國際電子商情21日訊 市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights日前對《2022 McClean Report》的做了更新。此次更新還包含了對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本支出預(yù)測，以及對未來的半導(dǎo)體產(chǎn)能、DRAM、閃存、MCU、MPU和模擬芯片細(xì)分市場做了詳細(xì)預(yù)測。pb0esmc
機(jī)構(gòu)預(yù)測，2022年NAND閃存資本支出將增長8%至299億美元，超過2018年278億美元的歷史最高記錄（如下圖）。閃存資本支出在2017年飆升，當(dāng)時(shí)該行業(yè)正向3D NAND轉(zhuǎn)型，此后每年都超過200億美元。2022年，閃存的資本支出預(yù)計(jì)將增至299億美元，因?yàn)榇笮凸?yīng)商和小型供應(yīng)商將保持適度激進(jìn)的支出水平。pb0esmc
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圖自：IC Insightspb0esmc
299億美元的支出占2022年整個(gè)集成電路行業(yè)資本支出1904億美元的16%，僅落后于晶圓代工行業(yè)，這一部分預(yù)計(jì)將占2022年行業(yè)資本支出的41%。pb0esmc
新建和最近升級的NAND閃存工廠包括三星的Pyeongtaek Lines1和2（也用于DRAM和代工）；三星在西安的二期投資；鎧俠在日本巖手的Fab6和FabK1，以及美光在新加坡的第三家閃存工廠。此外，SK海力士為其M15工廠的剩余空間配備了NAND閃存。pb0esmc
在預(yù)測期內(nèi)，隨著NAND閃存供應(yīng)商準(zhǔn)備從2022年底到2023年進(jìn)入200層以上設(shè)備的競爭，將需要新的晶圓廠和新設(shè)備。pb0esmc
到2022年晚些時(shí)候，三星和美光可能是第一批開始量產(chǎn)的公司。兩家公司以及SK海力士目前都在量產(chǎn)176層NAND。三星位于中國西安的晶圓廠是（并將成為）領(lǐng)先NAND的關(guān)鍵制造基地，擁有兩個(gè)晶圓廠，每個(gè)晶圓廠全面投產(chǎn)后每月可生產(chǎn)120,000片晶圓。隨著對企業(yè)存儲應(yīng)用的日益關(guān)注，SK海力士預(yù)計(jì)將在2023年遷移到196層。pb0esmc
責(zé)編：Elaine
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