驅(qū)動(dòng)器芯片

3月28日，英飛凌科技推出了新一代EiceDRIVER 2EDN柵極驅(qū)動(dòng)器芯片系列。新器件是對(duì)現(xiàn)有2EDN驅(qū)動(dòng)器芯片產(chǎn)品線(xiàn)的補(bǔ)充，可減少外接組件的數(shù)量，并節(jié)省設(shè)計(jì)空間，從而實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率、卓越的功率密度和持續(xù)的系統(tǒng)穩(wěn)健性。隨著新產(chǎn)品的推出，2EDN系列驅(qū)動(dòng)器芯片可廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、電信設(shè)備、DC-DC轉(zhuǎn)換器、工業(yè)SMPS、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、電機(jī)控制、低速輕型電動(dòng)汽車(chē)、電動(dòng)工具、LED照明和太陽(yáng)能系統(tǒng)等應(yīng)用中，提升功率開(kāi)關(guān)器件的性能。WPEesmc

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新一代EiceDRIVER 2EDN驅(qū)動(dòng)器芯片系列包括穩(wěn)定可靠的雙通道低邊4A/5A柵極驅(qū)動(dòng)器IC。它不僅適用于高速功率MOSFET，還適用于基于寬禁帶（WBG）材料的開(kāi)關(guān)器件。這些柵極驅(qū)動(dòng)器可以助力工程師滿(mǎn)足不同封裝尺寸的設(shè)計(jì)要求，確保系統(tǒng)在進(jìn)入欠壓閉鎖(UVLO)狀態(tài)之前安全關(guān)斷，并加快UVLO功能的響應(yīng)速度，從而確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行，增強(qiáng)抗干擾能力。WPEesmc

新一代EiceDRIVER 2EDN驅(qū)動(dòng)器芯片系列共有14款器件，采用了各種不同的封裝形式。除了可兼容、可替代互換的8引腳DSO、TSSOP和WSON封裝之外，英飛凌現(xiàn)在還提供超小尺寸的6引腳SOT23封裝（2.8x2.9mm²）和TSNP封裝（1.1x1.5mm²）。SOT23和TSNP封裝取消了不常使用的使能（EN）信號(hào)，因而能夠有效節(jié)省空間、優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，從而提高功率密度，并提升板上溫度循環(huán)（TCoB）的穩(wěn)健性。WPEesmc

CDR發(fā)射芯片

Semtech推出全新的Tri-Edge GN2555和GN2556芯片。新產(chǎn)品是Semtech Tri-Edge時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)（CDR）集成激光驅(qū)動(dòng)器的芯片組，是專(zhuān)為下一代數(shù)據(jù)中心長(zhǎng)距離(LR)光鏈路傳輸打造的電芯片解決方案。WPEesmc

GN2555是一款集成直接調(diào)制激光(DML)驅(qū)動(dòng)器的四通道50G PAM4 CDR，而GN2556是一款內(nèi)置外部調(diào)制激光(EML)驅(qū)動(dòng)器的四通道50G PAM4 CDR。GN2555和GN2556完全符合IEEE 802.3bs和Open Eye MSA標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議和規(guī)范。據(jù)介紹，新產(chǎn)品是基于Semtech的Tri-Edge PAM4 CDR技術(shù)研發(fā)的，該模擬CDR技術(shù)是一種可靠且經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的數(shù)據(jù)中心光模塊電芯片解決方案。CDR與激光驅(qū)動(dòng)器的集成，為光模塊客戶(hù)提供了更低的功耗、更小的尺寸和更低的成本。此外，GN2555 DML驅(qū)動(dòng)器和GN2556 EML驅(qū)動(dòng)器獨(dú)有的激光補(bǔ)償專(zhuān)利技術(shù)，可以為數(shù)據(jù)中心互連帶來(lái)更多的低成本激光器選擇。WPEesmc

SoC

Microchip Technology（美國(guó)微芯科技公司）通過(guò)旗下子公司冠捷半導(dǎo)體（SST）宣布，其SuperFlash memBrain神經(jīng)形態(tài)存儲(chǔ)器解決方案為知存科技（WITINMEM）神經(jīng)處理SoC解決了這一難題。這是首款批量生產(chǎn)的SoC，可使亞毫安級(jí)系統(tǒng)在開(kāi)機(jī)后立即實(shí)時(shí)降低語(yǔ)音噪音并識(shí)別數(shù)以百計(jì)的指令詞。WPEesmc

