11月5日，泛林集團公布了截至2022年9月25日的季度財務(wù)業(yè)績。財報顯示，截至2022年9月，該集團收入為50.74億美元，毛利率為23.37億美元，占收入的46.1%，營業(yè)費用為6.39億美元，營業(yè)收入占收入的33.5%，凈收入為14.26億美元，占攤薄后每股收益10.39美元美國公認會計原則基礎(chǔ)。相比之下，本季度收入為46.36億美元，毛利率為21.01億美元，占收入的45.3%，營業(yè)費用為6.21億美元，營業(yè)收入占收入的31.9%，凈收入為12.09億美元，或攤薄后每股收益8.74美元截至2022年6月26日（“2022年6月季度”）。pA4esmc

　　其現(xiàn)金和現(xiàn)金等價物、短期投資以及受限制的現(xiàn)金和投資余額，在2022年9月季度末增加到46億美元，而在2022年6月季度末為39億美元。這一增長主要是由于經(jīng)營活動產(chǎn)生的11.9億美元現(xiàn)金，部分被支付給股東的2.06億美元股息所抵消；1.4億美元的資本支出；以及1.1億美元的股票回購，包括員工股票補償?shù)膬艄善苯Y(jié)算。pA4esmc

　　2022年9月季度末的遞延收入從2022年6月季度末的21.98億美元增至27.55億美元。Lam的遞延收入余額不包括發(fā)給日本客戶的貨物，在客戶接受之前，所有權(quán)不會轉(zhuǎn)移給這些客戶。發(fā)往日本客戶的貨物在驗收前按成本分類為存貨。截至2022年9月25日，向日本客戶發(fā)貨的估計未來收入約為4.01億美元，截至2022年6月26日為3.67億美元。pA4esmc

前不久，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）發(fā)布報告指出，2023年全球半導(dǎo)體硅晶圓出貨面積將轉(zhuǎn)為衰退0.6%，終止連三年創(chuàng)新高，2024年則可望恢復(fù)增長。此前，SEMI在半導(dǎo)體行業(yè)年度硅出貨量預(yù)測報告中指出，預(yù)計2022年全球硅晶圓出貨量將同比增長4.8%，達到近14700百萬平方英寸（MSI）的歷史新高。pA4esmc

“Lam在9月季度的收入超過50億美元，創(chuàng)歷史新高。扎實的執(zhí)行加上寬松的供應(yīng)鏈條件產(chǎn)生了強勁的整體表現(xiàn)，”Lam Research總裁兼首席執(zhí)行官Tim Archer說。“我們預(yù)計2023年晶圓制造設(shè)備支出將減少，但我們的技術(shù)領(lǐng)。”隨著世界經(jīng)濟走勢放緩，以及半導(dǎo)體設(shè)備的出口管制，未來以Lam Research等為龍頭的世界級半導(dǎo)體設(shè)備廠商業(yè)績或?qū)⒂兴鶒夯?，Lam Research已警告稱，2023 年營收可能減少 20 億至 25 億美元。pA4esmc

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此外，同為美國的半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)的美國應(yīng)用材料（AMAT）、科磊（KLA），此前也預(yù)測了2023年財年業(yè)務(wù)損益情況，如應(yīng)用材料20203財年銷售額最高或?qū)⑾禄?5億美元，科磊銷售額將下滑6-9億美元，pA4esmc

推動下一代半導(dǎo)體的技術(shù)進步

11月初，Lam Research官網(wǎng)發(fā)布了有關(guān)介紹“應(yīng)對MEMS中的大批量制造挑戰(zhàn)和技術(shù)轉(zhuǎn)變”以及“ 3nm 及以后的挑戰(zhàn)和解決方案”資料。pA4esmc

該公司Lam Research 客戶支持業(yè)務(wù)部戰(zhàn)略營銷副總裁 David Haynes 博士也分享了關(guān)于“應(yīng)對 MEMS 中的大批量制造挑戰(zhàn)和技術(shù)轉(zhuǎn)變”的最新進展情況。據(jù)他介紹，pA4esmc

