據(jù)Omdia預(yù)計(jì)，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模由2017年的441億美元增長(zhǎng)至2019年的464億美元。2022年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)481億美元。此外，另據(jù)IBS統(tǒng)計(jì)，2021年中國功率器件市場(chǎng)規(guī)模約為711億元，預(yù)計(jì)2025年市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至超1,000億元。P7Zesmc

功率半導(dǎo)體應(yīng)用前景被看好

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羅姆半導(dǎo)體（深圳）有限公司技術(shù)中心高級(jí)經(jīng)理蘇勇錦P7Zesmc

近日，羅姆半導(dǎo)體（深圳）有限公司技術(shù)中心高級(jí)經(jīng)理蘇勇錦在接受《國際電子商情》采訪時(shí)表示：“從半導(dǎo)體行業(yè)整體上看，供應(yīng)鏈在逐步恢復(fù)正常，但MCU、FPGA、功率半導(dǎo)體以及模擬半導(dǎo)體等產(chǎn)品仍然呈現(xiàn)供不應(yīng)求的態(tài)勢(shì)。”羅姆的主力產(chǎn)品——功率半導(dǎo)體和模擬半導(dǎo)體需求非常旺盛，部分產(chǎn)品產(chǎn)能緊張的情況仍在持續(xù)。在“脫碳”潮流下，汽車電動(dòng)化發(fā)展加速，預(yù)計(jì)供需緊張的情況仍將持續(xù)。P7Zesmc

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Qorvo電源設(shè)備解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Chris DriesP7Zesmc

Qorvo電源設(shè)備解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Chris Dries表示：“雖然全球經(jīng)濟(jì)和市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)明顯放緩，特別是在消費(fèi)類終端市場(chǎng)，但SiC終端應(yīng)用仍然保持持續(xù)快速增長(zhǎng)的勢(shì)頭。為了在大功率應(yīng)用中獲得更高效率，硅材料的轉(zhuǎn)變也會(huì)是一個(gè)必然的進(jìn)程，在此過程中，顯然SiC已成為這些應(yīng)用的首選材料。”P7Zesmc

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安森美中國區(qū)現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程總監(jiān)吳志民(Hector Ng)P7Zesmc

安森美(onsemi)中國區(qū)現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程總監(jiān)吳志民(Hector Ng)則指出：“消費(fèi)類市場(chǎng)增長(zhǎng)放緩，而電動(dòng)汽車、儲(chǔ)能和工業(yè)市場(chǎng)將受雙碳目標(biāo)的驅(qū)動(dòng)持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，產(chǎn)生對(duì)功率器件的極大需求。”該公司為電動(dòng)汽車客戶提供IGBT和SiC MOSFET主驅(qū)模塊，其也是光伏和儲(chǔ)能市場(chǎng)的主要功率半導(dǎo)體廠商。其有陣容廣泛的分立IGBT和SiC MOSFET以及PIM，適用于從10 kW以下到300 kW以上的光伏及儲(chǔ)能應(yīng)用。P7Zesmc

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意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG)，功率晶體管事業(yè)部戰(zhàn)略市場(chǎng)、創(chuàng)新及重點(diǎn)項(xiàng)目總監(jiān)Filippo Di GiovanniP7Zesmc

“當(dāng)今功率晶體管的供需失衡其實(shí)也從側(cè)面證明，在減少二氧化碳排放和降低電力消耗，加快‘綠色’經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型的大趨勢(shì)下，全世界都特別關(guān)注能效提升，因此客戶對(duì)功率半導(dǎo)體在能量轉(zhuǎn)換電路和系統(tǒng)中的重要作用的關(guān)注度日益提高。”意法半導(dǎo)體(ST)汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG)，功率晶體管事業(yè)部戰(zhàn)略市場(chǎng)、創(chuàng)新及重點(diǎn)項(xiàng)目總監(jiān)Filippo Di Giovanni則如此表示。P7Zesmc

目前，該公司一直在加強(qiáng)在主要細(xì)分市場(chǎng)的design-in活動(dòng)，其中包括汽車市場(chǎng)，尤其是蓬勃發(fā)展的電動(dòng)汽車市場(chǎng)；在工業(yè)領(lǐng)域，主要包括電動(dòng)汽車充電樁、可再生能源、無線基礎(chǔ)設(shè)施、數(shù)據(jù)中心；在充電器和適配器領(lǐng)域，則更加關(guān)注氮化鎵技術(shù)以及硅基高壓超級(jí)結(jié)系列產(chǎn)品(STPOWER MDmesh)。P7Zesmc

