近日，意法半導(dǎo)體發(fā)布消息稱，其將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠，以支持意法半導(dǎo)體客戶對汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求，協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠預(yù)計(jì)2023年開始投產(chǎn)，以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對內(nèi)采購及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。yv4esmc

圖片來自ST官方公眾號yv4esmc

　　據(jù)悉，這座新碳化硅襯底廠比鄰意法半導(dǎo)體位于意大利卡塔尼亞(Catania)現(xiàn)有的碳化硅組件制造廠，未來將成為歐洲首座6吋碳化硅外延襯底的量產(chǎn)基地，整合生產(chǎn)流程中所有工序。意法半導(dǎo)體也致力于下一步在此開發(fā)8吋晶圓。yv4esmc

　　此計(jì)劃對意法半導(dǎo)體推動碳化硅業(yè)務(wù)垂直整合的策略而言，是極為關(guān)鍵的一步。該項(xiàng)為期五年的投資計(jì)劃涉及金額7.3億歐元，將由意大利政府透過國家復(fù)蘇暨韌性計(jì)劃(National Recovery and Resilience Plan)提供資金援助，全面完工后可新增約700個(gè)直接就業(yè)機(jī)會。意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示，意法半導(dǎo)體正在推動其全球制造業(yè)務(wù)的轉(zhuǎn)型升級，藉由提升8吋晶圓制造產(chǎn)能并強(qiáng)化專注于寬禁帶半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，以支持其突破200億美元營收的遠(yuǎn)大目標(biāo)。yv4esmc

　　此外，另據(jù)了解，意法半導(dǎo)體先進(jìn)的量產(chǎn)碳化硅產(chǎn)品STPOWER SiC，目前由位于卡塔尼亞及新加坡宏茂橋的晶圓廠進(jìn)行生產(chǎn)，封裝測試等后端制造則在中國深圳及摩洛哥的布斯庫拉(Bouskoura)完成?；谏鲜鲋圃鞂?shí)力，新碳化硅襯底廠的投資對意法半導(dǎo)體于2024年之前實(shí)現(xiàn)40%襯底來自內(nèi)部采購的目標(biāo)來說，無疑是一重大里程碑。yv4esmc

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意法半導(dǎo)體7個(gè)后工序制造工廠(圖片來自ST官方宣傳視頻截圖)yv4esmc

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　　數(shù)月前，也就在2022年7月11日，意法半導(dǎo)體和半導(dǎo)體制造商格芯(GlobalFoundries)宣布，雙方將在意法半導(dǎo)體現(xiàn)有的法國Crolles 12英寸晶圓廠附近建立一個(gè)新的12英寸晶圓聯(lián)營廠，并就該合作簽署了一份諒解備忘錄(MoU)。該工廠的目標(biāo)是到2026年提高到最大產(chǎn)能，建成后最高年產(chǎn)能將達(dá)每年62萬片12英寸晶圓(意法半導(dǎo)體約占42%，格芯約占58%)。yv4esmc

　　按計(jì)劃，意法半導(dǎo)體和格芯承諾為歐洲和全球客戶群擴(kuò)大產(chǎn)能。該新工廠將支持多種制造技術(shù)，特別是基于FD-SOI的工藝技術(shù)，并將涵蓋其衍生技術(shù)，其中包括格芯市場前沿的FDX技術(shù)，以及意法半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)最小至18納米的全面技術(shù)。yv4esmc

　　緊接著，意法半導(dǎo)體于7月19日宣布，法國“電子2030”計(jì)劃(Electronique 2030)啟動儀式在法國Grenoble附近的意法半導(dǎo)體Crolles研發(fā)制造一體化工廠舉辦。據(jù)悉， “電子2030”計(jì)劃是2021年10月公布的“法國2030”投資計(jì)劃中的一部分，旨在保持法國電子工業(yè)的領(lǐng)先地位，應(yīng)對從上游研究到下游應(yīng)用、以及整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈當(dāng)前和未來面臨的挑戰(zhàn)。yv4esmc

