據(jù)存儲(chǔ)芯片制造商稱,英偉達(dá)最近完成了對(duì) SK 海力士 HBM3 樣品的性能評(píng)估。SK 海力士將為預(yù)計(jì)于 2022 年第三季度開(kāi)始出貨的 NVIDIA 系統(tǒng)提供 HBM3。VIxesmc
SK 海力士還透露,在 10 月份宣布開(kāi)發(fā)此類內(nèi)存約七個(gè)月后,它已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn) HBM3。VIxesmc
SK 海力士表示,NVIDIA的 H100 是世界上最大、最強(qiáng)大的加速器,并補(bǔ)充說(shuō)其 HBM3 有望以高達(dá) 819GB/s 的內(nèi)存帶寬提高加速計(jì)算性能。VIxesmc
SK 海力士總裁兼首席營(yíng)銷官 Kevin (Jongwon) Noh 在一份聲明中表示:“公司通過(guò)與英偉達(dá)的密切合作,在高端 DRAM 市場(chǎng)確保了一流的競(jìng)爭(zhēng)力。我們的目標(biāo)是成為深入了解和解決客戶問(wèn)題的解決方案提供商。”通過(guò)持續(xù)的開(kāi)放合作來(lái)滿足需求。”VIxesmc
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SK海力士HBM3內(nèi)存VIxesmc
HBM3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)VIxesmc
JEDEC發(fā)布的HBM3高帶寬內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),相比HBM2和HBM2e標(biāo)準(zhǔn)有大幅的提升。VIxesmc
JEDEC表示,HBM3是一種創(chuàng)新的方法,是更高帶寬、更低功耗和單位面積容量的解決方案,對(duì)于高數(shù)據(jù)處理速率要求的應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)說(shuō)至關(guān)重要,比如圖形處理和高性能計(jì)算的服務(wù)器。新一代HBM3內(nèi)存主要屬性包括:VIxesmc
- 將經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的HBM2架構(gòu)擴(kuò)展到更高的帶寬,將HBM2的每引腳數(shù)據(jù)速率提高一倍,并定義高達(dá)6.4 Gb/s的數(shù)據(jù)傳輸速率,相當(dāng)于819GB/s。
- 將獨(dú)立通道的數(shù)量從HBM2的8個(gè)增加到16個(gè),每個(gè)通道有兩個(gè)偽通道,HBM3實(shí)際上支持32個(gè)通道。
- 支持4層、8層和12層TSV堆棧,并為未來(lái)擴(kuò)展至16層TSV堆棧做好準(zhǔn)備。
- 支持單層8Gb到32Gb的存儲(chǔ)密度,意味著容量從4GB(4層8Gb)到64GB(16層32Gb),預(yù)計(jì)第一代HBM3設(shè)備將基于單層16Gb。
- 為了滿足市場(chǎng)對(duì)高級(jí)平臺(tái)RAS(可靠性、可用性、可維護(hù)性)的需求,HBM3引入了片上糾錯(cuò)技術(shù)(ECC),以及實(shí)時(shí)錯(cuò)誤報(bào)告和透明度。
- 通過(guò)在主機(jī)接口上使用低擺幅(0.4V)信號(hào)和較低 (1.1V)工作電壓來(lái)提高能效。
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SK海力士是對(duì)于HBM內(nèi)存的研發(fā)一直非常積極,早在2021年6月份就展示了第一款HBM3內(nèi)存,提供了665 GB/s的帶寬。隨后在2021年10月份,SK海力士已宣布成功開(kāi)發(fā)出了HBM3內(nèi)存,成為全球首家開(kāi)發(fā)出新一代HBM內(nèi)存的公司。VIxesmc
責(zé)編:Editordan
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