在3納米芯片工藝上,臺(tái)積電和三星是唯二的“種子選手”。d1iesmc
由于在4/5nm工藝上糟糕的良品率和表現(xiàn),三星失去了高通這樣的大客戶的旗艦SoC訂單,為此力圖在3納米芯片上拔得頭籌。今年6月,三星率先宣布量產(chǎn)3納米芯片,不過一直被傳良率偏低。除了一家做礦機(jī)芯片的中國(guó)公司試水之外,大型半導(dǎo)體廠商中還在觀望。d1iesmc
近日,有媒體援引知情人士透露,三星正在與5-6家無晶圓廠供應(yīng)商客戶聯(lián)合開發(fā)先進(jìn)芯片,最早將從2024年開始大量供應(yīng)。據(jù)悉,三星將為英偉達(dá)、高通、IBM和百度等客戶量產(chǎn)3納米芯片。不過,相比臺(tái)積電2023年大概率將利用3納米工藝為蘋果iPhone 15系列所搭載的A17芯片代工,三星3納米芯片似乎仍相對(duì)落后。那么,三星3納米芯片真正良率如何?成本如何?d1iesmc
3納米芯片進(jìn)展到底如何?
從一些公開的信息來看,三星看似在3nm制程節(jié)點(diǎn)上先行一步,但實(shí)際生產(chǎn)良率也難盡人意。d1iesmc
據(jù)悉,三星電子3納米芯片首家客戶是來自中國(guó)的半導(dǎo)體企業(yè)PanSemi(磐矽半導(dǎo)體),后者據(jù)稱是一家專門生產(chǎn)比特幣挖礦機(jī)芯片的公司。d1iesmc
三星電子量產(chǎn)3納米芯片將使用GAA先進(jìn)工藝和制程,是首家將GAA工藝落地的晶圓代工企業(yè)。GAA先進(jìn)工藝相比現(xiàn)在主流的FinFET工藝,可實(shí)現(xiàn)更小的尺寸和更低的功耗。不過,一直有消息稱,三星3納米先進(jìn)工藝,其良率不足以達(dá)到“大規(guī)模制造”的要求,更像是試運(yùn)營(yíng),而不是全面的生產(chǎn)運(yùn)行。除了PanSemi,很長(zhǎng)時(shí)間都沒有其他明確的企業(yè)訂單。d1iesmc
而此次三星將利用3納米技術(shù)為英偉達(dá)生產(chǎn)圖形處理器(GPU),為IBM生產(chǎn)中央處理器(CPU),為高通生產(chǎn)智能手機(jī)應(yīng)用處理器,為百度生產(chǎn)云數(shù)據(jù)中心使用的人工智能芯片。d1iesmc
而在未來的技術(shù)路線發(fā)展上,三星電子計(jì)劃在2024年推出第二代3nm工藝技術(shù)的半導(dǎo)體芯片(SF3)。三星電子表示,其第二代3nm芯片的晶體管將比第一代3nm芯片小20%,這將為智能手機(jī)、個(gè)人電腦、云服務(wù)器和可穿戴設(shè)備帶來更小、更節(jié)能的芯片。d1iesmc
由此可見,盡管三星率先宣布3納米技術(shù)“量產(chǎn)”,但其代工計(jì)劃顯然要滯后于臺(tái)積電。d1iesmc
值得一提的是,三星還計(jì)劃積極爭(zhēng)取美國(guó)境內(nèi)晶圓代工市場(chǎng)。除了在德州奧斯汀的工廠,目前還計(jì)劃在鄰近泰勒市興建全新工廠,為最新3nm制程技術(shù)提供代工量產(chǎn)資源,預(yù)計(jì)在2024年開始運(yùn)作。這也是三星在2027年將產(chǎn)能提高兩倍以上的目標(biāo)計(jì)劃的一部分。d1iesmc
同時(shí),三星也有意通過新建工廠以獲取美國(guó)超過520億美元補(bǔ)貼的“芯片法案”的政策補(bǔ)貼,同時(shí)也在一定程度上就近配套美國(guó)本土客戶芯片代工以及滿足供應(yīng)來源地分散化的供應(yīng)鏈安全的需求。d1iesmc
三星3納米 GAA 制程良率僅20%!