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Microchip與知存科技合作，將Microchip基于SuperFlash技術(shù)的memBrain模擬內(nèi)存計(jì)算解決方案整合到知存科技的超低功耗SoC中。該SoC采用用于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理的存算一體技術(shù)，包括語(yǔ)音識(shí)別、聲紋識(shí)別、深度語(yǔ)音降噪、場(chǎng)景檢測(cè)和健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)。知存科技目前正在與多個(gè)客戶(hù)合作，將在2022年向市場(chǎng)推出基于該SoC的產(chǎn)品。WPEesmc

轉(zhuǎn)換器

3月25日，Teledyne e2v推出經(jīng)太空認(rèn)證的EV12AQ600，這是其擁有QML-Y太空認(rèn)證的高性能產(chǎn)品組合中的四核多通道ADC。WPEesmc

EV12AQ600是一款QML-Y高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器。它支持高達(dá)6.4GSP的采樣率，這也是世界上用于太空應(yīng)用的最高采樣率之一。它有7GHz的模擬帶寬和許多優(yōu)秀性能，比如可以將ADC從1個(gè)通道轉(zhuǎn)換為4個(gè)通道的交叉點(diǎn)開(kāi)關(guān)，采樣延遲調(diào)整，以及簡(jiǎn)單的多芯片同步功能。它已經(jīng)成功地通過(guò)了高達(dá)150Krad的輻射測(cè)試，實(shí)現(xiàn)宇航認(rèn)證。WPEesmc

據(jù)介紹，由于EV12AQ600 ADC中嵌入的功能，航天系統(tǒng)制造商將能夠簡(jiǎn)化其設(shè)計(jì)，減少其電路板上的組件數(shù)量，并受益于獨(dú)特的四輸入開(kāi)關(guān)的靈活性。再加上可靠的輻射性能，這將減小尺寸、重量和功率(SWaP)并提高下一代太空系統(tǒng)的可重構(gòu)性，從而產(chǎn)生重大影響。WPEesmc

IGBT

3月21日，英飛凌科技推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專(zhuān)門(mén)針對(duì)分立式汽車(chē)牽引逆變器進(jìn)行了優(yōu)化，進(jìn)一步豐富了英飛凌車(chē)規(guī)級(jí)分立式高壓器件的產(chǎn)品陣容。得益于其出色的品質(zhì)，EDT2 IGBT符合并超越了車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體分立器件應(yīng)力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)AECQ101，因而能夠大幅提升逆變器系統(tǒng)的性能和可靠性。該IGBT采用汽車(chē)級(jí)微溝槽場(chǎng)中止單元設(shè)計(jì)，所用技術(shù)已成功應(yīng)用于EasyPACK 2B EDT2和HybridPACK等多款逆變器模塊。WPEesmc

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為了滿(mǎn)足目標(biāo)應(yīng)用的要求，英飛凌新推出的EDT2 IGBT產(chǎn)品系列具備出色的抗短路能力。此外，它所采用的TO247PLUS封裝具有更大的爬電距離，更有利于進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)。同時(shí)，EDT2技術(shù)專(zhuān)門(mén)針對(duì)牽引逆變器進(jìn)行了優(yōu)化，擊穿電壓為750V，可支持高達(dá)470 VDC的電池電壓，并顯著降低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗。WPEesmc

碳化硅MOSFET

Microchip（微芯科技）宣布擴(kuò)大其碳化硅產(chǎn)品組合，推出業(yè)界導(dǎo)通電阻【RDS(on)】最低的3.3kV碳化硅MOSFET和額定電流最高的碳化硅SBD，讓設(shè)計(jì)人員可以充分利用其耐用性、可靠性和性能。Microchip擴(kuò)大的碳化硅產(chǎn)品組合為電氣化交通、可再生能源、航空航天和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員開(kāi)發(fā)更小、更輕和更高效的解決方案提供了便利。WPEesmc

許多基于硅的設(shè)計(jì)在提高效率、降低系統(tǒng)成本和應(yīng)用創(chuàng)新方面已經(jīng)達(dá)到極限。雖然高壓碳化硅為實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)提供了一種有效的替代方案，但到目前為止，3.3 kV碳化硅功率器件的市場(chǎng)供應(yīng)仍然有限。Microchip已能提供700V、1200V和1700V裸片、分立器件、模塊和數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器等碳化硅解決方案， 3.3 kV MOSFET和SBD的加入使這一系列解決方案更加豐富。WPEesmc