當(dāng)面對(duì)低碳化和數(shù)字化越發(fā)強(qiáng)勁的發(fā)展趨勢(shì)，英飛凌將目標(biāo)聚焦在：可再生能源發(fā)電和儲(chǔ)能，電動(dòng)汽車和充電，以及高能效等級(jí)的家電等領(lǐng)域，對(duì)功率半導(dǎo)體及其驅(qū)動(dòng)、控制芯片有需求的市場(chǎng)。在這些應(yīng)用場(chǎng)景中，能源轉(zhuǎn)換效率是重要的目標(biāo)，這對(duì)功率半導(dǎo)體的性能要求非常高。P7Zesmc

需求持續(xù)旺盛，重金投入擴(kuò)張產(chǎn)能

據(jù)Omdia預(yù)計(jì)，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模由2017年的441億美元增長(zhǎng)至2019年的464億美元。2022年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)481億美元。此外，另據(jù)IBS統(tǒng)計(jì)，2021年中國功率器件市場(chǎng)規(guī)模約為711億元，預(yù)計(jì)2025年市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至超1,000億元。P7Zesmc

面對(duì)功率半導(dǎo)體的旺盛需求，業(yè)界主流大廠紛紛在加大資本支出，積極拓展產(chǎn)能布局。P7Zesmc

英飛凌預(yù)計(jì)，其功率半導(dǎo)體未來五年全周期(FY22-27)增長(zhǎng)大于10%。為此該公司計(jì)劃繼續(xù)擴(kuò)大300毫米晶圓制造能力，以滿足預(yù)期的模擬/混合信號(hào)和功率半導(dǎo)體加速增長(zhǎng)的需求。新工廠計(jì)劃落址于德國的德累斯頓，該工廠計(jì)劃總投資50億歐元，是該公司歷史上最大的單筆投資。此舉將增強(qiáng)該公司作為一家全球功率系統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)的地位。英飛凌2022財(cái)年總計(jì)142億歐元的營(yíng)業(yè)額中，有55%來自功率半導(dǎo)體。P7Zesmc

英飛凌認(rèn)為萬物互聯(lián)、高效清潔能源、綠色智能個(gè)性化出行為代表的低碳化、數(shù)字化發(fā)展趨勢(shì)是未來十年塑造世界的主要力量，會(huì)逐漸滲透到各個(gè)行業(yè)，推動(dòng)著全球?qū)Π雽?dǎo)體的結(jié)構(gòu)性需求持續(xù)增長(zhǎng)?；诖祟A(yù)判，英飛凌正在大幅增加投資，以把握和利用相關(guān)的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。繼2022財(cái)年的24億歐元之后，2023 財(cái)年計(jì)劃投資30億歐元，這些投資主要集中在擴(kuò)大產(chǎn)能上。P7Zesmc

據(jù)《國際電子商情》了解，英飛凌功率半導(dǎo)體一直履行內(nèi)部制造戰(zhàn)略，目前全球半導(dǎo)體供應(yīng)緊張的狀況，凸顯了該公司“內(nèi)部制造戰(zhàn)略”的價(jià)值。例如，英飛凌的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品主要由該公司自有工廠進(jìn)行生產(chǎn)，因而可以減少對(duì)外部產(chǎn)能的依賴。P7Zesmc

英飛凌正在嚴(yán)格按計(jì)劃進(jìn)行制造領(lǐng)域的投資，尤其是在日益重要的碳化硅和氮化鎵技術(shù)方面，進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能。例如，在馬來西亞居林工廠的20億歐元投資，為英飛凌能夠滿足長(zhǎng)期的需求增長(zhǎng)確定了方向。P7Zesmc

英飛凌還購買了廠房，將巴淡(印度尼西亞)工廠的生產(chǎn)空間擴(kuò)大一倍。這次擴(kuò)建旨在重新將巴淡的工廠聚焦在汽車芯片的封裝和測(cè)試。P7Zesmc

英飛凌還于2022年10月在匈牙利采格萊德開設(shè)了一家新工廠，用于大功率半導(dǎo)體模塊的組裝和測(cè)試，以推動(dòng)作為全球碳減排關(guān)鍵的汽車電動(dòng)化進(jìn)程。此外，英飛凌還追加1億歐元的投資，提高大功率半導(dǎo)體模塊的產(chǎn)能，以推動(dòng)此類產(chǎn)品在風(fēng)力發(fā)電機(jī)、太陽能模塊以及高能效電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景中的應(yīng)用。P7Zesmc