　　在歐盟層面，經(jīng)歐盟委員會協(xié)調(diào)，20個(gè)歐盟成員國決定，在首個(gè)IPCEI項(xiàng)目暨“歐洲共同利益重點(diǎn)項(xiàng)目之微電子(IPCEI ME)”已取得成功的基礎(chǔ)上，啟動新一個(gè)新的項(xiàng)目——“歐洲共同利益重點(diǎn)項(xiàng)目之微電子和通信技術(shù)(IPCEI ME/CT)”。該新IPCEI項(xiàng)目吸引了100多家企業(yè)參與，目標(biāo)是建立完整的半導(dǎo)體價(jià)值鏈，不僅支持研發(fā)創(chuàng)新(RDI)，還支持第一工業(yè)部署(FID)。IPCEI ME/CT項(xiàng)目分為4個(gè)工作小組：SENSE(數(shù)字感知)、THINK(嵌入式處理)、ACT(功率電子)和COMMUNICATE(通信器件)。yv4esmc

　　從上述種種舉措，可看出端倪，歐洲不斷在強(qiáng)化本地的半導(dǎo)體或者微電子布局，在此過程中，歐洲廠商也在亦步亦趨。yv4esmc

在11月10-11日由Aspencore主辦的2022 IIC ShenZhen將在深圳大中華交易廣場舉辦，屆時(shí)將有第24 屆高效電源管理及功率器件論壇的精彩觀點(diǎn)與大家一同分享，同期舉辦的還有全球CEO峰會、全球分銷與供應(yīng)鏈領(lǐng)袖峰會、國際工業(yè)4.0 技術(shù)與應(yīng)用論壇，匯聚國內(nèi)外電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖、管理人員、設(shè)計(jì)精英及決策者共同探討電子產(chǎn)業(yè)動向及技術(shù)趨勢等，點(diǎn)擊這里免費(fèi)報(bào)名。 yv4esmc

　 Wolfspeed建造全球最大碳化硅材料工廠

　　碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物理氣相傳輸法(PVT 法)制備碳化硅單晶，再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法(CVD 法)等生成 外延片，最后制成相關(guān)器件。在SiC器件的產(chǎn)業(yè)鏈中，由于襯底制造工藝難度大，產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值量主要集中于上游襯底環(huán)節(jié)。yv4esmc

　　為提高生產(chǎn)效率并降低成本，大尺寸是碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向。襯底尺寸越 大，單位襯底可制造的芯片數(shù)量越多，單位芯片成本越低。襯底的尺寸越大，邊緣的浪費(fèi) 就越小，有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。在半絕緣型碳化硅市場，目前主流的襯底產(chǎn)品規(guī) 格為4英寸。在導(dǎo)電型碳化硅市場，目前主流的襯底產(chǎn)品規(guī)格為6 英寸。與硅材料芯片相比，8 英寸和 6 英寸 SiC 生產(chǎn)的主要差別在高溫工藝上，例如高溫離子注入， 高溫氧化，高溫激活等，以及這些高溫工藝所需求的硬掩模工藝等。yv4esmc

　　隨硅襯底正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展，目前行業(yè)內(nèi)公司主要量產(chǎn)產(chǎn)品尺寸集中在4英寸及6英寸。在最新技術(shù)研發(fā)儲備上，業(yè)界領(lǐng)先者開始大舉開拓8英寸產(chǎn)品。作為碳化硅襯底大廠的Wolfspeed在完成紐約州這座晶圓工廠建設(shè)后，其在北卡羅來納州的材料工廠也在推進(jìn)之中。yv4esmc

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　　今年4月，Wolfspeed 宣布其備受關(guān)注的莫霍克谷工廠(Mohawk Valley Fab)正式開業(yè)，該工廠被稱為“全球首座、最大且唯一的 200mm 碳化硅(SiC)晶圓制造工廠”。開業(yè)當(dāng)天，Wolfspeed還宣布與Lucid Motors達(dá)成了一項(xiàng)提供 SiC 功率半導(dǎo)體的長期協(xié)議。yv4esmc

