美光科技已開始量產(chǎn)該公司聲稱的世界上第一款 232 層 NAND 閃存。fmXesmc
“美光的 232 層 NAND 是存儲創(chuàng)新的分水嶺，它首次證明了在生產(chǎn)中將 3D NAND 擴展到超過 200 層的能力，”美光技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 說。“這項突破性技術(shù)需要廣泛的創(chuàng)新，包括創(chuàng)建高縱橫比結(jié)構(gòu)的先進工藝能力、新型材料的進步以及基于我們市場領(lǐng)先的 176 層 NAND 技術(shù)的領(lǐng)先設(shè)計改進。”fmXesmc
美光表示，其 232 層 NAND 技術(shù)提供了必要的高性能存儲，以支持數(shù)據(jù)中心和汽車應(yīng)用所需的高級解決方案和實時服務(wù)，以及在移動設(shè)備、消費電子產(chǎn)品和 PC 上的響應(yīng)式、沉浸式體驗。該技術(shù)節(jié)點能夠引入業(yè)界最快的 NAND I/O 速度 - 2.4 GB/秒 (GB/s) - 以滿足人工智能和機器學(xué)習(xí)等以數(shù)據(jù)為中心的工作負載的低延遲和高吞吐量需求，該公司聲稱，非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)庫和實時分析以及云計算。這一速度比美光 176 層節(jié)點上啟用的最快接口快 50%。fmXesmc
與上一代相比，美光的 232 層 NAND 還提供高達 100% 的寫入帶寬和超過 75% 的讀取帶寬。該公司表示，這些每個芯片的優(yōu)勢轉(zhuǎn)化為 SSD 和嵌入式 NAND 解決方案的性能和能源效率提升。fmXesmc
此外，美光聲稱其 232 層 NAND 推出了世界上第一個六平面 TLC 生產(chǎn)的 NAND。高 I/O 速度、讀寫延遲和美光的六平面架構(gòu)相結(jié)合，可在許多配置中提供一流的數(shù)據(jù)傳輸。這種結(jié)構(gòu)確保了寫入和讀取命令之間的沖突更少，并推動了系統(tǒng)級服務(wù)質(zhì)量的改進。fmXesmc
該公司表示，美光的 232 層 NAND 是首款支持 NV-LPDDR4 的生產(chǎn)設(shè)備，這是一種低壓接口，與以前的 I/O 接口相比，每比特傳輸節(jié)省 30% 以上。因此，232 層 NAND 解決方案為數(shù)據(jù)中心和智能邊緣的移動應(yīng)用和部署提供了理想的支持，必須在提高性能和低功耗之間取得平衡。該接口還向后兼容以支持舊控制器和系統(tǒng)。fmXesmc
美光表示，232 層 NAND 的緊湊外形為客戶的設(shè)計提供了靈活性，同時實現(xiàn)了有史以來最高的每平方毫米 TLC 密度（每平方毫米 14.6Gb）。面密度比當今市場上的競爭 TLC 產(chǎn)品高 35% 到 100%。據(jù)美光稱，232 層 NAND 采用新的 11.5x13.5mm 封裝，其封裝尺寸比美光前幾代產(chǎn)品小 28%，使其成為市面上最小的高密度 NAND。fmXesmc
美光透露，其 232 層 NAND 現(xiàn)已在該公司的新加坡工廠量產(chǎn)。它最初以組件形式通過其 Crucial 英睿達 SSD 消費產(chǎn)品線向客戶發(fā)貨。隨后將發(fā)布其他產(chǎn)品和可用性公告。fmXesmc
Sumit Sadana 表示：“美光在 NAND 層數(shù)方面取得了持續(xù)的技術(shù)領(lǐng)先地位，從而實現(xiàn)了更長的電池壽命和更緊湊的移動設(shè)備存儲、更好的云計算性能以及更快的 AI 模型訓(xùn)練等優(yōu)勢。” ，美光首席商務(wù)官。“我們的 232 層 NAND 是支持跨行業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的端到端存儲創(chuàng)新的新基礎(chǔ)和標準。”fmXesmc
責編：Quentin
