SK 海力士宣布開發(fā)其 238 層 4D NAND 閃存,512Gb 三級單元 (TLC) 芯片樣品已經(jīng)開始出貨。nPUesmc
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SK 海力士 238 層 4D NAND 閃存nPUesmc
SK海力士預計2023年上半年開始量產(chǎn)238層512Gb TLC 4D NAND閃存芯片。nPUesmc
該公司聲稱,新的 SK 海力士 NAND 產(chǎn)品雖然最高層數(shù)達到 238 層,但卻是尺寸最小的 NAND,這意味著其整體生產(chǎn)力與 176 層 NAND 相比提高了 34%。238層產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒2.4Gb,比上一代提升了50%。nPUesmc
SK 海力士的 238 層 512Gb TLC 4D NAND 閃存將首先用于作為 PC 存儲設(shè)備的客戶端 SSD,然后再提供給智能手機和服務(wù)器的大容量 SSD。該公司還計劃明年推出 1 TB (Tb) 的 238 層產(chǎn)品,與目前的 512Gb 產(chǎn)品相比,密度增加了一倍。nPUesmc
SK 海力士在圣克拉拉舉行的 2022 年閃存峰會上推出了 238 層 512Gb TLC 4D NAND 閃存。nPUesmc
同樣在此次活動中,Kioxia 公司推出了其第二代 XL-Flash,這是一種基于其 BiCS Flash 3D 閃存技術(shù)的存儲級內(nèi)存 (SCM) 解決方案。新的 XL-Flash 將擁有 256 Gb 的內(nèi)存容量。樣品發(fā)貨計劃于 2022 年 11 月開始。nPUesmc
責編:EditorTiger
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