上周，外媒消息稱，由于美國不希望讓更多先進半導(dǎo)體設(shè)備進入中國，SK Hynix 原本擬定的在無錫半導(dǎo)體工廠引入ASML的EUV光刻機來提高工藝技術(shù)的穩(wěn)定性的計劃可能就此擱淺。2ayesmc
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對此，韓媒BusinessKorea 23日報道指出，SK Hynix的CEO李錫熙22日在一場活動中就關(guān)于引進EUV設(shè)備計劃進展表示：“我們還有足夠的時間，所以我們將通過與美國政府的合作，把設(shè)備引進到該工廠。”2ayesmc
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據(jù)悉，這家韓國存儲芯片巨頭在今年7月宣布，開始在韓國利川工廠使用EUV光刻設(shè)備量產(chǎn)基于1a納米級工藝的8G LPDDR4移動DRAM芯片，與第三代1znm內(nèi)存芯片相比，1a技術(shù)在相同的晶圓面積下，生產(chǎn)的芯片數(shù)量可以增加25%。2ayesmc
當(dāng)被問及是否允許SK Hynix向中國工廠引進 EUV設(shè)備時，一名白宮官員拒絕置評，但重申美國政府堅持避免被中國利用美國及其盟國技術(shù)開發(fā)尖端半導(dǎo)體這一立場不會改變。2ayesmc
美方態(tài)度強硬
韓聯(lián)社22日報道指出，美國貿(mào)易代表Katherine Tai在韓國CBS電臺采訪中就此事表示，美國阻止了有關(guān)公司向中國引進相關(guān)設(shè)備，是基于“若中國將此項技術(shù)運用于提高軍事能力，對美國產(chǎn)生安全威脅”的擔(dān)憂。2ayesmc
被問及美方是否會以安全為由將限制中國企業(yè)引進技術(shù)和裝備的措施擴大至半導(dǎo)體以外的其他領(lǐng)域時，她回答說，國家安全雖與軍事和國防有關(guān)，但其涉及的范圍可能會更廣。2ayesmc
對于韓方夾在中美之間立場，Katherine Tai則表示，此次訪韓過程中了解了一些有關(guān)情況，知曉韓方的難處，“但我們都生活在經(jīng)濟一體化時代，需要攜手應(yīng)對挑戰(zhàn)課題。”2ayesmc
值得一提的是，三星電子也在中國有存儲器工廠，位于西安市，但由于是生產(chǎn)NAND芯片的專用工廠，目前為止并不需要EUV設(shè)備。這是因為，在NAND領(lǐng)域，企業(yè)圍繞使存儲組件縱向迭加的“三維技術(shù)”展開競爭，即使沒有將半導(dǎo)體電路線寬縮小至極限的“微細化”所需的EUV設(shè)備，也能夠量產(chǎn)尖端產(chǎn)品。2ayesmc
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