　　從 硅(Si)向 碳化硅(SiC)的轉(zhuǎn)型速度很大一部分是依靠產(chǎn)能的提升。隨著莫霍克谷工廠的運(yùn)營，Wolfspeed 碳化硅(SiC)器件產(chǎn)能將顯著提升。除增加制造廠房面積以及前沿領(lǐng)先的自動化技術(shù)，從150mm 晶圓向 200mm 晶圓的提升將使得每片晶圓可最終制成的器件數(shù)量倍增。增大的尺寸也意味著每片晶圓可支持的功率數(shù)(瓦特)也在增加。換個(gè)角度來看，200mm 碳化硅(SiC)晶圓可支持的功率數(shù)(瓦特)比 300mm 硅(Si)晶圓可支持的功率數(shù)(瓦特)還要高。因此，如果采用相同數(shù)量的晶圓片，碳化硅(SiC)可以賦能更多的系統(tǒng)。反之，如果賦能相同的系統(tǒng)，碳化硅(SiC)則僅需更少數(shù)量的晶圓片。這將有助于減少所需采購的芯片數(shù)量，以及緩解供應(yīng)鏈的壓力。yv4esmc

　　此外，在不足一個(gè)月前，Wolfspeed宣布將投入數(shù)十億美元在北卡羅來納州查塔姆縣(Chatham County)建造全新的、采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的碳化硅(SiC)材料制造工廠。這一投資計(jì)劃將提升 Wolfspeed 現(xiàn)有碳化硅產(chǎn)能超 10 倍，以支持其長期增長戰(zhàn)略，加快碳化硅半導(dǎo)體在一系列終端市場的應(yīng)用。yv4esmc

　　據(jù)悉，該工廠將主要制造 200mm 碳化硅晶圓。200mm 晶圓的面積是150mm 晶圓的 1.7 倍，這也意味著單片晶圓可制得的芯片數(shù)量將更多，也將最終有助于降低器件成本。這些晶圓將用于供應(yīng)上述所提及的 Wolfspeed 莫霍克谷工廠(Mohawk Valley Fab)。yv4esmc

　　按計(jì)劃，該工廠的一期建設(shè)將于2024年完成，成本預(yù)計(jì)13 億美元。在2024年至2030年之前，Wolfspeed還將根據(jù)需求擴(kuò)大額外產(chǎn)能，預(yù)計(jì)最終占地面積 445 英畝，建成超過 100 萬平方英尺的工廠。yv4esmc

　　安森美垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈 重點(diǎn)擴(kuò)張?zhí)蓟?/h3>

　　美國時(shí)間8月11日，安森美慶祝其位于新罕布什爾州哈德遜(Hudson, New Hampshire)的碳化硅(SiC)工廠的落成。該基地將使安森美到2022年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加五倍，在哈德遜的員工人數(shù)幾乎翻兩番。yv4esmc

　　據(jù)悉，此擴(kuò)張使安森美能完全控制SiC制造供應(yīng)鏈，從SiC粉末和石墨原料的采購，到封裝好的SiC器件的交付。這使其能為客戶提供必要的供應(yīng)保證，以滿足對基于SiC的方案迅速增長的需求。據(jù)預(yù)計(jì)SiC總潛在市場容量將從2021年的20億美元增長到2026年的65億美元，年復(fù)合增長率33%。yv4esmc

　　此前，在8月的第二季度財(cái)報(bào)電話會議上，安森美曾宣布在未來三年通過與廣泛的客戶群簽訂長期供應(yīng)協(xié)議，承諾實(shí)現(xiàn)40億美元的SiC收入。這將使其2022年的SiC收入比去年增加兩倍，并在2023年實(shí)現(xiàn)超過10億美元的收入，進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)了安森美在SiC的領(lǐng)先地位在不斷增強(qiáng)。yv4esmc

　　從2019年開始，安森美在位于Roznov的現(xiàn)有硅拋光和外延晶圓及芯片生產(chǎn)的基礎(chǔ)上，增加了SiC拋光晶圓和SiC外延 (以下簡稱“EPI”) 晶圓生產(chǎn)。由于原來的場地?zé)o法滿足需求，2021年安森美開始再建新廠房，以進(jìn)一步擴(kuò)大晶圓和SiC EPI的生產(chǎn)。在未來兩年內(nèi)，這一擴(kuò)建將使該基地的SiC產(chǎn)能提高16倍，并在2024年底前創(chuàng)造200個(gè)就業(yè)機(jī)會。到目前為止，安森美在Roznov基地的投資已超過1.5億美元，并計(jì)劃在2023年前追加投資3億美元。安森美電源方案部執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理Simon Keeton指出，連同在美國新罕布什爾州哈德遜的SiC晶錠的擴(kuò)產(chǎn)，這些增加的SiC制造能力使安森美能為客戶提供關(guān)鍵的供應(yīng)保證，以滿足市場對基于SiC的方案快速增長的需求。yv4esmc

