三星電子于 11 月 7 日在 2022 年閃存峰會和 2022 年三星內(nèi)存技術(shù)日宣布，它已開始量產(chǎn) 1 兆位 (Tb) 三級單元 (TLC) 第八代垂直 NAND (V-NAND)最高位密度。新的 V-NAND 容量為 1Tb，還具有迄今為止最高的存儲容量，可為全球下一代企業(yè)服務(wù)器系統(tǒng)提供更大的存儲空間。xWDesmc
第8代V-NAND的1TB三層式存儲單元（Triple Level Cell）在一個Cell中存放3bit數(shù)據(jù)，是單位面積存儲密度達到業(yè)界最高水平的大容量閃存。第8代產(chǎn)品采用最新NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)Toggle DDR 5.0接口，數(shù)據(jù)存取速度達到2.4 Gbps（千兆比特每秒），比上一代提升約1.2倍。同時支持PCIe 4.0插槽，今后還將支持PCIe 5.0接口。xWDesmc
“隨著市場對更密集、更大容量的存儲需求推動更高的 V-NAND 層數(shù)，三星采用其先進的 3D 縮放技術(shù)來減少表面積和高度，同時避免通常在縮減時發(fā)生的單元間干擾”三星電子閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁 SungHoi Hur 說。“我們的第八代 V-NAND 將有助于滿足快速增長的市場需求，并使我們能夠更好地提供更多差異化的產(chǎn)品和解決方案，這將是未來存儲創(chuàng)新的基礎(chǔ)。”xWDesmc
三星通過顯著提高每片晶圓的比特生產(chǎn)率，實現(xiàn)了業(yè)界最高的比特密度?；?nbsp;Toggle DDR 5.0 接口——最新的 NAND 閃存標(biāo)準(zhǔn)——三星的第八代 V-NAND 具有高達 2.4 Gbps 的輸入和輸出 (I/O) 速度，比上一代提升了 1.2 倍一代。這將使新的 V-NAND 能夠滿足 PCIe 4.0 以及更高版本的 PCIe 5.0 的性能要求。xWDesmc
第八代 V-NAND 有望成為存儲配置的基石，有助于擴展下一代企業(yè)服務(wù)器的存儲容量，同時將其應(yīng)用擴展到可靠性尤為關(guān)鍵的汽車市場。xWDesmc
市場分析xWDesmc
據(jù)報道，近來半導(dǎo)體行業(yè)掀起閃存堆棧層數(shù)競爭。xWDesmc
美國美光公司今年7月表示，已經(jīng)開始生產(chǎn)232層NAND，SK海力士今年8月宣布開發(fā)出238層NAND。而三星電子此前生產(chǎn)的第7代產(chǎn)品是176層堆棧。xWDesmc
三星此次雖未披露第8代的堆棧層數(shù)，不過此前已多次強調(diào)擁有制造200層以上閃存的技術(shù)力量。xWDesmc
根據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)Omdia的數(shù)據(jù)，受智能手機普及和數(shù)據(jù)中心擴大等影響，NAND市場從2016年的368億美元大幅增至2021年的684億美元。NAND不僅具有關(guān)機時也能儲存數(shù)據(jù)的優(yōu)點，而且因其形態(tài)小巧，被廣泛應(yīng)用于智能手機、USB、固態(tài)硬盤（SSD)中。以今年第二季度為準(zhǔn)，在NAND市場，三星電子以33.3%的份額居首位，SK海力士（包括Solidigm）和日本鎧俠分別以20.4%和16.0%緊隨其后。此外，隨著更多汽車上搭載高性能存儲器，NAND需求有望進一步增加。三星電子預(yù)測稱，2030年以后，NAND存儲器的主要需求對象將是服務(wù)器、移動設(shè)備和電裝領(lǐng)域。xWDesmc
三星電子計劃在2024年開始量產(chǎn)第9代NAND。另外，三星電子還計劃到2030年開發(fā)出超過1千層的V-NAND。1千層 NAND 的存儲容量將是第7代 NAND 的5倍以上。xWDesmc
責(zé)編：EditorTiger