Microchip的3.3 kV碳化硅功率器件包括業(yè)界最低導(dǎo)通電阻為25毫歐（mOhm）的MOSFET和業(yè)界最高額定電流為90安培的SBD。MOSFET和SBD均提供裸片或封裝形式。這些更強(qiáng)的性能水平能夠幫助設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，創(chuàng)建功率更高的系統(tǒng)，并使用更少的并聯(lián)元件來(lái)實(shí)現(xiàn)更小、更輕和更高效的電源解決方案。WPEesmc

電阻器

3月28日，Vishay推出0805外形尺寸小型器件，擴(kuò)充其TNPV e3系列汽車(chē)級(jí)高壓薄膜扁平片式電阻器。該是業(yè)內(nèi)先進(jìn)的0805外形尺寸小型器件，工作電壓達(dá)450V，公差低至± 0.1%，TCR僅為±10 ppm/K。WPEesmc

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TNPV0805 e3體積小、電壓高，可替換較大封裝的電阻和多個(gè)相似外形尺寸的器件，且不影響精度，減少元件數(shù)量，節(jié)省電路板空間，降低成本。器件經(jīng)過(guò)AEC-Q200認(rèn)證，典型應(yīng)用包括汽車(chē)和工業(yè)逆變器電壓測(cè)量、電池管理系統(tǒng)分壓器、車(chē)載充電器以及測(cè)試測(cè)量設(shè)備。WPEesmc

TNPV e3系列電阻外形尺寸分別為0805、1206和1210，阻值為121k至3.01M，工作溫度-55℃至+155℃、最大外形尺寸器件工作電壓最高可達(dá)1000 V。電阻在各種環(huán)境條件下非常穩(wěn)定可靠，額定功率和+70℃環(huán)境溫度下，1000小時(shí)最大電阻變化率≤0.05%，具有優(yōu)異的防潮性（85℃，85%相對(duì)濕度），耐硫能力符合ASTM B 80規(guī)定。WPEesmc

電感器

3月2日，Vishay推出新型商用版汽車(chē)級(jí)5mm x 5mm x 3.4mm 2020外形尺寸器件——IHLE-2020CD-51和IHLE-2020CD-5A，擴(kuò)充IHLE系列超薄、大電流電感器，其集成式電場(chǎng)屏蔽可減小EMI。新產(chǎn)品外型尺寸在市場(chǎng)上同類(lèi)器件中處于先進(jìn)水平，不需要單獨(dú)板級(jí)法拉第（Faraday）屏蔽，從而降低成本，節(jié)省電路板空間。WPEesmc

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該電感器采用銅鍍錫集成式屏蔽罩遏制EMI產(chǎn)生的電場(chǎng)和磁場(chǎng)，集成式屏蔽罩接地時(shí)，1cm處（電感器中心位置上方）電場(chǎng)可減小-20 dB。電感器可在+155℃高溫下工作，4個(gè)引腳共面性小于100µm，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器儲(chǔ)能，頻率最高可達(dá)3MHz，在電感器自諧振頻率（SRF）范圍內(nèi)大電流濾波應(yīng)用中具有出色的噪音衰減性能。WPEesmc

IHLE-2020CD-51應(yīng)用領(lǐng)域包括服務(wù)器和桌面PC、筆記本電腦、大電流負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器、小型大電流電源、FPGA以及電池供電設(shè)備。IHLE-2020CD-5A通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證，適用于汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)和傳動(dòng)控制單元、娛樂(lè)/導(dǎo)航系統(tǒng)、LED驅(qū)動(dòng)器、儀表盤(pán)、ADAS器件/傳感器、PWM控制電機(jī)噪聲抑制。WPEesmc

電感器封裝采用100%無(wú)鉛（Pb）屏蔽復(fù)合結(jié)構(gòu)，噪聲減小到極低水平，具有高抗熱沖擊、耐潮濕和抗機(jī)械振動(dòng)能力，可無(wú)飽和處理高瞬變電流尖峰。IHLE-2020CD-5和IHLE-2020CD-5A符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。WPEesmc