據(jù)TrendForce最新調查顯示，在高通脹影響下，消費性產(chǎn)品需求疲軟，旺季不旺，第三季存儲器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因存儲器需求明顯下滑而延緩采購，導致供應商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供應商為求增加市占的策略不變，市場上已有“第三、四季合并議價”或“先談量再議價”的情形，都是導致第四季DRAM價格跌幅擴大至13~18%的原因。cgSesmc

PC DRAM方面，由于筆電需求疲弱，PC OEM仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營業(yè)利益仍佳的前提下，未有實際減產(chǎn)情形，故位元產(chǎn)出仍持續(xù)升高，供應商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來看，第四季價跌預測皆是13~18%，而DDR5的跌價幅度將大于DDR4。但隨著DDR5的滲透率持續(xù)升高，加上單價較高的特性，第四季DDR5于PC DRAM領域的滲透率將提升至13~15%，使得整體PC DRAM（合并DDR5及DDR4）平均單價略有提升，預估第四季PC DRAM價格季跌約10~15%。cgSesmc

Server DRAM方面，由于新平臺延期導致服務器終端降低采購server DRAM位元數(shù)，并預期第四季服務器整機出貨下滑，加上客戶端server DRAM庫存約9~12周屬偏高水位。同時，由于OEM以及中國云端服務供應商減緩拉貨力道，故原廠轉以著重北美云端服務供應商議價和量，但產(chǎn)出仍無法有效去化，使原廠庫存壓力持續(xù)攀升。此外，除了原先第三季已談定的兩季度綁定合并議價外，亦不排除今年底賣方會再提供買方用更低的價格提前為明年第一季拉貨，第四季DDR4季跌幅恐因此深達13~18%。而DDR5第四季將正式轉為量產(chǎn)狀態(tài)，相較前一季的樣品價會下跌25~30%，但量產(chǎn)初期滲透率僅約5%，故對整體server DRAM（合并DDR5及DDR4）均價影響有限，預估第四季server DRAM跌幅約13~18%。cgSesmc

Mobile DRAM方面，智能手機品牌持續(xù)調節(jié)mobile DRAM庫存，預期至第三季底庫存水位仍有7~9周，且銷售市場仍存變量，故品牌也不斷向下修正年度生產(chǎn)目標，更加劇mobile DRAM庫存去化難度。隨著各廠先進制程比重持續(xù)拉高，貢獻mobile DRAM位元產(chǎn)出上升，而原廠的合并下半年的議價策略并未奏效，品牌客戶需求未因此提升。盡管第四季有蘋果新品提振市場需求，但因先前積累的庫存壓力仍在，加上第四季供給仍有增加，原廠庫存壓力更甚，勢必加大降幅以提升客戶采購意愿，預估第四季mobile DRAM價格跌幅約13~18%，且可能持續(xù)擴大。cgSesmc

Graphics DRAM方面，TrendForce集邦咨詢預期graphics cards將再出現(xiàn)降價，但終端的各類促銷手段也僅能去化原有庫存，對帶動新需求的幫助有限。受買方進行庫存調節(jié)影響，GDDR6 8Gb與16Gb需求皆同步弱化，即便DRAM供應商在第三季已降價但無法刺激買方的采購量，故原廠graphics DRAM庫存持續(xù)堆高，連帶原先的投片量陸續(xù)產(chǎn)出，形成更大的壓力。以第四季來看，雖然GDDR6 8Gb供應商僅剩Samsung（三星）與SK hynix（SK海力士）兩家，但因龐大庫存壓力影響，使得雙方將無法避免地進行削價競爭的搶單行為，故GDDR6 8Gb第四季的跌幅恐高于GDDR6 16Gb，價格跌幅約10~15%。cgSesmc

Consumer DRAM方面，雖網(wǎng)通端受惠于短料緩解，以及歐美地區(qū)的基礎建設升級，使consumer DRAM出貨量較為穩(wěn)定，但難以消除來自其他終端產(chǎn)品的需求下滑；且正值價格下行周期，客戶皆將庫存保持在健康水位，并未積極備貨，預期consumer DRAM需求仍疲弱。受到全年智能手機生產(chǎn)量下修波及，影像傳感器（CIS）需求亦同步下滑，韓廠因此放緩舊制程（DDR3/DDR4）轉進CIS的步伐，導致consumer DRAM位元產(chǎn)出持續(xù)放量，庫存壓力難以削減。由于供過于求情形未緩解，第四季DDR3與DDR4季跌預估為10~15%，整體consumer 第四季價格跌幅為10~15%。cgSesmc