另外，英飛凌也已經(jīng)著手?jǐn)U建位于中國無錫的IGBT封裝產(chǎn)線，使之成為該公司在全球最大的IGBT生產(chǎn)基地之一，響應(yīng)中國市場(chǎng)上新能源汽車對(duì)于功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求。P7Zesmc

而圍繞市場(chǎng)對(duì)SiC需求的加速增長(zhǎng)，安森美也在大力投資擴(kuò)產(chǎn)，該公司位于美國新罕布什爾州哈德遜(Hudson, New Hampshire)的SiC工廠，將使其到2022年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加5倍，在捷克共和國Roznov擴(kuò)建的SiC工廠，將在未來兩年內(nèi)將SiC晶圓產(chǎn)能提高16倍，安森美還與戰(zhàn)略客戶簽訂長(zhǎng)期保供協(xié)議(以下簡(jiǎn)稱“LTSA”)以切實(shí)保障客戶的供應(yīng)鏈安全，預(yù)計(jì)未來三年LTSA將為該公司帶來40億美元的碳化硅收入。P7Zesmc

同樣，在面對(duì)功率半導(dǎo)體龐大的市場(chǎng)需求，另一功率半導(dǎo)體大廠羅姆也制定了短期銷售目標(biāo)，該公司預(yù)計(jì)2025年度銷售目標(biāo)規(guī)模將超過2千億日元。P7Zesmc

一直以來，羅姆積極進(jìn)行具有先見性的投資，并于2022年開始正式啟動(dòng)羅姆阿波羅筑后工廠，但是市場(chǎng)需求以超過該公司預(yù)期的速度在不斷擴(kuò)大。羅姆半導(dǎo)體(深圳)有限公司技術(shù)中心高級(jí)經(jīng)理蘇勇錦表示：“對(duì)于當(dāng)前的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)，我們認(rèn)為供應(yīng)能力是關(guān)鍵。關(guān)于SiC，羅姆將之前的計(jì)劃提前，致力于擴(kuò)大生產(chǎn)能力，推進(jìn)新的設(shè)備投資。到2025年為止，預(yù)計(jì)投資總額為1,700-2,200億日元。”P7Zesmc

此外，圍繞汽車電動(dòng)化趨勢(shì)，以及提高能效以減少汽車和工業(yè)產(chǎn)品的碳足跡的訴求，意法半導(dǎo)體正在建設(shè)一個(gè)專門生產(chǎn)SiC 襯底和相關(guān)外延晶圓片的新廠，新廠緊鄰其意大利卡塔尼亞原有工廠。這家工廠是歐洲首個(gè)垂直整合碳化硅制程的工廠，有助于減少對(duì)歐洲以外貨源的依賴。該公司的目標(biāo)是通過內(nèi)部資源自給自足，滿足40%以上的SiC襯底供貨需求。P7Zesmc

低成本、高效利用率，讓8英寸布局成為焦點(diǎn)

從實(shí)際情況上看，目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn)，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這意味著8英寸制造將會(huì)在很大程度上降低SiC的應(yīng)用成本，因而，SiC邁進(jìn)8英寸正成為產(chǎn)業(yè)聚焦的熱點(diǎn)之一。P7Zesmc

為滿足市場(chǎng)需求，意法半導(dǎo)體在新加坡開設(shè)了第二家6英寸碳化硅晶圓廠，這家工廠也有能力生產(chǎn)8英寸的碳化硅晶圓?，F(xiàn)在，升級(jí)到8英寸晶圓是其一個(gè)重點(diǎn)工作，未來該公司所有的碳化硅制造設(shè)施都可以加工8英寸晶圓。P7Zesmc

2022年2月，英飛凌宣布投資逾20億歐元在馬來西亞居林前道工廠擴(kuò)大寬禁帶半導(dǎo)體的產(chǎn)能，進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)其在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。此次擴(kuò)建的即是8英寸產(chǎn)線。8英寸加上冷切割技術(shù)，可以大大增加該公司的碳化硅產(chǎn)能，降低成本。據(jù)《國際電子商情》了解，2018年英飛凌戰(zhàn)略性地收購了Siltectra公司的晶圓和晶錠切割技術(shù)，通過大幅減少SiC 生產(chǎn)過程中的原材料損耗來提高生產(chǎn)力。P7Zesmc

隨著光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車及其充電的發(fā)展對(duì)功率半導(dǎo)體的需求增長(zhǎng)，英飛凌預(yù)測(cè)，未來五年該公司的產(chǎn)能價(jià)值將達(dá)到30億歐元。P7Zesmc