　　目前，安森美的擴(kuò)產(chǎn)路徑是通過垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，前后端互通保證連貫性。通過技術(shù)自研和收購的方式，從6英寸向8英寸晶圓進(jìn)行布局。yv4esmc

　　早在2004年， TranSiC(之后被安森美收購)開始了對于SiC BJT轉(zhuǎn)換器的研究;2016年，安森美以24億美元現(xiàn)金完成對FairChild(仙童半導(dǎo)體)的收購，這促進(jìn)了安森美全系列低中高壓產(chǎn)線整合。同年，安森美推出第一款碳化硅產(chǎn)品：M1 1200 V MOSFET。yv4esmc

　　安森美內(nèi)部人士表示，碳化硅相比于硅的技術(shù)難點(diǎn)，在于從研磨和切割到晶柱成型的整個(gè)過程。2021年8月，安森美宣布和碳化硅生產(chǎn)商GT Advanced Technologies (GTAT)達(dá)成最終收購協(xié)議，以4.15億美元現(xiàn)金收購GTAT。安森美(onsemi)在收購上游SiC供應(yīng)企業(yè)GTAT后，實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)鏈的垂直整合，是世界上為數(shù)不多能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商，包括SiC球生長、襯底、外延、器件制造、同類最佳的集成模塊和分立封裝方案。收購GTAT后，安森美會著力推進(jìn)8英寸晶圓市場化，大力擴(kuò)展產(chǎn)線以補(bǔ)充產(chǎn)能。在碳化硅方面，2022-2023年的資本支出預(yù)計(jì)會占到其總收入的12%。yv4esmc

　　英飛凌強(qiáng)化領(lǐng)先優(yōu)勢 明確碳化硅擴(kuò)張新目標(biāo)

　　作為全球功率半導(dǎo)體的領(lǐng)軍企業(yè)，英飛凌連續(xù)18年蟬聯(lián)全球功率半導(dǎo)體市場占有率第一，背后是英飛凌功率半導(dǎo)體在各個(gè)細(xì)分市場的領(lǐng)先地位。統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，截止到2020年，英飛凌是分立式IGBT和IGBT模塊的細(xì)分領(lǐng)域的市場龍頭，且領(lǐng)先優(yōu)勢明顯。此外，英飛凌還是2020年智能功率模塊(IPM)市場的第三名。yv4esmc

　　為進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)其在功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位，英飛凌在該領(lǐng)域?qū)⒋罅ν顿Y擴(kuò)張。例如，2022年英飛凌擴(kuò)大第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)能，將投資超過20億歐元（合計(jì)約144億人民幣）擴(kuò)大SiC 和 GaN的產(chǎn)能。yv4esmc

　　據(jù)其披露消息顯示，英飛凌預(yù)計(jì)，在本世紀(jì)二十年代前期，該公司的碳化硅半導(dǎo)體銷售額將以超過60%的復(fù)合年增長率增長，至本世紀(jì)二十年代中期將達(dá)到約10億美元，市占比達(dá)到30%。yv4esmc

英飛凌SiC產(chǎn)品發(fā)展預(yù)期（圖片來自英飛凌官方公眾號）yv4esmc

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　　今年2月，英飛凌還曾宣布資逾20億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個(gè)廠區(qū)。建成之后，新廠區(qū)將用于生產(chǎn)碳化硅和氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，每年可為英飛凌創(chuàng)造20億歐元的收入。yv4esmc

　　據(jù)悉，此次擴(kuò)建是英飛凌根據(jù)其半導(dǎo)體生產(chǎn)制造長期戰(zhàn)略而做出的決策，居林工廠在200毫米晶圓生產(chǎn)方面所取得的規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)為該項(xiàng)目打下了良好的基礎(chǔ)。英飛凌位于菲拉赫和德累斯頓的300毫米晶圓廠奠定了公司在半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。yv4esmc

