半導(dǎo)體市場(chǎng)趨勢(shì)研究公司 Yole Développement 預(yù)測(cè)，全球外延生長(zhǎng)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將從2020年的6.9億美元增長(zhǎng)到2026年的11億美元。0Dqesmc
這些設(shè)備包括常規(guī)/微型LED、激光/光電探測(cè)器、射頻器件、SiC/SiC/GaN功率器件、用于MEMS制造的MOCVD、MBE（金屬束外延生長(zhǎng)器件）和Si/SiC HTCVD。0Dqesmc
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外延生長(zhǎng)設(shè)備類(lèi)型0Dqesmc
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擁有最大市場(chǎng)規(guī)模的設(shè)備是 MOCVD，預(yù)計(jì)將以 7% 的年復(fù)合增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，到 2026 年將達(dá)到 6.3 億美元。HTCVD市場(chǎng)規(guī)模排名第二，預(yù)計(jì)將以9.5%的年復(fù)合增長(zhǎng)率增長(zhǎng)至3.93億美元。第三是MBE市場(chǎng)，預(yù)計(jì)到2026年將以7.1%的年復(fù)合增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，達(dá)到6800萬(wàn)美元。0Dqesmc
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不同襯底材料的外延生長(zhǎng)設(shè)備市場(chǎng)的增長(zhǎng)趨勢(shì) 資料來(lái)源于Yole Développement0Dqesmc
在半導(dǎo)體襯底材料方面，氮化鎵（GaN）材料是繼硅襯底之后的主要外延市場(chǎng)，預(yù)計(jì)到2026年，GaN的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到4.02億美元，2026年，碳化硅（SiC）襯底等寬禁帶材料也將達(dá)到2.39億美元。0Dqesmc
德國(guó)AIXTROM是后摩爾定律下外延生長(zhǎng)設(shè)備銷(xiāo)量最高的公司，市場(chǎng)份額為39%。排名第二的是美國(guó)的Veeco，占有 12% 的份額。中微半導(dǎo)體以11%的份額位居第三，僅前三名公司的銷(xiāo)售額就占全球市場(chǎng)的60%以上。0Dqesmc
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外延生長(zhǎng)設(shè)備企業(yè)銷(xiāo)量排名 資料來(lái)源于Yole Développement0Dqesmc
MOCVD 和 MBE 主要用于 GaAs、GaN 和 InP 等化合物半導(dǎo)體材料，而 HTCVD 用于 Si 和 SiC 基器件。HTCVD SiC的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者是TEL，HTCVD Si的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者是AMAT，MBE的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者是RIBER。目前，外延生長(zhǎng)設(shè)備的主要應(yīng)用領(lǐng)域是GaN/SiC/Si功率器件和VCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser），但五年后，Yole預(yù)計(jì)外延生長(zhǎng)設(shè)備應(yīng)用將轉(zhuǎn)向功率器件和Micro LED 。0Dqesmc
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2020-2026年外延生長(zhǎng)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模及主要應(yīng)用器件轉(zhuǎn)換預(yù)測(cè) 資料來(lái)源于Yole Développement0Dqesmc
責(zé)編：胡安0Dqesmc
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