安森美SiC目前生產(chǎn)的是6英寸的晶圓，也在向8英寸布局，2022年第一季度，該公司已經(jīng)在收購的GT Advanced Technologies (GTAT)工廠生產(chǎn)出8英寸晶圓襯底的樣品，預(yù)計(jì)在2024年實(shí)現(xiàn)尺寸樣品的認(rèn)證，到2025年能夠出貨。P7Zesmc

羅姆的優(yōu)勢(shì)在于，能夠提供從晶圓到芯片、封裝、模組，可滿足半導(dǎo)體廠商、模塊廠商以及OEM廠商的各種各樣的需求。目前，羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal公司正在推進(jìn)8英寸SiC襯底的生產(chǎn)布局，計(jì)劃從2023年開始制造。同時(shí)，該公司在日本的筑后工廠SiC新廠房，也正在導(dǎo)入支持8英寸線的制造設(shè)備。不過，據(jù)《國際電子商情》了解，該公司8英寸晶圓的器件制造開始時(shí)間未定。P7Zesmc

·借助收購強(qiáng)化制造能力

三年前，意法半導(dǎo)體收購了一家專門從事碳化硅襯底生產(chǎn)的瑞典公司Norstel AB，現(xiàn)在此公司的業(yè)務(wù)已完全并入意法，新公司更名為STMicroelectronics Silicon Carbide AB。此次并購增加了該公司在襯底設(shè)計(jì)生產(chǎn)方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。意法半導(dǎo)體正在利用這些優(yōu)勢(shì)在意大利建造新工廠，以補(bǔ)充和增加其碳化硅襯底供應(yīng)源，提高供應(yīng)鏈的穩(wěn)健性和韌性。P7Zesmc

作為少數(shù)能提供從襯底到系統(tǒng)的端到端SiC方案供應(yīng)商之一，安森美在收購GTAT后，進(jìn)一步增強(qiáng)了該公司在SiC方向的設(shè)計(jì)與生產(chǎn)能力，其計(jì)劃持續(xù)投資擴(kuò)大SiC研發(fā)工作，以推進(jìn)6英寸和8英寸SiC晶體生產(chǎn)技術(shù)。同時(shí)，該公司還將對(duì)更多SiC供應(yīng)鏈環(huán)節(jié)進(jìn)行投資，包括晶圓廠產(chǎn)能和封裝線。P7Zesmc

面對(duì)嚴(yán)苛應(yīng)用要求，創(chuàng)新技術(shù)予以改善

為了滿足功率器件市場(chǎng)對(duì)噪聲低、效率高、尺寸小和重量輕的要求，各公司在產(chǎn)品研發(fā)與技術(shù)演進(jìn)的過程中提出了不同創(chuàng)新性的改善方法。P7Zesmc

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英飛凌科技工業(yè)功率控制事業(yè)部市場(chǎng)總監(jiān)陳子穎P7Zesmc

例如，英飛凌在芯片、器件和應(yīng)用上都積累了豐富經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新的技術(shù)的基礎(chǔ)上，2017年推出了溝槽柵SiC MOSFET。英飛凌科技工業(yè)功率控制事業(yè)部市場(chǎng)總監(jiān)陳子穎表示：”SiC是新材料，新技術(shù)，所以從材料、供應(yīng)鏈到應(yīng)用的成熟需要一個(gè)過程。英飛凌花了30年時(shí)間不斷進(jìn)行技術(shù)打磨和沉淀, 而且有重大突破的。”溝槽柵SiC MOSFET技術(shù)很好解決了柵極氧化層的可靠性問題，也提高了SiC MOSFET性能，且每個(gè)晶圓可以比平面柵多產(chǎn)出30%芯片。P7Zesmc

同時(shí)，英飛凌還在積極投資一些創(chuàng)新的技術(shù)，從而能夠更好的提升生產(chǎn)效率和良率。2018年收購Siltectra獲得冷切割的芯片切割技術(shù)，可以用同樣數(shù)量的原材料切割成加倍的晶圓來供生產(chǎn)，也降低晶圓生產(chǎn)過程中的單位能耗，這一技術(shù)可以切割成遠(yuǎn)薄于350微米的晶圓。P7Zesmc

