SK 海力士周三表示，盡管該季度是傳統(tǒng)上需求低迷的季節(jié)，但由于存儲芯片價格下降幅度低于預(yù)期，其第一季度的營業(yè)利潤比一年前增加了一倍多。GrTesmc
這家韓國芯片制造商本季度的收入分別為 12.16 萬億韓元和 2.86 萬億韓元，同比分別增長 43% 和 116%。這是該公司迄今為止1-3月期間的最佳表現(xiàn)。GrTesmc
盡管第一季度對 IT 產(chǎn)品的需求放緩且供應(yīng)鏈問題持續(xù)存在，但 SK 海力士表示，它靈活地響應(yīng)了存儲芯片的需求，并專注于盈利能力管理。GrTesmc
然而，該公司的最新收益還包括一次性撥備 3800 億韓元，用于支付因質(zhì)量問題向客戶提供的 DRAM 芯片的更換成本。GrTesmc
與此同時，這家芯片制造商表示，預(yù)計(jì)整體內(nèi)存市場將呈現(xiàn)持續(xù)增長，波動性將低于過去。GrTesmc
該公司表示，對服務(wù)器芯片的需求正在上升，預(yù)計(jì)到今年下半年，內(nèi)存芯片的市場狀況將變得越來越有利。GrTesmc
雖然由于芯片短缺，在采購晶圓廠設(shè)備方面存在一些小問題，但 SK 海力士表示，其下一代產(chǎn)品的開發(fā)周期目前正在按計(jì)劃進(jìn)行。GrTesmc
該芯片制造商補(bǔ)充說，它正在提高其最新的高端芯片、10nm DRAM 和 176 層 NAND 的良率，并擴(kuò)大產(chǎn)量以滿足需求。GrTesmc
SK 海力士將 EUV 應(yīng)用于 DRAM 生產(chǎn)GrTesmc
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圖片來源：SK海力士GrTesmc
SK 海力士在2021年7月開始生產(chǎn)其 10 納米 8GB LPPDR4 移動 DRAM，這家韓國內(nèi)存巨頭補(bǔ)充說，它在生產(chǎn)最新芯片時采用了極紫外 (EUV) 工藝。GrTesmc
最新的芯片標(biāo)志著 SK 海力士首次在其 DRAM 生產(chǎn)中應(yīng)用 EUV。三星去年開始在其內(nèi)存生產(chǎn)中應(yīng)用先進(jìn)工藝 ，美光表示計(jì)劃在 2024 年應(yīng)用 EUV。GrTesmc
EUV 設(shè)備用于芯片生產(chǎn)期間的光刻工藝，其中電路圖案被轉(zhuǎn)移到晶圓上。通過使用 EUV，公司可以轉(zhuǎn)移更精確的圖案，從而使芯片設(shè)計(jì)得更小，并將更多的芯片繪制在晶圓上。GrTesmc
除了內(nèi)存，在邏輯芯片中，臺灣半導(dǎo)體制造公司和三星也廣泛采用該工藝來 生產(chǎn)先進(jìn)的處理器。GrTesmc
據(jù) SK Hynix 稱，EUV 的應(yīng)用使其能夠在最新的 10nm LPPDR4 的單晶片上獲得比其前身多 25% 的 DRAM 單元。該公司還表示，其最新的 DRAM 也可能有助于緩解目前全球市場的供需狀況。GrTesmc
這家韓國公司表示，SK 海力士所有采用最新 10nm 工藝的新 DRAM 產(chǎn)品都將使用 EUV 制造。GrTesmc
SK 海力士表示，在規(guī)格方面，新的 LPDDR4 移動 DRAM 運(yùn)行速度為 4,266Mbps，功耗比其前身低 20%。 GrTesmc
該芯片將于下半年供應(yīng)給智能手機(jī)制造商。它補(bǔ)充說，該公司還將 從 2022 年開始將其最新的 10nm 工藝應(yīng)用于其DDR5 生產(chǎn)。GrTesmc
責(zé)編：Quentin
