規(guī)定生效時(shí)間為8月15日。這項(xiàng)出口限制規(guī)定并未特別指明針對(duì)中國(guó)，不過(guò)很顯然對(duì)美國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之外的國(guó)家和地區(qū)半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展起到了持續(xù)的抑制作用，是此前出口限制規(guī)定的進(jìn)一步擴(kuò)展。gpqesmc

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4項(xiàng)技術(shù)中比較惹人注目的是其中“特別針對(duì)GAAFET晶體管結(jié)構(gòu)的ECAD軟件”。BIS發(fā)布新聞稿中明確提到，ECAD是用于設(shè)計(jì)、分析、優(yōu)化和驗(yàn)證集成電路或印刷電路板性能的軟件工具；而GAAFET技術(shù)則是未來(lái)半導(dǎo)體尖端制造工藝向3nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)的基礎(chǔ)。這里的ECAD基本可以窄化為我們常說(shuō)的EDA工具。gpqesmc

但部分公眾號(hào)和國(guó)內(nèi)媒體單純將這一事件解讀為“斷供EDA”，甚至將范圍指向全部EDA工具是片面、錯(cuò)誤的。規(guī)定全文參見(jiàn)：Implementation of Certain 2021 Wassenaar Arrangement Decisions on Four Section 1758 Technologiesgpqesmc

主要針對(duì)GAAFET晶體管的EDA工具做出出口限制，對(duì)中國(guó)和更多國(guó)家地區(qū)會(huì)有什么樣的影響呢？EDA作為即將于8月16日、17日舉辦的IIC 2022（國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)）的重要議題，受到普羅大眾的關(guān)注。gpqesmc

由Aspencore主辦的IIC 2022（國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)）將在8月16日于南京國(guó)際博覽中心2號(hào)館舉辦。為期2天的IIC除吸引大量國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體與集成電路相關(guān)企業(yè)參與展會(huì)，同期還將舉辦2022中國(guó)IC領(lǐng)袖峰會(huì)、2022國(guó)際“碳中和”電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇、MCU技術(shù)與應(yīng)用論壇、高效電源管理及寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用論壇、EDA/IP與IC設(shè)計(jì)論壇，以及2022中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮。點(diǎn)擊這里報(bào)名參會(huì)。gpqesmc

GAAFET代表了半導(dǎo)體的未來(lái)

我們?cè)?u>此前的文章中多番解讀過(guò)預(yù)計(jì)明年就會(huì)大規(guī)模上市的3nm工藝——其中三星（Samsung Foundry）將在3nm這代工藝節(jié)點(diǎn)上采用GAAFET結(jié)構(gòu)的晶體管。gpqesmc

晶體管結(jié)構(gòu)隨著半導(dǎo)體制造工藝的進(jìn)步，也經(jīng)過(guò)了多次迭代。20nm工藝以前，平面結(jié)構(gòu)的Planar FET晶體管占據(jù)半導(dǎo)體制造技術(shù)的主流。但節(jié)點(diǎn)發(fā)展到20nm工藝之際，因?yàn)榫w管越來(lái)越小，短溝道效應(yīng)開(kāi)始凸顯，也就無(wú)法進(jìn)行有效的靜電控制。gpqesmc

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來(lái)源：Lam Researchgpqesmc

所以FinFET結(jié)構(gòu)晶體管出現(xiàn)了，“Fin”（鰭）伸了出來(lái)，如上圖所示。這種結(jié)構(gòu)有效增大了溝道接觸面積。只要把Fin做得更高，就能達(dá)成更寬的有效寬度來(lái)提升輸出電流。gpqesmc

但在時(shí)代進(jìn)入到3nm節(jié)點(diǎn)前后，F(xiàn)inFET結(jié)構(gòu)也開(kāi)始暴露出問(wèn)題。首先是隨著gate length的進(jìn)一步變短，F(xiàn)inFET結(jié)構(gòu)也很難再提供有效的靜電控制。與此同時(shí)，要把單元（cell）結(jié)構(gòu)進(jìn)一步縮小，F(xiàn)in的數(shù)量也要減，問(wèn)題就變得更大了。gpqesmc