另外，英飛凌還具備非常高效散熱，高功率密度的封裝，寄生電感非常低的模塊封裝，基于增強(qiáng)型SiC MOSFET芯片技術(shù)單管，采用.XT技術(shù)的單管，最大規(guī)格低至７毫歐；也有低至２毫歐的Easy3B半橋模塊；1.7kV和2kV芯片技術(shù)及其產(chǎn)品。P7Zesmc

另一家功率半導(dǎo)體廠商，安森美則針對(duì)功率器件市場(chǎng)對(duì)噪聲低、效率高、尺寸小和重量輕的要求提供許多方案，如：維也納(Vienna) PIM提供大功率的功率因數(shù)校正(簡(jiǎn)稱“PFC”)；Toll封裝的SiC MOSFET：滿足ErP和80 PLUS Titanium等能效標(biāo)準(zhǔn)，比D2PAK封裝的PCB面積節(jié)省30%，體積小60%，熱性能更好，封裝電感更低，其Kelvin源極配置確保更低的門極噪聲和損耗；Top Cool封裝的MOSFET：采用頂部冷卻，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低成本，實(shí)現(xiàn)小巧緊湊且可靠的電源方案。P7Zesmc

此外，日系功率半導(dǎo)體廠商羅姆于2022年開始量產(chǎn)的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時(shí)間的情況下實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品，目前可供應(yīng)分立封裝的產(chǎn)品。該產(chǎn)品用于車載主驅(qū)逆變器時(shí)，效率更高，與使用IGBT時(shí)相比，電耗減少6%(根據(jù)國際標(biāo)準(zhǔn)“WLTC燃料消耗量測(cè)試”計(jì)算)，有助于延長(zhǎng)電動(dòng)汽車的續(xù)航里程，并減少電池使用量，降低電動(dòng)汽車的成本。P7Zesmc

·高功率密度時(shí)代到來

相較于傳統(tǒng)的硅材料，以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具有更大的禁帶寬度、更高的臨界場(chǎng)強(qiáng)，使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有耐高壓、低導(dǎo)通電阻、寄生參數(shù)小等優(yōu)異特性。P7Zesmc

最初，碳化硅市場(chǎng)的增長(zhǎng)需求主要由工業(yè)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)，例如太陽能和電動(dòng)汽車充電等，到現(xiàn)在，這一需求正日益被汽車應(yīng)用的高需求所超越。另一種非常有前途的半導(dǎo)體材料是氮化鎵。例如，在結(jié)構(gòu)緊湊、高性能和特別高效的充電系統(tǒng)領(lǐng)域，例如消費(fèi)類設(shè)備的充電器以及電信設(shè)備的電源裝置等應(yīng)用，特別顯現(xiàn)其優(yōu)勢(shì)。氮化鎵市場(chǎng)也將呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)：從2020年的5,300 萬美元增長(zhǎng)到2025年的11.25 億美元(CAGR：84%)。P7Zesmc

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英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)應(yīng)用市場(chǎng)總監(jiān)程文濤P7Zesmc

英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)應(yīng)用市場(chǎng)總監(jiān)程文濤表示：“英飛凌的優(yōu)勢(shì)是同時(shí)擁有硅、氮化鎵、碳化硅三種主要的功率半導(dǎo)體技術(shù)，在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和各種應(yīng)用領(lǐng)域積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，這樣可以完全做到以客戶需求為導(dǎo)向。”據(jù)《國際電子商情》了解，自2018年以來，英飛凌一直在大規(guī)模生產(chǎn)用于消費(fèi)級(jí)應(yīng)用和工業(yè)級(jí)應(yīng)用的600 V氮化鎵晶體管。中壓氮化鎵晶體管(100 V至400 V)目前正在開發(fā)中。P7Zesmc

SiC具有比硅更優(yōu)的性能優(yōu)勢(shì)，提供更高能效和功率密度，尤其是在電動(dòng)車和光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域。P7Zesmc

如安森美的車載充電碳化硅功率模塊APM32系列，將損耗和整體系統(tǒng)體積降至最低，支持設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)提升充電效率和節(jié)省空間的目標(biāo)；又如汽車主驅(qū)碳化硅功率模塊VE-Trac Direct SiC的6-pack架構(gòu)實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比的系統(tǒng)集成，并采用第二代900 V SiC MOSFET技術(shù)實(shí)現(xiàn)高逆變峰值輸出功率、高能效和高可靠性；另外，還有適用于光伏、儲(chǔ)能、不間斷電源的全球首款TOLL封裝的650V SiC MOSFET NTBL045N065SC1，尺寸僅為9.90mm x 11.68mm，滿足高功率密度設(shè)計(jì)迅速增長(zhǎng)的需求。P7Zesmc

