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繁榮與蕭條交錯(cuò)——這正是記憶體產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期以來(lái)的景氣循環(huán)。除了需求多樣化以及中國(guó)供應(yīng)商崛起，市場(chǎng)的周期性起落會(huì)一直是常態(tài)嗎？

全球第二大NAND閃存制造商?hào)|芝存儲(chǔ)器今日表示，公司已經(jīng)在準(zhǔn)備IPO事宜，最快將在2年內(nèi)上市......

紫光旗下紫光國(guó)微半導(dǎo)體日前表示，在DRAM內(nèi)存芯片上，該公司已具備世界主流設(shè)計(jì)水平，但是產(chǎn)能無(wú)法保證，產(chǎn)品銷量不大......

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司收到了1.86億元的退稅款，7月底至今，武漢東湖高新區(qū)共計(jì)辦理增值稅留抵退稅超10億元，其中集成電路企業(yè)留抵退稅占據(jù)半壁江山......

根據(jù)SEMI指出，中國(guó)大陸晶圓廠產(chǎn)能今年將成長(zhǎng)至全球半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)能之16%，并預(yù)測(cè)至2020年底將提高至20%...

Nantero在今年Hot Chips大會(huì)描述基于碳納米管(CNT)的新一代非揮發(fā)性隨機(jī)存取內(nèi)存(NRAM)細(xì)節(jié)，并看好它將成為DRAM的未來(lái)替代技術(shù)......

Intel發(fā)布的首款消費(fèi)級(jí)QLC固態(tài)硬盤——660p，采用全新的主控制器及64層堆疊的QLC NAND顆粒，不過(guò)前第一代64層QLC閃存的良率只有48%......

預(yù)計(jì)閃存將占據(jù)資本支出的最大份額，而DRAM資本支出今年以最高的速度增長(zhǎng)，未來(lái)3D NAND閃存市場(chǎng)需求過(guò)高的風(fēng)險(xiǎn)很高并且不斷增長(zhǎng)......

美光科技近日透露了一個(gè)重要計(jì)劃，表示在未來(lái)的12年內(nèi)將在沒(méi)過(guò)過(guò)弗吉尼亞州投資30億美元擴(kuò)建汽車芯片工廠，未來(lái)汽車芯片將成為美光科技未來(lái)發(fā)展的重要一環(huán)......

武漢新芯集成電路制造有限公司啟動(dòng)二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，預(yù)計(jì)總投資17.8億美元，計(jì)劃用5年時(shí)間把武漢新芯建設(shè)成中國(guó)物聯(lián)網(wǎng)芯片領(lǐng)導(dǎo)型企業(yè)......

紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的1000人團(tuán)隊(duì)耗資10億美元，歷時(shí)2年研發(fā)成功了國(guó)內(nèi)第一顆32層3DNAND閃存芯片，將在2018年第四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，在2019年會(huì)量產(chǎn)64層128G的存儲(chǔ)器，并同步研發(fā)128層256G的存儲(chǔ)器......

15 家公司中有 11 家公司在今年實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長(zhǎng)，有七家年增長(zhǎng)率為 20% 以上，包括五大內(nèi)存供應(yīng)商三星電子、SK 海力士、美光、東芝/東芝內(nèi)存和西部數(shù)據(jù)/閃迪(Western Digital/SanDisk) ，以及 Nvidia和 ST……

內(nèi)存供應(yīng)商三星原本計(jì)劃第三季度完成每月增產(chǎn)3萬(wàn)片DRAM計(jì)劃，有確定消息傳出，此擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃已經(jīng)延至今年底。廠商供給放緩，有望延續(xù)價(jià)格漲勢(shì)，但同時(shí)咨詢機(jī)構(gòu)也給出Q4 DRAM價(jià)格恐將松動(dòng)的預(yù)期……

NAND Flash市場(chǎng)第三季，智能手機(jī)、筆記本電腦等主要消費(fèi)性產(chǎn)品出貨量的季度成長(zhǎng)有限，加上模組廠庫(kù)存水位高，供過(guò)于求態(tài)勢(shì)將延續(xù)，使得各產(chǎn)品合約價(jià)第三季繼續(xù)下探，NAND Flash價(jià)格平均跌幅預(yù)估將近10%......

DRAMeXchange調(diào)查顯示，2018年Q2由于供給吃緊情況延續(xù)，帶動(dòng)整體DRAM報(bào)價(jià)走揚(yáng)，DRAM營(yíng)收較上季成長(zhǎng)11.3%，再創(chuàng)新高…

因原廠可透過(guò)封裝打線形式的改變(bonding option)做產(chǎn)品類別更換。DDR3則呈現(xiàn)相對(duì)穩(wěn)健的供需結(jié)構(gòu)，報(bào)價(jià)預(yù)期沒(méi)有明顯變動(dòng)，第三季利基型內(nèi)存價(jià)格走勢(shì)預(yù)估將持平......

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，DRAM原廠已陸續(xù)與客戶談定7月份利基型內(nèi)存合約價(jià)，價(jià)格大致和6月相同。

海力士將在公司總部韓國(guó)興建新的半導(dǎo)體制造工廠，將在2018年底動(dòng)工、預(yù)計(jì)于2020年10月完工，投資金額為3.5萬(wàn)億韓元(相當(dāng)于31億美元)......

據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)官方消息，Xtacking技術(shù)將為NAND閃存帶來(lái)前所未有的超高傳輸速率

東芝在日本巖手縣奠基一座新的BiCS 3D閃存工廠，計(jì)劃2019年末竣工，K1工廠初期建設(shè)投資70億日元設(shè)備安裝完成后將在2020年底投產(chǎn)......

國(guó)際電子商情報(bào)道，日前，消息稱長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片，啟動(dòng)試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品。這將是第一個(gè)中國(guó)自主研發(fā)的DRAM芯片。 與此同時(shí)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)和睿力集成的新CEO上任，據(jù)可靠消息，此位CEO正是兆易創(chuàng)新的董事長(zhǎng)朱一明先生?，F(xiàn)在，存儲(chǔ)器投片、管理者就位，這似乎預(yù)示著長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的國(guó)產(chǎn)DRAM正式踏上征程。

Intel聯(lián)合美光宣布，將攜手開發(fā)第二代3D Xpoint閃存芯片，并預(yù)計(jì)在2019上半年面世......

韓國(guó)第二大存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士宣布，將與中國(guó)成立新的合資企業(yè)，并于今年下半年興建新的200毫米晶圓代工生產(chǎn)線。

近日，三星電子宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)第五代V-NAND 3D堆疊閃存，同時(shí)擁有超大容量和超高速度。

針對(duì)聯(lián)電與晉華提起的專利侵權(quán)案所發(fā)布的臨時(shí)禁令，美光已經(jīng)遞交證據(jù)至中國(guó)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利復(fù)審委員會(huì)，并表示受影響的產(chǎn)品約占美光年度營(yíng)收逾1%......