說(shuō)到底都是在晶體管持續(xù)變小的過(guò)程里，性能越來(lái)越難以保證。于是GAAFET結(jié)構(gòu)出現(xiàn)：相當(dāng)于把原來(lái)FinFET的Fin水平橫置出來(lái)，以前叫做Fin，掉個(gè)方向就叫nanosheet（所以GAAFET也叫nanosheet FET）。由于nanosheet被gate（柵極）四面環(huán)抱，所以就叫g(shù)ate-all-around FET（GAAFET），接觸面積自然也就更大了。gpqesmc

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來(lái)源：三星 via WikiChipgpqesmc

三星準(zhǔn)備在很快要大規(guī)模量產(chǎn)的3nm工藝上采用GAAFET結(jié)構(gòu)晶體管；而臺(tái)積電和Intel對(duì)于這種結(jié)構(gòu)的采用會(huì)推遲到2nm——這兩家都認(rèn)為FinFET在3nm節(jié)點(diǎn)上仍有性能挖掘的潛力。從臺(tái)積電的計(jì)劃表來(lái)看，2nm GAAFET晶體管的大規(guī)模量產(chǎn)大約是在2025年末。所以GAAFET可說(shuō)是尖端制造工藝的未來(lái)。gpqesmc

哪些芯片會(huì)受到影響

對(duì)于芯片設(shè)計(jì)企業(yè)而言，如果要用上GAAFET晶體管，自然也就需要對(duì)應(yīng)的EDA工具來(lái)協(xié)助芯片設(shè)計(jì)——畢竟晶體管都那么小了，總不至于每個(gè)晶體管、布局布線都手動(dòng)完成吧。而EDA技術(shù)的核心暫時(shí)掌握在美國(guó)的幾個(gè)主要企業(yè)（Synopsys、Cadence、西門(mén)子EDA）手里。gpqesmc

臺(tái)積電、三星之類(lèi)的foundry廠自然也會(huì)第一時(shí)間與美國(guó)的三大家EDA企業(yè)聯(lián)手，面向芯片設(shè)計(jì)客戶(hù)推EDA工具。過(guò)去一年我們就聽(tīng)到了不少類(lèi)似的新聞。gpqesmc

那么美國(guó)商務(wù)部BIS宣布對(duì)這一類(lèi)EDA工具做出口限制，自然對(duì)于其他國(guó)家需要用到GAAFET晶體管來(lái)實(shí)施芯片方案的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，造成了很大的影響。那么近未來(lái)究竟哪些芯片會(huì)率先應(yīng)用GAAFET結(jié)構(gòu)的晶體管呢？gpqesmc

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通常尖端制造工藝的成本非常高，所以需要巨大的量來(lái)攤薄制造和設(shè)計(jì)成本。像臺(tái)積電這樣的企業(yè)，2022年的CapEx成本投入預(yù)計(jì)就要達(dá)到440億美元——而且其2nm GAAFET工藝在這其中暫時(shí)還只占到很小一部分，未來(lái)幾年GAAFET晶體管制造技術(shù)的持續(xù)投入只會(huì)讓這個(gè)數(shù)字更夸張。gpqesmc

所以短期內(nèi)用得起GAAFET晶體管的只會(huì)是那些量非常大的芯片，比如說(shuō)PC與手機(jī)的CPU、數(shù)據(jù)中心的GPU和AI芯片、還有受眾與應(yīng)用范圍很廣的FPGA大芯片。實(shí)際上，我們認(rèn)為先期GAAFET剛剛大規(guī)模量產(chǎn)之際，汽車(chē)大芯片都暫時(shí)不大可能應(yīng)用這種先進(jìn)的晶體管，而至少需要等成本的下降。gpqesmc

現(xiàn)階段有能力造GAAFET晶體管的foundry廠暫時(shí)就只有三星、臺(tái)積電和Intel。有關(guān)三星3nm GAAFET工藝技術(shù)，我們此前做過(guò)多次分析。預(yù)計(jì)三星的這一代工藝在性能表現(xiàn)上不會(huì)比臺(tái)積電3nm FinFET工藝強(qiáng)。gpqesmc

