總部位于以色列的 Weebit Nano 和總部位于美國的 SkyWater Technology 宣布在 SkyWater 的 130nm CMOS (S130) 工藝中采用 Weebit 的電阻式 RAM (ReRAM) IP。SkyWater 客戶現(xiàn)在可以輕松地將 Weebit 的非易失性存儲器 (NVM) 集成到他們的片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計(jì)中。wgaesmc
Weebit 成立于 2015 年，一直專注于電阻式 RAM 技術(shù)——被視為閃存的繼任者——并于 2021 年與 SkyWater 達(dá)成協(xié)議，將其技術(shù)投入量產(chǎn)。SkyWater 是美國國防部下屬的國防微電子活動 (DMEA) 認(rèn)可的 1A 類可信代工廠。wgaesmc
Weebit 認(rèn)為，與使用閃存或其他新興 NVM（如 MRAM）的設(shè)計(jì)相比，ReRAM IP 可使半導(dǎo)體設(shè)計(jì)更快、成本更低、更可靠且能效更高。該公司還表示，其 ReRAM 技術(shù)能夠在 175 攝氏度的溫度下將數(shù)據(jù)保存長達(dá) 20 年，并能承受比閃存高 350 倍的電離輻射。相比之下，使用閃存設(shè)計(jì)的產(chǎn)品需要額外的冗余或屏蔽設(shè)計(jì)。ReRAM 有望在模擬/混合信號、物聯(lián)網(wǎng)、汽車、航空航天和國防以及異構(gòu)計(jì)算中得到應(yīng)用。wgaesmc
擴(kuò)展到 90nm 和碳納米管平臺wgaesmc
SkyWater 的 130nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)是具有 1.8V 和 3.3V/5.0V 器件的雙柵極技術(shù)。該技術(shù)支持多達(dá)五個(gè)鋁金屬層，并通過原生、擴(kuò)展漏極、NPN 和 PNP BJT、電感器、MIM 等啟用混合信號。該技術(shù)提供各種閾值以優(yōu)化功率和性能。wgaesmc
據(jù) Weebit 稱，S130 中的 ReRAM 模塊包括一個(gè) 256Kb ReRAM 陣列、控制邏輯、解碼器、IO（輸入/輸出通信元件）和糾錯(cuò)碼（ECC）。其可擴(kuò)展的模塊化設(shè)計(jì)可根據(jù)客戶的特定設(shè)計(jì)要求（例如，內(nèi)存密度、字長、系統(tǒng)接口）進(jìn)行定制。該模塊還設(shè)計(jì)有獨(dú)特的正在申請專利的模擬和數(shù)字智能電路，運(yùn)行智能算法，可顯著提高內(nèi)存陣列的技術(shù)參數(shù)。wgaesmc
SkyWater 生產(chǎn)的集成 Weebit 的 ReRAM 模塊的演示芯片最近從制造商處收到并證明其功能齊全。這些芯片目前正在接受認(rèn)證，并用于客戶演示、測試和原型制作。SkyWater 美國生產(chǎn)工廠的 ReRAM 內(nèi)存模塊的全面認(rèn)證預(yù)計(jì)將于 2023 年上半年完成。wgaesmc
“ReRAM 不再是未來的技術(shù)——它現(xiàn)在就在這里，”Weebit Nano 首席執(zhí)行官 Coby Hanoch 說。“我們與 SkyWater 的寶貴合作伙伴關(guān)系使我們能夠?qū)⒌谝豢?nbsp;Weebit ReRAM 產(chǎn)品推向市場。” 根據(jù) SkyWater 的說法，Weebit 的 ReRAM 技術(shù)可以擴(kuò)展到許多其他技術(shù)，例如 SkyWater 的 90nm 和碳納米管平臺。它使用適合制造商的材料，使該技術(shù)能夠快速與現(xiàn)有流程和工藝集成，而無需特殊設(shè)備和大量投資。wgaesmc
與學(xué)術(shù)界合作繼續(xù)探索高輻射應(yīng)用wgaesmc
與此同時(shí)，Weebit 正與佛羅里達(dá)大學(xué)材料科學(xué)與工程系的 Nino 研究小組 (NRG) 合作，研究輻射對 Weebit 的 ReRAM 技術(shù)的影響。初步研究結(jié)果表明，Weebit ReRAM 在經(jīng)受超過最苛刻要求的伽馬輻射劑量后仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性和內(nèi)存功能。該小組接下來將在佛羅里達(dá)大學(xué)訓(xùn)練反應(yīng)堆實(shí)時(shí)測量 Weebit ReRAM 模塊在混合輻射環(huán)境下的性能。wgaesmc
“人們對我們的 ReRAM 在高輻射環(huán)境（包括航空航天和醫(yī)療）中的應(yīng)用越來越感興趣。行業(yè)研究表明，ReRAM 技術(shù)本質(zhì)上能夠耐受半導(dǎo)體芯片在這些環(huán)境中遇到的輻射，”Hanoch 指出。“我們知道 ReRAM 技術(shù)對電離輻射、單粒子效應(yīng)損傷和位移損傷相對不敏感，因?yàn)檩椛渑c該技術(shù)的存儲機(jī)制之間沒有直接相互作用，”材料學(xué)教授 Juan C. Nino 博士說佛羅里達(dá)大學(xué)科學(xué)與工程專業(yè)，NRG 創(chuàng)始人。wgaesmc
責(zé)編：EditorTiger