　　2021年9月17日，英飛凌位于奧地利菲拉赫的全新全自動300毫米薄晶圓芯片工廠正式投入生產(chǎn)。新工廠的總占地面積約為6萬平方米，產(chǎn)能將在未來4到5年內(nèi)逐步得以釋放提升。英飛凌管理委員會成員兼首席運(yùn)營官Jochen Hanebeck表示：“英飛凌現(xiàn)在有兩座用于生產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件的大型300毫米薄晶圓芯片工廠，一座位于德累斯頓，另一座位于菲拉赫。兩座工廠基于相同的標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)和數(shù)字化理念，使得我們能夠像控制一座工廠一樣，來控制兩座工廠的生產(chǎn)運(yùn)營，不僅進(jìn)一步提高了產(chǎn)能，而且能夠?yàn)榭蛻籼峁└叩撵`活性。”yv4esmc

　　此次居林工廠的投資擴(kuò)產(chǎn)將進(jìn)一步鞏固和提升這一領(lǐng)先地位，強(qiáng)化英飛凌整體的競爭優(yōu)勢。這種競爭優(yōu)勢的形成主要依托于英飛凌“從產(chǎn)品到系統(tǒng)”的戰(zhàn)略方針，以及在該方針指導(dǎo)下所實(shí)現(xiàn)的技術(shù)領(lǐng)先性、全面的產(chǎn)品組合以及對應(yīng)用的深刻理解。目前，英飛凌已向3.000多家客戶提供基于碳化硅的半導(dǎo)體產(chǎn)品。yv4esmc

　　居林新廠區(qū)滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)之后，將創(chuàng)造900個(gè)高價(jià)值型就業(yè)崗位。新廠區(qū)計(jì)劃于6月開始施工，在2024年夏季進(jìn)行設(shè)備安裝，首批晶圓將于2024年下半年開始出貨。英飛凌對居林工廠的新增投資主要用于外延工藝和晶圓切割等具有高附加值的環(huán)節(jié)。yv4esmc

　　此外，依計(jì)劃，未來幾年，英飛凌菲拉赫工廠將通過改造現(xiàn)有的硅晶圓制造設(shè)備，進(jìn)一步強(qiáng)化其作為寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)全球能力中心和創(chuàng)新基地的角色。通過重新利用非專用的硅晶圓生產(chǎn)設(shè)備，英飛凌將6英寸和8英寸的硅晶圓生產(chǎn)線轉(zhuǎn)變?yōu)樘蓟韬偷壠骷纳a(chǎn)線。菲拉赫工廠目前正為迎接進(jìn)一步的增長機(jī)會做準(zhǔn)備。yv4esmc

　　與美國高意集團(tuán)簽署供應(yīng)協(xié)議yv4esmc

　　今年9月，英飛凌與高意集團(tuán)簽署了一份多年期碳化硅(SiC)晶圓供應(yīng)協(xié)議。這家總部位于德國的半導(dǎo)體制造商以此進(jìn)一步拓寬碳化硅這一戰(zhàn)略性半導(dǎo)體材料的供應(yīng)渠道，并滿足該領(lǐng)域強(qiáng)勁增長的客戶需求。該協(xié)議還將支持英飛凌的多源采購戰(zhàn)略并提高公司的供應(yīng)鏈彈性。目前首批貨物已經(jīng)交付。yv4esmc

　　此外，作為戰(zhàn)略合作伙伴的高意集團(tuán)和英飛凌還在合力推動向200毫米直徑碳化硅晶圓的發(fā)展過渡。yv4esmc

　　羅姆在日本、歐洲積極擴(kuò)張產(chǎn)能

　　自2010年開始量產(chǎn)SiC功率元器件(SiC SBD、SiC MOSFET)以來，羅姆一直在推進(jìn)業(yè)內(nèi)先進(jìn)的技術(shù)開發(fā)，并較早實(shí)現(xiàn)了全SiC功率模塊和溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn)。不僅如此，在制造方面，還建立了羅姆集團(tuán)引以為豪的垂直統(tǒng)合型生產(chǎn)體制，并通過擴(kuò)大晶圓的口徑和引進(jìn)新設(shè)備來提高生產(chǎn)效率。yv4esmc

　　為增強(qiáng)SiC功率元器件的產(chǎn)能，在ROHM Apollo Co.，Ltd.(總部位于日本福岡縣)筑后工廠投建了新廠房。該廠房于2019年2月開工，于2021年1月舉行了竣工儀式。yv4esmc

