第三代半導(dǎo)體是中國(guó)非常重視的產(chǎn)業(yè)，據(jù)最新報(bào)告顯示，從2021年開始的五年內(nèi)其年增長(zhǎng)率將達(dá)到48%。QJ5esmc
集邦咨詢（TrendForce）指出：包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）在內(nèi)的具有高功率與高頻特性的寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，在電動(dòng)汽車（EV）和快充電池市場(chǎng)具有相當(dāng)大的發(fā)展?jié)摿?。預(yù)計(jì)第三代功率半導(dǎo)體的產(chǎn)值，將從 2021 年的 9.8 億美元、增長(zhǎng)到 2025 年的 47.1 億美元 —— 符合年增長(zhǎng)率（CAGR）為 48% 。QJ5esmc
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（圖自：TrendForce）QJ5esmc
首先展望下大功率的碳化硅（SiC）器件，其能夠在儲(chǔ)能、風(fēng)電、光伏、EV 新能源等領(lǐng)域發(fā)揮重要的作用。QJ5esmc
目前市面上的電動(dòng)汽車，其功率半導(dǎo)體仍更加依賴于硅基材料（IGBT / MOSFET）。QJ5esmc
不過隨著 EV 電池動(dòng)力系統(tǒng)逐漸發(fā)展到 800V 以上的電壓等級(jí)，SiC 將在高壓系統(tǒng)中具有更高的性能表現(xiàn)。QJ5esmc
隨著 SiC 逐步替代部分硅基礎(chǔ)設(shè)計(jì)，整車架構(gòu)和性能都將迎來大幅改進(jìn)和提升。預(yù)計(jì)到 2025 年的時(shí)候，SiC 功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模可達(dá)到 33.98 億美元。QJ5esmc
其次是適用于高頻場(chǎng)景的氮化鎵（GaN）旗艦，其在手機(jī) / 通訊設(shè)備、平板 / 筆記本電腦上具有相當(dāng)大的應(yīng)用前景。QJ5esmc
與傳統(tǒng)快充方案相比，GaN 具有更高的功率密度，能夠在更加輕巧、便攜的封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)更快的充電速度。QJ5esmc
事實(shí)證明，這方面的優(yōu)勢(shì)對(duì) OEM / ODM 廠商有極大的吸引力，其中不少?gòu)S家早已積極投身于此類材料的研發(fā)。QJ5esmc
預(yù)計(jì)到 2025 年的時(shí)候，GaN 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模可達(dá)到 13.2 億美元。此外集邦咨詢強(qiáng)調(diào)，第三代功率半導(dǎo)體基板相較于傳統(tǒng)硅基板的制造難度和成本也都更高。QJ5esmc
好消息是，目前各大基板供應(yīng)商都呈現(xiàn)了努力發(fā)展的態(tài)勢(shì)。隨著 Wolfspeed、II-VI、Qromis 等公司相繼擴(kuò)大產(chǎn)能，預(yù)計(jì)今年下半年可實(shí)現(xiàn) 8 英寸基板的量產(chǎn)，且未來幾年仍有相當(dāng)大的持續(xù)增長(zhǎng)空間。QJ5esmc
責(zé)編：Quentin
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