售價格等詳細(xì)財務(wù)預(yù)測信息。Q2Oesmc
此外，Park 表示，公司將在 2023 年 10 月當(dāng)前寬限期結(jié)束后尋求豁免限制。2022 年 10 月，美國商務(wù)部工業(yè)與安全局對中國實(shí)施出口管制，限制運(yùn)送芯片制造設(shè)備需要事先批準(zhǔn)才能進(jìn)入中國。Q2Oesmc
該禁令迫使 SK 海力士重新考慮其在中國的業(yè)務(wù)，特別是當(dāng)該公司在 2021 年獲得中國政府批準(zhǔn)后，完成了對英特爾在大連的 NAND 閃存和 SSD 制造工廠的收購。根據(jù) SK 海力士的網(wǎng)站，除了大連，公司在無錫和重慶設(shè)有生產(chǎn)基地，均位于中國。Q2Oesmc
在美國有意減緩中國的半導(dǎo)體野心之際，為了擺脫對中國的嚴(yán)重依賴，SK 海力士宣布投資 15 萬億韓元（114.9 億美元）在韓國清州建設(shè)存儲器制造廠，預(yù)計(jì)建設(shè)完成2025年。Q2Oesmc
同時，據(jù)報道，Park 還承諾，由于公司預(yù)計(jì)需求從 2023 年下半年開始有所改善，因此內(nèi)存業(yè)務(wù)不會進(jìn)一步減產(chǎn)。這家內(nèi)存制造商決定將 2023 年的資本支出減少 50%與披露 2022 年第三季度財務(wù)業(yè)績的一年前相比。Q2Oesmc
SK 海力士內(nèi)存業(yè)務(wù)或在 2023 年第 1 季度出現(xiàn)運(yùn)營虧損Q2Oesmc
由于全球內(nèi)存需求低迷沒有結(jié)束的跡象，韓國供應(yīng)商可能會看到他們的內(nèi)存業(yè)務(wù)陷入經(jīng)營虧損，這對兩家公司來說都是罕見的情況。Q2Oesmc
韓國先驅(qū)報報道稱，根據(jù)三星向 DART 提交的監(jiān)管文件，其庫存在 2022 年第四季度達(dá)到 52.2 萬億韓元（399 億美元），高于去年同期的 41.4 萬億韓元，創(chuàng)下這家內(nèi)存巨頭的歷史新高. 在52.2萬億韓元的總和中，29.1萬億韓元的庫存來自DS業(yè)務(wù)部門，其中包括內(nèi)存、IC和晶圓代工業(yè)務(wù)，年增長76%。DART 的數(shù)據(jù)顯示，另一家韓國內(nèi)存供應(yīng)商 SK 海力士的庫存增至 15.7 萬億韓元，年增長率為 75%。Q2Oesmc
據(jù)《韓國先驅(qū)報》報道，KB Securities 預(yù)計(jì) 2023 年第一季度 DRAM 和 NAND 的價格將分別進(jìn)一步下跌 19% 和 18%，韓國內(nèi)存雙雄預(yù)計(jì)將在本季度出現(xiàn)運(yùn)營虧損。報道援引FnGuide的分析稱，三星電子可能錄得1.91-4.47萬億韓元的經(jīng)營虧損，SK海力士可能錄得3.11萬億韓元的經(jīng)營虧損。Q2Oesmc
3月初，韓國《中央日報》援引消息人士的話說，三星電子在截至3月份的季度中可能會公布存儲芯片業(yè)務(wù)高達(dá)4萬億韓元的營業(yè)虧損，這可能是自2008年第四季度以來的首次營業(yè)虧損，當(dāng)時三星電子全球金融危機(jī)爆發(fā)。Q2Oesmc
Bloomberg Intelligence 分析師 Masahiro Wakasugi 和 Brian Moran 在一份研究報告中表示，由于韓國 2 月份 DRAM 和 NAND 的出口仍然疲軟，三星電子和 SK 海力士第一季度的盈利可能會低迷，需求要到下半年才能恢復(fù).Q2Oesmc
根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)，2022年全球內(nèi)存市場價值將下降12.6%，2023年將下降17%，2023年或?qū)⒊霈F(xiàn)四年來半導(dǎo)體市場首次下降。Q2Oesmc
責(zé)編：EditorTiger