　　據(jù)最新報(bào)道，羅姆社長松本功在9月表示，其最早將于年內(nèi)，在日本福岡縣啟用新的生產(chǎn)廠房。新廠房落成后，羅姆碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)能力將提升至過去的6倍水平，其目標(biāo)是到2025財(cái)年，其在全球碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得三成的市場份額。yv4esmc

　　不僅如此，此前，羅姆公布了碳化硅(SiC)投資計(jì)劃。按計(jì)劃，羅姆將在德國紐倫堡的生產(chǎn)子公司SiCrystal加大投入，將使該基地的中期目標(biāo)達(dá)到每年10萬片的產(chǎn)量，同時(shí)實(shí)現(xiàn)九位數(shù)的銷售額。yv4esmc

　　此外，羅姆和賽米控在開發(fā)碳化硅(SiC)功率模塊方面已開展十多年的合作的基礎(chǔ)之上，于今年7月開啟了合作的新征程——羅姆的第4代SiC MOSFET正式被用于賽米控的車規(guī)級功率模塊“eMPack®”。yv4esmc

　　羅姆株式會社董事長松本功表示：“羅姆擁有從裸芯片到封裝產(chǎn)品的豐富碳化硅產(chǎn)品陣容。長期以來，作為先進(jìn)的半導(dǎo)體制造商，羅姆積累了豐厚的技術(shù)實(shí)力。很高興羅姆獲選賽米控車載eMPac®的碳化硅功率元器件供應(yīng)商。”此時(shí)，賽米控宣布已與德國一家大型汽車制造商簽署了10億歐元的合作合同，從2025年起將為這家客戶供應(yīng)這種創(chuàng)新型功率模塊“eMPack®”。yv4esmc

　　羅姆旗下SiCrystal成立25周年yv4esmc

　　羅姆旗下的 SiCrystal GmbH(以下簡稱“SiCrystal”) ，原是一家總部位于德國紐倫堡的SiC(碳化硅)晶圓制造商，通過25年的發(fā)展，目前已將業(yè)務(wù)范圍擴(kuò)大到全世界，并擁有200多名員工。雖然其規(guī)模不是很大，但是其關(guān)鍵技術(shù)已讓該公司已經(jīng)成為SiC晶圓市場的先進(jìn)企業(yè)之一。該公司于1997年4月開始生產(chǎn)SiC晶圓。yv4esmc

　　基于1990年代初期在埃爾朗根-紐倫堡大學(xué)進(jìn)行的研究，于1997年成立了SiCrystal AG(現(xiàn)SiCrystal GmbH)。最初的SiC晶圓開發(fā)和供樣是在上普法爾茨行政區(qū)的Eschenfelden進(jìn)行的。在2000年代初期，公司遷至埃爾朗根市，2009年加入日本電子元器件制造商羅姆集團(tuán)，這也是SiCrystal歷史上的重大轉(zhuǎn)折點(diǎn)。羅姆將SiCrystal作為全資子公司遷至紐倫堡，以確保進(jìn)一步整備開發(fā)和生產(chǎn)體系所需的空間。也正因?yàn)檫@一重要決定的推動作用，使得SiCrystal能大規(guī)模生產(chǎn)晶圓。例如，羅姆旗下的SiCrystal與意法半導(dǎo)體就碳化硅(SiC)晶圓長期供貨事宜達(dá)成協(xié)議。yv4esmc

　　2020年1月，羅姆和意法半導(dǎo)體宣布，雙方就碳化硅(以下簡稱“SiC”)晶圓由羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal GmbH供應(yīng)事宜達(dá)成長期供貨協(xié)議。在SiC功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下，雙方達(dá)成超1.2億美元的協(xié)議，由SiCrystal(當(dāng)時(shí)SiC晶圓生產(chǎn)量歐洲第一)向意法半導(dǎo)體供應(yīng)先進(jìn)的150mm SiC晶圓。yv4esmc

　　日本廠商重金投入忙拓產(chǎn)，歐洲廠商強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合

　　東芝首期將使產(chǎn)能增長2.5倍yv4esmc

　　2021年3月，東芝電子元件及存儲裝置株式會社將通過日本的加賀東芝電子株式會社（Kaga Toshiba Electronics Corporation）建設(shè)300mm晶圓制造廠，擴(kuò)大功率器件的產(chǎn)能。新生產(chǎn)線的量產(chǎn)將于2023財(cái)年上半年開始。新的300mm生產(chǎn)線將用于制造低壓金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。yv4esmc

