圍繞先進(jìn)制程、產(chǎn)能布局，全球芯片代工廠商臺(tái)積電、三星、英特爾之間的競(jìng)爭(zhēng)非常激烈。Burn J Lin 是臺(tái)積電前副總裁，以其在浸沒(méi)式光刻方面的開(kāi)創(chuàng)性工作而聞名，他最近對(duì)臺(tái)灣代工廠的未來(lái)表示樂(lè)觀，盡管它面臨著來(lái)自三星和復(fù)蘇的英特爾的持續(xù)競(jìng)爭(zhēng)。在接受臺(tái)灣新聞媒體采訪時(shí)，林提到臺(tái)積電成功擊敗競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的記錄，并相信代工廠將保持其行業(yè)領(lǐng)先地位。Znsesmc
盡管韓國(guó)的三星以可支配的巨額資金構(gòu)成威脅，但林認(rèn)為三星與其客戶(hù)的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系將成為三星代工業(yè)務(wù)的不利弱點(diǎn)。據(jù)林說(shuō)，潛在的三星客戶(hù)可能不會(huì)信任三星的關(guān)鍵產(chǎn)品。相比之下，信任是臺(tái)積電享有的優(yōu)勢(shì)：它不與客戶(hù)競(jìng)爭(zhēng)，并采取措施阻止其擁有的數(shù)百名客戶(hù)之間的交流。Znsesmc
在接受CNA采訪時(shí)，林還提請(qǐng)注意，這不是三星第一次領(lǐng)先。臺(tái)積電還在16nm的時(shí)候，三星就聲稱(chēng)已經(jīng)到了14nm。三星的 14nm 芯片都被 iPhone 使用，但導(dǎo)致了熱管理問(wèn)題。同樣，三星也聲稱(chēng)在 10nm 技術(shù)方面處于領(lǐng)先地位，但臺(tái)積電最終成為第一個(gè)生產(chǎn) 10nm 芯片的公司。“為了贏得訂單，三星愿意夸大其詞，”林說(shuō)。Znsesmc
與此同時(shí)，林認(rèn)為英特爾是不同類(lèi)型的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。一方面，英特爾的企業(yè)文化沒(méi)有三星那么強(qiáng)烈。此外，由于沒(méi)有工程背景的人掌舵，英特爾經(jīng)歷了一段人才流失時(shí)期。林認(rèn)為，這是導(dǎo)致英特爾落后于臺(tái)積電的主要原因。此外，林先生發(fā)現(xiàn)美國(guó)最近的行動(dòng)讓人想起其過(guò)去對(duì)抗日本崛起的DRAM產(chǎn)業(yè)的努力，并觀察到美國(guó)恢復(fù)芯片制造業(yè)的困難和保持領(lǐng)先地位的沖動(dòng)促使其訴諸壓制所有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。Znsesmc
臺(tái)積電是全球最大的半導(dǎo)體代工廠，市場(chǎng)份額占比高達(dá)55%。然而，對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，接受美國(guó)政府補(bǔ)貼，赴美建廠卻未必是一個(gè)好的選擇。從臺(tái)積電的產(chǎn)能布局就可以發(fā)現(xiàn)，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)集中了臺(tái)積電的大部分制造產(chǎn)能，共擁有4座12英寸晶圓廠、4座8英寸晶圓廠和一座6英寸晶圓廠，另有4座后段先進(jìn)封測(cè)廠。新規(guī)劃的3nm工廠也計(jì)劃在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)建設(shè)。Znsesmc
今年5月，三星副會(huì)長(zhǎng)李在镕宣布未來(lái)5年將在芯片、生物科技等領(lǐng)域投資3550億美元后，便馬不停蹄訪問(wèn)歐洲，目的在于試圖從荷蘭ASML處搶購(gòu)更多EUV光刻機(jī)，以期在未來(lái)的先進(jìn)工藝競(jìng)爭(zhēng)中占得更大先機(jī)。三星電子還于6月30日搶在臺(tái)積電之前宣布量產(chǎn)3nm工藝，都是這一戰(zhàn)略的重要體現(xiàn)。Znsesmc
去年3月，當(dāng)英特爾CEO帕特﹒基辛格宣布將打造世界一流的代工業(yè)務(wù)時(shí)，業(yè)界對(duì)于此舉頗有質(zhì)疑——晶圓代工行業(yè)不足40%的平均毛利率如何能夠媲美英特爾的CPU業(yè)務(wù)？事實(shí)上，英特爾是將進(jìn)軍晶圓代工作為其實(shí)施IDM2.0戰(zhàn)略的一個(gè)關(guān)鍵支撐點(diǎn)。用英特爾公司企業(yè)規(guī)劃事業(yè)部高級(jí)副總裁Stuart Pann的話來(lái)說(shuō)，代工業(yè)務(wù)將以業(yè)界極為廣泛的制程技術(shù)和先進(jìn)的封裝能力，提供無(wú)與倫比的靈活性。Znsesmc
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