據(jù)英飛凌介紹，其下一代Aurix微控制器將使用嵌入式非易失性存儲(chǔ)器，特別是電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM），而不是嵌入式閃存（eFlash），并將在臺(tái)積電的28nm節(jié)點(diǎn)上制造。pwjesmc
雖然基于臺(tái)積電28nm eFlash技術(shù)的Autrix TC4x系列微控制器的樣品已經(jīng)交付給主要客戶，但基于臺(tái)積公司28nm RRAM技術(shù)的首批樣品將于2023年底提供給客戶。英飛凌表示，Autrix TCPx系列微控制器專為ADAS設(shè)計(jì)，并提供新的E/E架構(gòu)和價(jià)格合理的AI應(yīng)用。pwjesmc
自推出第一批發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)以來(lái)，嵌入式閃存微控制器一直被用作汽車中的ECU，市場(chǎng)上的大多數(shù)MCU系列都基于eFlash技術(shù)，但該技術(shù)一直難以遷移到28nm以下，而且也被認(rèn)為不如RRAM高效。英飛凌認(rèn)為，與臺(tái)積電的合作成功地奠定了RRAM在汽車領(lǐng)域的基礎(chǔ)，并將其Autrix系列微控制器置于更廣泛的供應(yīng)基礎(chǔ)上。pwjesmc
臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁Kevin Zhang表示，臺(tái)積電和英飛凌在RRAM技術(shù)方面已經(jīng)合作了近十年，在一系列不同的應(yīng)用中，將TC4x轉(zhuǎn)移到RRAM將為將微控制器縮小到更小的節(jié)點(diǎn)帶來(lái)新的機(jī)遇。pwjesmc
目前，臺(tái)積電的非易失性存儲(chǔ)器解決方案包括閃存、自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）和RRAM。該鑄造廠還在探索相變RAM（PCRAM）和自旋軌道扭矩MRAM（SOT-MRAM）技術(shù)。pwjesmc
2018年，臺(tái)積電開始批量生產(chǎn)汽車用40nm eFlash技術(shù)，但其完全兼容CMOS工藝的40nm超低功耗嵌入式RRAM技術(shù)已于2017年底進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段。2021，該鑄造廠的40nm RRAM技術(shù)成功進(jìn)入批量生產(chǎn)階段，28nm和22nm節(jié)點(diǎn)也可作為物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的低成本解決方案。pwjesmc
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