• MEMS有望在汽車、物聯(lián)網(wǎng)、5G、智能家居等市場獲得更廣泛的應(yīng)用。
• 此外，MEMS 和 MEMS 制造技術(shù)有望在實現(xiàn)元宇宙方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。

鑒于此，Lam Research 制定了三種策略來幫助客戶克服 MEMS 的大批量制造挑戰(zhàn)：pA4esmc

1. 利用 Lam 的領(lǐng)先技術(shù)來實現(xiàn) MEMS 工藝能力
2. 應(yīng)對 MEMS 和傳感器客戶的高價值挑戰(zhàn)
3. 成為 MEMS 和傳感器開發(fā)及工藝優(yōu)化的合作伙伴

Haynes 指出，Lam Research 已經(jīng)推出了 用于 300mm 晶圓的Syndion® 系列產(chǎn)品，并且正在開發(fā)專門針對 MEMS 市場需求的新一代 DSiE 技術(shù)。pA4esmc

• 此外，Lam 還積極投資于新材料的開發(fā)、生產(chǎn)工具的使用壽命延長以及 200-300 毫米的可擴展性。

該行業(yè)還在開發(fā)新一代壓電 MEMS 器件，以推動 MEMS 器件的范式轉(zhuǎn)變。由于壓電材料是蝕刻過程中使用的非揮發(fā)性材料，因此它們更難制造。pA4esmc

此外，該公司半導(dǎo)體軟件產(chǎn)品部高級總監(jiān) Joseph Ervin介紹，通過使用具有多重圖案化的 193nm 浸沒式光刻 (193i)，芯片制造商已經(jīng)能夠生成低至 7nm 的高級功能。使用 193i 光刻技術(shù)在 5nm 及以后的節(jié)點上變得越來越成問題，因為較小的特征尺寸需要大量的圖案化和工藝步驟。pA4esmc

• 隨著極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)的出現(xiàn)，現(xiàn)在可以對 3 納米及以后最困難的特征進行圖案化。
• 因此，EUV 已成為圖案化最新節(jié)點的行業(yè)選擇，因為它提高了尺寸分辨率并簡化了圖案化和加工。

不幸的是，僅靠過渡到 EUV 光刻曝光可能是不夠的。193i 是一種長壽命的光刻技術(shù)，單靠 193i 的光刻微縮不足以微縮早期半導(dǎo)體節(jié)點的邏輯。pA4esmc

• 193i光刻需要不同的集成技術(shù)，例如自對準雙重圖形化（SADP）和自對準四重圖形化（SAQP）、cut-block、材料創(chuàng)新、設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）、自對準圖形化， 和別的。
• 圖案化規(guī)格在 3nm 非常具有挑戰(zhàn)性，工藝接近物理邊界。在 EUV 處理過程中，良率會受到不必要的變化和隨機引起的缺陷的影響，從而產(chǎn)生意外的線邊緣粗糙度 (LER)、線寬粗糙度 (LWR) 和邊緣放置錯誤 (EPE)。
• 結(jié)合這些問題，必須共同優(yōu)化光刻、圖案化和下游工藝，以獲得可接受的產(chǎn)量和成本結(jié)果。

預(yù)測過程模型、數(shù)字孿生、自動可變性控制和材料優(yōu)化技術(shù)可用于使用 EUV 光刻技術(shù)開發(fā)下一代設(shè)備。pA4esmc

• 材料創(chuàng)新、整體圖案化、集成、制造控制和 DTCO 在 3nm 及以下將繼續(xù)需要，即使使用 EUV 光刻也是如此。
• 通過結(jié)合 EUV 干式光刻膠技術(shù)、先進的工藝模型、整體圖案化和共同優(yōu)化的集成，Ervin 說 EUV 光刻應(yīng)該能夠擴展到 3nm 甚至更高。

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