在 2022 年 IEEE 國際電子設(shè)備會(huì)議 (IEDM) 上，英特爾公布了 2D 和 3D IC 封裝技術(shù)方面的研究突破，推動(dòng)了其創(chuàng)新渠道，以兌現(xiàn)其到 2030 年在集成電路 (IC) 上放置萬億個(gè)晶體管的承諾。DVSesmc
英特爾展示了 3D 封裝技術(shù)的進(jìn)步，密度提高了 10 倍；超越 RibbonFET 的二維晶體管新材料，包括僅 3 個(gè)原子厚的超薄材料；用于更高性能計(jì)算的能源效率和內(nèi)存的新可能性；根據(jù)公司新聞稿，量子計(jì)算的進(jìn)步。DVSesmc
在 IEDM 2022 上，英特爾的組件研究小組展示了其在三個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新，包括新的 3D 混合鍵合封裝技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)小芯片的無縫集成；超薄二維材料，可將更多晶體管裝入單個(gè)芯片；以及用于更高性能計(jì)算的能源效率和內(nèi)存的新可能性。DVSesmc
Components Research Group 的研究人員發(fā)現(xiàn)了新材料和新工藝，它們模糊了封裝和硅之間的界限。DVSesmc
“我們揭示了將摩爾定律擴(kuò)展到封裝上萬億晶體管的關(guān)鍵后續(xù)步驟，包括可以實(shí)現(xiàn)額外 10 倍互連密度的先進(jìn)封裝，從而產(chǎn)生準(zhǔn)單片芯片 (QMC)。英特爾的材料創(chuàng)新也確定了實(shí)用性使用只有 3 個(gè)原子厚的新型材料可以滿足晶體管縮放要求的設(shè)計(jì)選擇，使公司能夠繼續(xù)擴(kuò)展到 RibbonFET 之外，”英特爾組件研究小組在新聞稿中說。DVSesmc
英特爾還通過取得突破證明其增益是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) GaN 的 20 倍，并創(chuàng)下了高性能功率傳輸?shù)男袠I(yè)記錄，從而為 300 毫米硅基 GaN 晶圓打造了一條可行的道路。DVSesmc
在量子計(jì)算領(lǐng)域，英特爾表示，它將繼續(xù)引入新的物理學(xué)概念，并通過更好地了解可能作為影響量子數(shù)據(jù)的環(huán)境干擾的各種界面缺陷，在提供更好的量子信息存儲(chǔ)方式方面取得突破。DVSesmc
Tom's Hardware在分析中寫道，QMC 是一種新的混合鍵合技術(shù)，其間距小于 3 微米，與英特爾在去年 IEDM 上提交的研究相比，能效和性能密度提高了 10 倍。該論文涵蓋了一種采用 10 微米間距的方法，這已經(jīng)是 10 倍的改進(jìn)。正如今年的論文所展示的那樣，英特爾已經(jīng)找到了在短短幾年內(nèi)將性能提高 100 倍的途徑。DVSesmc
然而，Tom's Hardware的副總編輯 Paul Acorn 指出，英特爾的組件研究小組為公司未來的技術(shù)奠定了初步基礎(chǔ)，但并非所有這些舉措都會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品上市。“那些真正上市的產(chǎn)品通常會(huì)在 5 到 10 年內(nèi)上市。”DVSesmc
責(zé)編：EditorTiger