那么實(shí)則就短期來(lái)看（或者至少2026年以前），美國(guó)商務(wù)部BIS的這項(xiàng)暫行規(guī)定暫時(shí)不會(huì)表現(xiàn)出多大的威力。但基于芯片設(shè)計(jì)12-18個(gè)月的周期，未來(lái)1-2年內(nèi)該出口限制規(guī)定就會(huì)事實(shí)上造成持續(xù)的影響。gpqesmc

在國(guó)際局勢(shì)和大環(huán)境如此多變的現(xiàn)實(shí)世界里，這項(xiàng)新規(guī)至少造成了行業(yè)更大的不確定性。gpqesmc

區(qū)域化趨勢(shì)的持續(xù)與擴(kuò)散

實(shí)際早在本月月初，國(guó)外媒體就報(bào)道過(guò)拜登政府可能將實(shí)施一項(xiàng)新的出口禁令，針對(duì)尖端芯片制造工藝的EDA軟件工具。所以這次的新規(guī)出現(xiàn)并不讓人感覺(jué)意外。雖然當(dāng)時(shí)美國(guó)商務(wù)部和白宮并未對(duì)此作出回應(yīng)，而且這項(xiàng)新規(guī)也并未提到指向中國(guó)，但中美雙方的對(duì)抗局勢(shì)并不是近期才形成的。gpqesmc

美國(guó)針對(duì)芯片制造工具的出口限制也已經(jīng)不是第一次了，不僅是EDA，諸如更上游的裝備、材料等均有類(lèi)似的情況發(fā)生。這樣的規(guī)定對(duì)中國(guó)當(dāng)然是個(gè)壞消息，畢竟對(duì)尖端技術(shù)做出技術(shù)封鎖，中短期內(nèi)針對(duì)某一國(guó)家或地區(qū)產(chǎn)生的影響會(huì)是深遠(yuǎn)的，尤其GAAFET晶體管涉及到了摩爾定律的持續(xù)邁進(jìn)。長(zhǎng)期來(lái)看，以中國(guó)為代表的國(guó)家地區(qū)也必然尋求技術(shù)突破來(lái)對(duì)抗這樣不合理的霸道規(guī)則。gpqesmc

而這樣的技術(shù)封鎖也會(huì)造成半導(dǎo)體行業(yè)現(xiàn)如今區(qū)域化（Regionalization/Localization）趨勢(shì)的進(jìn)一步加深。原本作為一個(gè)全球化、需要全球協(xié)作的產(chǎn)業(yè)，當(dāng)前正因?yàn)楦鞣綘?zhēng)端造成反全球化現(xiàn)狀。不僅是中國(guó)，韓國(guó)、日本、歐洲等地市場(chǎng)環(huán)境的這一趨勢(shì)也正愈演愈烈。更自主地掌握更全面的技術(shù)，似乎已經(jīng)成為全行業(yè)的一大議題。gpqesmc

對(duì)半導(dǎo)體與電子科技產(chǎn)業(yè)的主題討論，很快將在下周的IIC 2022（國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)）上展開(kāi)。EDA作為其中的重要一環(huán)也將成為本次研討會(huì)的核心組成部分。gpqesmc

由Aspencore主辦的IIC 2022（國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)）將在8月16日于南京國(guó)際博覽中心2號(hào)館舉辦。為期2天的IIC除吸引大量國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體與集成電路相關(guān)企業(yè)參與展會(huì)，同期還將舉辦2022中國(guó)IC領(lǐng)袖峰會(huì)、2022國(guó)際“碳中和”電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇、MCU技術(shù)與應(yīng)用論壇、高效電源管理及寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用論壇、EDA/IP與IC設(shè)計(jì)論壇，以及2022中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮。點(diǎn)擊這里報(bào)名參會(huì)，與150+知名展商、國(guó)內(nèi)外行業(yè)大咖相聚六朝古都。gpqesmc