而羅姆則可以提供以SiC為主的功率器件和用于驅(qū)動(dòng)的柵極驅(qū)動(dòng)器，主要針對(duì)EV等大功率領(lǐng)域，但針對(duì)中低電壓領(lǐng)域的效率改善也是重要的主題，羅姆在該領(lǐng)域確立了GaN的量產(chǎn)體制，也將提出與IC相結(jié)合的方案。P7Zesmc

日本正在推動(dòng)新一代功率半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)

近年，以SiC、GaN為主的第三代化合物半導(dǎo)體在新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電等諸多領(lǐng)域迎來廣闊的應(yīng)用前景，使其重要性和戰(zhàn)略地位得到廣泛重視。因而，世界主要經(jīng)濟(jì)體相繼啟動(dòng)相關(guān)發(fā)展計(jì)劃和研發(fā)項(xiàng)目，以推動(dòng)本國該產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。P7Zesmc

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表1：世界主要國家(地區(qū))功率半導(dǎo)體發(fā)展政策和項(xiàng)目計(jì)劃P7Zesmc

例如，2022年2月，日本國立研究開發(fā)法人新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)(簡(jiǎn)稱“NEDO”)宣布，將啟動(dòng)“下一代數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)”項(xiàng)目，總預(yù)算為1,376億日元，計(jì)劃于2021-2030年期間實(shí)施。其中，下一代綠色功率半導(dǎo)體項(xiàng)目專門針對(duì)碳化硅技術(shù)，分為8英寸碳化硅MOSFET器件和模塊、8英寸碳化硅襯底技術(shù)開發(fā)2個(gè)方向。P7Zesmc

據(jù)《國際電子商情》了解，作為上述項(xiàng)目參與者之一，羅姆針對(duì)日本NEDO公開征集的“綠色創(chuàng)新基金事業(yè)/新一代數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)”項(xiàng)目的研發(fā)項(xiàng)目之一“新一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品制造技術(shù)開發(fā)”，提出“8英寸新一代SiC MOSFET的開發(fā)”方案，并成功入選。羅姆旨在通過本項(xiàng)目，努力開發(fā)使用大直徑晶圓(8英寸)的工藝技術(shù)和制造技術(shù)，并加快采用了這種晶圓的新一代SiC MOSFET的開發(fā)和量產(chǎn)速度。P7Zesmc

借助收購延伸產(chǎn)品線

過去一段時(shí)間，Littelfuse被視作電路保護(hù)領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者，但是近幾年，為了延伸自身產(chǎn)品線，該公司頻頻發(fā)起資本運(yùn)作，走收購、整合、融合的發(fā)展路線。P7Zesmc

特別是2022年，Littelfus逆周期投資C&K Switches公司，正是看好未來的市場(chǎng)發(fā)展，比如，加速增長(zhǎng)的工業(yè)、自動(dòng)駕駛和數(shù)據(jù)通信三達(dá)戰(zhàn)略級(jí)市場(chǎng)，恰是C&K Switches在高性能機(jī)電開關(guān)布局多年的領(lǐng)域；新能源、儲(chǔ)能和HVAC市場(chǎng)，這些市場(chǎng)早先在歐美更為流行，現(xiàn)在在中國市場(chǎng)也開始普及。P7Zesmc

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Littelfuse中國區(qū)電子部銷售副總裁查勇P7Zesmc

Littelfuse中國區(qū)電子部銷售副總裁查勇表示：“Littelfuse通過收購進(jìn)行的戰(zhàn)略布局，為該公司發(fā)展注入了源源不斷的動(dòng)力，從功率控制、電路保護(hù)器件，到傳感器產(chǎn)品和開關(guān)器件，廣泛的產(chǎn)品系列為客戶提供一站式多場(chǎng)景應(yīng)用服務(wù)，必將有利于優(yōu)化和完善整體解決方案。”P7Zesmc

此外，在2021年11月3日，射頻解決方案供應(yīng)商Qorvo宣布收購碳化硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司。UnitedSiC成為該公司基礎(chǔ)設(shè)施和國防產(chǎn)品(IDP)業(yè)務(wù)之一。P7Zesmc

Qorvo電源設(shè)備解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Chris Dries指出：“對(duì)UnitedSiC的收購充分結(jié)合了Qorvo擁有的多年的化合物半導(dǎo)體專業(yè)知識(shí), 使公司將業(yè)務(wù)擴(kuò)展到電動(dòng)汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護(hù)、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源等快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)。P7Zesmc