三星方面表示,與最初使用FinFET的5nm工藝相比,第一代3nm GAA工藝節(jié)點(diǎn)在功耗、性能和面積(PPA)方面都有不同程度的改善,面積減少16%,性能提高23%,功耗降低45%。到第二代3nm芯片時(shí),面積減小了35%,性能提高了30%,功耗降低了50%。d1iesmc
不過,根據(jù)ctee的報(bào)告,與之前的4/5nm工藝一樣,三星在3nm GAA工藝的生產(chǎn)中也遇到了挫折,良率只有20%!d1iesmc
如果3納米技術(shù)良率低的問題一直不能得到解決的話,那么三星將在勁敵臺(tái)積電失去競(jìng)爭(zhēng)力,或?qū)⒃僖淮巫暸_(tái)積電在3納米上形成壟斷地位。d1iesmc
據(jù)外媒報(bào)道,為了克服生產(chǎn)過程中遇到的諸多障礙,三星選擇與美國(guó)Silicon Frontline Technology公司合作,協(xié)助其提高3nm GAA工藝的良率。d1iesmc
根據(jù)Silicon Frontline Technology官網(wǎng)信息,該公司位于加利福尼亞州圣何塞,為布局后驗(yàn)證提供有保證的準(zhǔn)確和有保證的快速電阻、電容、ESD 和熱分析,其產(chǎn)品已被70多家客戶使用,其中包括全球前25家半導(dǎo)體供應(yīng)商中的12家,得到領(lǐng)先代工廠的認(rèn)可和使用,并已用于500多種設(shè)計(jì)中。而且,客戶已經(jīng)使用我們的技術(shù)解決了10nm、14nm、28nm、40nm、ADC、Serdes、敏感模擬電路、圖像傳感器、存儲(chǔ)器、定制數(shù)字設(shè)計(jì)和電源設(shè)備的問題。 d1iesmc
據(jù)悉,靜電放電是晶圓生產(chǎn)過程中產(chǎn)生缺陷的主要原因,也是三星3納米GAA 技術(shù)的良率過低的重要原因之一。而Silicon Frontline Technology公司已經(jīng)藉由水質(zhì)和靜電放電(ESD)預(yù)防技術(shù)降低生產(chǎn)過程中的缺陷,以提高晶圓的生產(chǎn)良率。d1iesmc
雖然三星號(hào)稱已經(jīng)透過整合其合作伙伴使用的技術(shù)獲得了積極成果,但實(shí)際成果還需要在未來幾個(gè)月內(nèi)持續(xù)觀察。d1iesmc
不過,也正是三星在之前4/5納米芯片上的表現(xiàn),讓更多客戶轉(zhuǎn)向臺(tái)積電。比如,近日臺(tái)積電取代三星,成功拿下特斯拉輔助駕駛芯片大單。在此之前,特斯拉的主要訂單集中于三星,如特斯拉前一代輔助駕駛芯片采用的14nm技術(shù)主要由三星打造。如果三星不能盡快在3納米芯片上有所建樹,那么其將失去更多,這也將是對(duì)其最嚴(yán)峻的考驗(yàn)。d1iesmc
三星3納米代工成本如何?
除了技術(shù)進(jìn)展和代工計(jì)劃之外,3納米技術(shù)代工成本也是很多企業(yè)關(guān)注的重點(diǎn)。d1iesmc
從公開的性能指標(biāo)來看,三星3納米芯片還算不錯(cuò),但如果良率偏低,沒法大規(guī)模量產(chǎn),必然要抬升代工成本。d1iesmc
毫無疑問,更先進(jìn)的工藝制程意味著更高的成本。DigiTimes 11月22日爆料,臺(tái)積電采用3nm制程的12英寸晶圓片單價(jià)已突破2萬美元,相比7nm制程的價(jià)格翻倍,相比5nm制程漲幅也有25%。d1iesmc
今年2月,有傳言稱三星4nm工藝的良率僅35%,這意味著從晶圓上切割下來的芯片裸片(die),只有35%可以通過質(zhì)量控制。相比之下,臺(tái)積電4nm工藝的良率可以達(dá)到70%。也就是說,在所有條件相同的情況下,臺(tái)積電在同一時(shí)間制造的芯片數(shù)量是三星的兩倍。d1iesmc
目前三星3nm工藝的代工價(jià)格沒有相關(guān)的信息,如果按照臺(tái)積電與三星之間在4nm工藝上2倍良率的差距來計(jì)算,那么三星3納米芯片成本將翻倍,達(dá)到4萬美元!這如此高成本壓力之下,三星3納米芯片將毫無競(jìng)爭(zhēng)力。d1iesmc
目前在代工業(yè)務(wù)方面,三星的市場(chǎng)占比遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于臺(tái)積電,后者占據(jù)著全球市場(chǎng)50%以上的份額。然而,未來三星在3納米技術(shù)并非沒有更多機(jī)會(huì),如果其3納米工藝計(jì)劃能如期完成,那么將吸引更多的潛在客戶,畢竟任何沒有企業(yè)希望將技術(shù)綁定在“一家獨(dú)大”的供應(yīng)商手中,而三星也將在這些企業(yè)分散供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)、降低代工成本的訴求下獲得更多的機(jī)會(huì)。d1iesmc
在3nm及以下芯片技術(shù)上,三星電子可謂雄心勃勃。10月3日,三星電子在舊金山首次披露未來技術(shù)路線圖,計(jì)劃在2023年推出第二代3nm工藝,該工藝在性能上將優(yōu)于第一代,2025年開始量產(chǎn)2nm,進(jìn)一步要在2027年推出1.4nm工藝。但如果三星不能在良率和成本上取得更大的突破,僅在目標(biāo)計(jì)劃上作出一些激進(jìn)的計(jì)劃,特別是不能將先進(jìn)芯片工藝上的投資轉(zhuǎn)化成實(shí)實(shí)在在的現(xiàn)金流,那么跟隨臺(tái)積電“陪跑”也不能走太遠(yuǎn)。d1iesmc
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責(zé)編:Elaine