　　今年2月，東芝宣布將在其位于日本石川縣的主要分立半導(dǎo)體生產(chǎn)基地—加賀東芝電子株式會社(Kaga Toshiba Electronics Corporation)建造一座新的300mm晶圓制造工廠，以擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能。yv4esmc

　　截至目前，東芝已通過提升200mm晶圓生產(chǎn)線產(chǎn)能并將300mm晶圓生產(chǎn)線投產(chǎn)時(shí)間自2023財(cái)年上半年提前至2022財(cái)年下半年，以滿足持續(xù)增長的需求。東芝在新工廠的整體產(chǎn)能和設(shè)備投資、投產(chǎn)、產(chǎn)能以及生產(chǎn)計(jì)劃等方面的決策都將反映市場趨勢。yv4esmc

　　據(jù)悉，新的晶圓制造工廠的建造將分兩個(gè)階段進(jìn)行，以便根據(jù)市場趨勢優(yōu)化投資步伐。第一階段生產(chǎn)計(jì)劃將于2024財(cái)年內(nèi)啟動。當(dāng)?shù)谝浑A段產(chǎn)能滿負(fù)荷時(shí)，東芝的功率半導(dǎo)體產(chǎn)能將達(dá)到2021年度的2.5倍[。yv4esmc

　　不僅如此，新工廠將配備抗震結(jié)構(gòu)和業(yè)務(wù)連續(xù)性計(jì)劃(BCP)強(qiáng)化體系，同時(shí)還計(jì)劃將通過引入人工智能和自動化晶圓運(yùn)輸系統(tǒng)，提高產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率。yv4esmc

　　東芝將根據(jù)市場情況做出進(jìn)一步投資的決定，以增加產(chǎn)量。此外，東芝還將繼續(xù)擴(kuò)大日本半導(dǎo)體株式會社(Japan Semiconductor Corporation)(主要生產(chǎn)系統(tǒng)LSI的制造子公司)在功率器件等分立半導(dǎo)體上的生產(chǎn)。yv4esmc

　　三菱電機(jī)向功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投巨資yv4esmc

　　在2021 年功率器件業(yè)務(wù)的業(yè)務(wù)說明會上，三菱電機(jī)于宣布將在未來五年(至2025年)內(nèi)向功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資 1300 億日元。該公司計(jì)劃在福山工廠(廣島縣福山市)新建一條 12 英寸(300 毫米)晶圓生產(chǎn)線，并計(jì)劃到 2025 年將其產(chǎn)能比 2020 年翻一番。yv4esmc

　　這項(xiàng)投資的一個(gè)典型例子是在福山工廠建設(shè) 8 英寸(200 毫米)和 12 英寸生產(chǎn)線。8英寸生產(chǎn)線于2021年11月開始試運(yùn)行，并計(jì)劃于2022年春季開始量產(chǎn)，12英寸線計(jì)劃是在2024年量產(chǎn)。yv4esmc

　　三菱電機(jī)將其功率器件業(yè)務(wù)的目標(biāo)設(shè)定為——到2025年銷售額2400億日元以上、營業(yè)利潤率10%以上。為此，三菱電機(jī)將高增長的汽車領(lǐng)域和其市場占有率較高的消費(fèi)領(lǐng)域列為重點(diǎn)關(guān)注對象。三菱電機(jī)計(jì)劃兩個(gè)領(lǐng)域按領(lǐng)域銷售的比例將從2020年的 50%提升到到2025年的65%。yv4esmc

　　富士電機(jī)在日本國內(nèi)忙拓產(chǎn)yv4esmc

　　據(jù)日經(jīng)新聞今年7月報(bào)道，富士電機(jī)生產(chǎn)新一代功率半導(dǎo)體的松本工廠(位于長野縣松本市)從2022年度開始陸續(xù)增產(chǎn)，生產(chǎn)的對象即為SiC功率半導(dǎo)體。與此同時(shí)，其子公司富士電機(jī)津輕半導(dǎo)體工廠也將導(dǎo)入SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線，并將在2024年度進(jìn)行量產(chǎn)。yv4esmc

