本周的CES展上，ONSEMI 將推出“EliteSiC”作為其碳化硅 (SiC) 系列，同時展示該系列的三個新成員——1700 V EliteSiC MOSFET 和兩個 1700 V 雪崩級 EliteSiC 肖特基二極管。新器件為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用提供高效率性能，凸顯了安森美在工業(yè)碳化硅解決方案方面的領(lǐng)先地位。4Nmesmc
憑借 1700 V EliteSiC MOSFET (NTH4L028N170M1)，onsemi 提供了高功率工業(yè)應(yīng)用所需的更高擊穿電壓 (BV) SiC 解決方案。兩個 1700 V 雪崩級 EliteSiC 肖特基二極管（NDSH25170A、NDSH10170A）使設(shè)計人員能夠在高溫下實現(xiàn)穩(wěn)定的高壓操作，同時提供由 SiC 實現(xiàn)的高效率。4Nmesmc
“通過提供一流的效率和更低的功率損耗，新的 1700 V EliteSiC 器件加強了我們 EliteSiC 系列產(chǎn)品的卓越性能和質(zhì)量的高標準，并進一步擴展了 onsemi 的 EliteSiC 的深度和廣度，”說ONSEMI 執(zhí)行副總裁兼電源解決方案事業(yè)部總經(jīng)理 Simon Keeton。4Nmesmc
可再生能源應(yīng)用不斷轉(zhuǎn)向更高電壓，太陽能系統(tǒng)從 1100 V 到 1500 V 直流母線。為了支持這一變化，客戶需要具有更高 BV 的 MOSFET。新型 1700 V EliteSiC MOSFET 提供 -15 V/25 V 的最大 Vgs 范圍，使其適用于柵極電壓增加至 -10V 的快速開關(guān)應(yīng)用，從而提高系統(tǒng)可靠性。4Nmesmc
在 40 安培和 1200 V 的測試條件下，1700 V EliteSiC MOSFET 實現(xiàn)了 200 nC 的柵極電荷 (Qg) – 與接近 300 nC 的同等競爭器件相比，這是市場領(lǐng)先的。低 Qg 對于在快速開關(guān)、高功率可再生能源應(yīng)用中實現(xiàn)高效率至關(guān)重要。4Nmesmc
在 1700 V 的 BV 額定值下，EliteSiC 肖特基二極管器件在二極管的最大反向電壓 (VRRM) 和峰值重復(fù)反向電壓之間提供了改進的余量。新器件還提供出色的反向泄漏性能，最大反向電流 (IR) 在 25°C 時僅為 40 µA，在 175°C 時為 100 µA，明顯優(yōu)于通常在 25°C 時額定值為 100 µA 的競爭器件。4Nmesmc
責編：EditorTiger
