近日，世界先進(jìn)公司（世界先進(jìn)積體電路股份有限公司）宣布，其領(lǐng)先的八寸0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵制程（GaN-on-QST）已于客戶(hù)端完成首批產(chǎn)品系統(tǒng)及可靠性驗(yàn)證，正式進(jìn)入量產(chǎn)，為特殊積體電路制造服務(wù)領(lǐng)域首家量產(chǎn)此技術(shù)的公司。ROoesmc
2018年，世界先進(jìn)公司以Qromis基板技術(shù)（簡(jiǎn)稱(chēng)QST TM）進(jìn)行八寸QST基板的0.35微米650 V GaN-on-QST制程開(kāi)發(fā)，于今年第一季開(kāi)發(fā)完成，于第四季成功量產(chǎn)，世界先進(jìn)公司同時(shí)已和海內(nèi)外整合元件制造（IDM）廠及IC設(shè)計(jì)公司展開(kāi)合作。ROoesmc
QST基板相較于以矽（Si）作為基板，具有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹系數(shù)（CTE），在制程中堆疊氮化鎵的同時(shí)，也能降低翹曲（warpage）破片，更有利于實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。世界先進(jìn)公司的0.35微米650 V GaN-on-QST制程能與公司既有的八寸矽晶圓機(jī)臺(tái)設(shè)備在開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)上相互配合使用，以達(dá)最佳生產(chǎn)效率及良率。根據(jù)客戶(hù)端的系統(tǒng)驗(yàn)證結(jié)果，世界先進(jìn)公司提供的氮化鎵晶圓于快充市場(chǎng)的應(yīng)用上，針對(duì)65W以上的快充產(chǎn)品，其系統(tǒng)效率已達(dá)世界領(lǐng)先的水準(zhǔn)。此外，基于QST基板的良好散熱特性，在整體快充方案效能上，世界先進(jìn)公司提供的氮化鎵晶圓具有更優(yōu)良的散熱表現(xiàn)。ROoesmc
據(jù)了解，目前該公司擁有五座八寸晶圓廠，分別位于臺(tái)灣與新加坡。2022年其八寸晶圓平均月產(chǎn)能約26.2萬(wàn)片。ROoesmc
此外，世界先進(jìn)于11月9日公布2022年10月份營(yíng)收?qǐng)?bào)告。該公司發(fā)言人黃惠蘭副總經(jīng)理暨財(cái)務(wù)長(zhǎng)表示，由于晶圓出貨量減少，該公司10月?tīng)I(yíng)收較上月36.93億元新臺(tái)幣減少約3.74%。1至10月份合并營(yíng)收約456.76億元新臺(tái)幣，與去年同期349.80億元新臺(tái)幣相較增加約30.58%。ROoesmc
世界先進(jìn)官網(wǎng)截圖ROoesmc
責(zé)編：Zengde.Xia
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