　　此外，富士電機(jī)希望2024年度將新一代功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能提高至2020年度的約10倍。yv4esmc

　　富士電機(jī)還計(jì)劃，至2025年，將SiC功率半導(dǎo)體占其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收占比提高至10%左右;其在全球SiC功率半導(dǎo)體市是占比提升至20%，而時(shí)間節(jié)點(diǎn)就在2025-2026年期間。yv4esmc

　　日立委外代工 強(qiáng)化供應(yīng)yv4esmc

　　據(jù)日經(jīng)新聞道稱，日立在茨城縣日立市、福島縣南相馬市和山梨縣中央市擁有工廠。yv4esmc

　　晶圓處理前工序的約5成在其自有工廠完成，剩余5成交由外部代工。日立希望通過擴(kuò)大代工量(外部代工產(chǎn)量將提高至整體的7成)，讓其產(chǎn)品供應(yīng)量在2024年度前增加7成。yv4esmc

　　報(bào)道還稱，由于投資300毫米的生產(chǎn)設(shè)備成本負(fù)擔(dān)高，日立希望將這部分生產(chǎn)需求更多提供給外部代工。同時(shí)，日立將日本國內(nèi)的自有工廠作為尖端產(chǎn)品量產(chǎn)初期技術(shù)的母工廠進(jìn)行定位。yv4esmc

　　博世半導(dǎo)體部門再投重金yv4esmc

　　2020年5月，博世計(jì)劃于2021年下半年在位于德國高科技中心“硅薩克森州”中心的工廠進(jìn)行首次碳化硅芯片的生產(chǎn)，該工廠將使用直徑為300mm的硅晶圓。2021年12月，博世集團(tuán)宣布于當(dāng)月啟動碳化硅芯片的量產(chǎn)。yv4esmc

　　截止2021年，博世已在羅伊特林根晶圓工廠增建1000平方米無塵車間，并預(yù)計(jì)在2023年底新建3000平方米無塵車間，用于碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)。據(jù)博世方面預(yù)測，預(yù)計(jì)到2025年，隨著產(chǎn)量增加，碳化硅的成本將會與IGBT模塊持平。yv4esmc

　　今年9月，博世宣布，到2026年，計(jì)劃在其半導(dǎo)體部門再投資30億歐元，作為 IPCEI 微電子和通信技術(shù)資助計(jì)劃的一部分。博世計(jì)劃用這筆投資資助的項(xiàng)目之一是在羅伊特林根和德累斯頓建造兩個(gè)新的開發(fā)中心，總成本超過 1.7 億歐元。yv4esmc

　　此外，博世將在未來一年斥資 2.5 億歐元，在其位于德累斯頓的晶圓廠新建一個(gè) 3.000 平方米的潔凈室空間。yv4esmc

　　賽米控和丹佛斯強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合yv4esmc

　　在宣布啟動合并后不到 5 個(gè)月，8 月 22 日，賽米控和丹佛斯硅動力事業(yè)部正式宣布合并獲得批準(zhǔn)。這家功率半導(dǎo)體模塊的全新行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者以賽米控—丹佛斯的名義正式開始運(yùn)營，將共同推動其在電力電子領(lǐng)域的業(yè)務(wù)增長，yv4esmc

　　據(jù)悉，賽米控—丹佛斯公司將由賽米控和丹佛斯集團(tuán)的現(xiàn)有所有者家族所有，其中丹佛斯為大股東。新公司將保留在德國紐倫堡和弗倫斯堡的兩個(gè)基地，且旗下所有全球子公司、生產(chǎn)基地以及分銷渠道將繼續(xù)運(yùn)營。yv4esmc

在11月10-11日由Aspencore主辦的2022 IIC ShenZhen將在深圳大中華交易廣場舉辦，屆時(shí)將有第24 屆高效電源管理及功率器件論壇的精彩觀點(diǎn)與大家一同分享，同期舉辦的還有全球CEO峰會、全球分銷與供應(yīng)鏈領(lǐng)袖峰會、國際工業(yè)4.0 技術(shù)與應(yīng)用論壇，匯聚國內(nèi)外電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖、管理人員、設(shè)計(jì)精英及決策者共同探討電子產(chǎn)業(yè)動向及技術(shù)趨勢等，點(diǎn)擊這里免費(fèi)報(bào)名。yv4esmc