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臺(tái)積電在該公司的北美年度技術(shù)研討會(huì)上公布了其由納米片晶體管驅(qū)動(dòng)的下一代?N2?工藝。據(jù)純代工廠稱，N2?計(jì)劃于?2025?年開始生產(chǎn)。

臺(tái)積電在該公司的北美年度技術(shù)研討會(huì)上公布了其由納米片晶體管驅(qū)動(dòng)的下一代 N2 工藝。據(jù)純代工廠稱，N2 計(jì)劃于 2025 年開始生產(chǎn)。jXlesmc

臺(tái)積電表示，N2 將采用納米片晶體管架構(gòu)，以提供性能和功率效率的全節(jié)點(diǎn)改進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)其客戶的下一代產(chǎn)品創(chuàng)新。除了移動(dòng)計(jì)算基準(zhǔn)版本之外，N2 技術(shù)平臺(tái)還包括一個(gè)高性能變體，以及全面的小芯片集成解決方案。jXlesmc

該公司表示，臺(tái)積電的 N2 將能夠在相同功率下比 N3 提高 10-15% 的速度，或在相同速度下降低 25-30% 的功率。jXlesmc

路透社的一篇報(bào)道援引臺(tái)積電高管的話稱，該公司將在 2024 年獲得 ASML 的高 NA EUV 芯片制造工具。jXlesmc

在座談會(huì)上，臺(tái)積電還透露其 N3 技術(shù)將采用臺(tái)積電 FINFLEX 架構(gòu)創(chuàng)新產(chǎn)品，該公司稱其為“設(shè)計(jì)師提供了無與倫比的靈活性”。FINFLEX 架構(gòu)特性提供了不同標(biāo)準(zhǔn)單元的選擇，其中 3-2 翅片配置可實(shí)現(xiàn)超性能，2-1 翅片配置可提高功率效率和晶體管密度，2-2 翅片配置可在兩者之間取得平衡。jXlesmc

憑借其專有的 FINFLEX 架構(gòu)，“客戶可以創(chuàng)建 SoC 設(shè)計(jì)，通過功能塊實(shí)現(xiàn)針對(duì)所需性能、功率和面積目標(biāo)的最佳優(yōu)化鰭配置，并集成在同一芯片上，并針對(duì)他們的需求進(jìn)行精確調(diào)整，”臺(tái)積電表示。jXlesmc

此外，臺(tái)積電透露正在開發(fā) N6e，旨在提供邊緣人工智能和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備所需的計(jì)算能力和能源效率。N6e 將基于臺(tái)積電的 7nm 工藝，預(yù)計(jì)邏輯密度是 N12e 的三倍。它將作為臺(tái)積電超低功耗平臺(tái)的一部分，該平臺(tái)是針對(duì)邊緣人工智能和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的邏輯、射頻、模擬、嵌入式非易失性存儲(chǔ)器和電源管理 IC 解決方案組合。jXlesmc

座談會(huì)上還展示了臺(tái)積電-SoIC 芯片堆疊解決方案的兩個(gè)客戶應(yīng)用：一個(gè)基于 SoIC 的 CPU，采用晶圓上芯片 (CoW) 技術(shù)將 SRAM 堆疊為 3 級(jí)緩存；以及使用晶圓上晶圓 (WoW) 技術(shù)堆疊在深溝槽電容器芯片頂部的智能處理單元。jXlesmc

臺(tái)積電指出，隨著面向 CoW 和 WoW 的 N7 芯片的生產(chǎn)，對(duì) N5 技術(shù)的支持計(jì)劃在 2023 年進(jìn)行。為了滿足客戶對(duì) SoIC 和其他臺(tái)積電 3DFabric 系統(tǒng)集成服務(wù)的需求，臺(tái)積電繼續(xù)說道，“全球首家全自動(dòng) 3DFabric 工廠正在將于 2022 年下半年開始生產(chǎn)。”jXlesmc

臺(tái)積電位于臺(tái)灣北部淳安的全自動(dòng) 3DFabric 工廠將成為公司將其 SoIC 技術(shù)商業(yè)化的地方。臺(tái)積電 CEO CC Wei 于 2021 年 6 月透露，計(jì)劃在 2022 年底前擁有 5 家晶圓廠專門提供其 3DFabric 先進(jìn)封裝解決方案。jXlesmc

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