將碳化硅（SiC）等第三代半導(dǎo)體材料納入電動汽車（EV）的功率器件和模塊，已經(jīng)成為不可逆轉(zhuǎn)的趨勢。政府資助的工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI）下屬的電子和光電系統(tǒng)研究實驗室（EOSRL）的一位專家表示，臺灣III-V族半導(dǎo)體供應(yīng)商可以利用系統(tǒng)設(shè)備制造商的制造能力來深化相關(guān)應(yīng)用，但在這方面將面臨三個階段的挑戰(zhàn)。18zesmc
在最近由 DIGITIMES 主辦的網(wǎng)絡(luò)研討會上，EOSRL 化合物半導(dǎo)體和電源系統(tǒng)技術(shù)部負責(zé)人張道奇表示，典型的第三代半導(dǎo)體材料 SiC 和 GaN 具有高功率密度、高耐壓、高耐熱等多種特性。和高頻，在電池電動汽車（BEV）、綠色能源、5G甚至6G無線通信領(lǐng)域擁有無限的應(yīng)用潛力。18zesmc
特斯拉已將意法半導(dǎo)體提供的 SiC 模塊集成到其電動汽車中，手機制造商也采用了基于 GaN 的充電設(shè)備，Chang 表示，并強調(diào)工業(yè)控制和 EV 應(yīng)用將是臺灣供應(yīng)鏈參與者的主要發(fā)展方向。18zesmc
Chang表示，在發(fā)展第三代半導(dǎo)體，特別是SiC，用于EV和工業(yè)控制應(yīng)用，臺灣將在設(shè)備、模塊和電源系統(tǒng)階段面臨各自的挑戰(zhàn)。18zesmc
在SiC器件方面，現(xiàn)在超過40%的SiC襯底供應(yīng)由Wolfspeed主導(dǎo)，而新溝槽SiC MOSFET技術(shù)專利被英飛凌、羅姆等IDM控制，臺灣供應(yīng)商難以跨入該領(lǐng)域.18zesmc
他繼續(xù)表示，臺灣廠商可以部署傳統(tǒng)平面SiC MOSFET，專利期已過，但傳統(tǒng)平面SiC元件導(dǎo)通電阻高，需要更大的晶圓，對轉(zhuǎn)換效率和散熱提出挑戰(zhàn)。18zesmc
對化合物半導(dǎo)體模塊的需求將大于對分立器件的需求，但臺灣制造商將不得不應(yīng)對如何與擁有相關(guān)專利的國際IDM同時競爭和合作，以及如何通過封裝技術(shù)優(yōu)化生產(chǎn)以提高產(chǎn)量的挑戰(zhàn)。耐熱能力，提高 SiC 或 GaN 模塊的可靠性，并最終通過臺灣和國外領(lǐng)先系統(tǒng)設(shè)備制造商的驗證。18zesmc
談到電源系統(tǒng)，常說，富士康提出的六合一電動汽車動力總成概念可以導(dǎo)致高功率密度化合物半導(dǎo)體的應(yīng)用越來越廣泛。挑戰(zhàn)在于如何進一步縮小芯片尺寸以實現(xiàn)機電一體化系統(tǒng)集成，以及如何開發(fā)新的控制策略以減少電磁干擾（EMI）。18zesmc
責(zé)編：EditorTiger
