2021年10月20日，納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）在納斯達(dá)克上市，股票代碼NVTS。作為全球首家以氮化鎵功率芯片（GaN Power IC)為核心業(yè)務(wù)的上市企業(yè)，納微半導(dǎo)體的上市意味著GaN的商業(yè)化之路更進(jìn)一步。Jc5esmc

在最近的納微半導(dǎo)體納斯達(dá)克上市媒體溝通會上，納微半導(dǎo)體副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理查瑩杰向《國際電子商情》等媒體透露了公司上市之后將要重點(diǎn)發(fā)力的業(yè)務(wù)方向。Jc5esmc

Jc5esmc

納微半導(dǎo)體副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理查瑩杰Jc5esmc

成立七年成功上市

10月20日，納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Gene Sheridan、首席運(yùn)營官兼首席技術(shù)官Dan Kinzer及應(yīng)用和技術(shù)營銷副總裁Jason Zhang等高層在紐約納斯達(dá)克MarketSite見證了納微半導(dǎo)體的敲鐘時刻。作為首家專注于氮化鎵功率芯片業(yè)務(wù)的上市公司，納微半導(dǎo)體用實(shí)際行動證實(shí)了GaN可行的商業(yè)化之路。讓人不得不關(guān)注的是，從注冊成立到成功上市，這家公司只用了七年時間。Jc5esmc

2013年，Gene Sheridan、Dan Kinzer及Jason Zhang共同創(chuàng)立了納微半導(dǎo)體，他們有超過30年的共事經(jīng)歷，并共同創(chuàng)造了很多成就。從1978年到2015年，納微創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體、單晶、硅基氮化鎵領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了一系列首創(chuàng)發(fā)明——2002年首個商用功率硅基氮化鎵項(xiàng)目、2014年首個商用氮化鎵功率芯片的發(fā)明以及2015年首個氮化鎵工業(yè)芯片工藝設(shè)計工具包的發(fā)明……這些發(fā)明不止是代表納微的行業(yè)地位的力證，也展現(xiàn)了納微產(chǎn)品性能和競爭優(yōu)勢。Jc5esmc

查瑩杰自豪地說：“納微是全球首家在7年內(nèi)從初創(chuàng)做到上市，且企業(yè)價值突破10億美金的功率半導(dǎo)體公司。我們通過技術(shù)革命為行業(yè)帶來了巨變。”Jc5esmc

記者注意到，納微是通過SPAC（特殊目的收購公司）來實(shí)現(xiàn)上市。對此，查瑩杰解釋說：“這與大環(huán)境有關(guān)，現(xiàn)在SPAC上市在美國特別火，近兩年有80%以上的美企通過這種方式上市。”Jc5esmc

上市帶來給納微的優(yōu)勢在于——首先，通過公開更多市場判斷、營收預(yù)測數(shù)據(jù)，讓更多人了解氮化鎵技術(shù)；其次，納微已經(jīng)獲得了超過3.2億美金的交易總收益，這將加快公司進(jìn)入數(shù)據(jù)中心、太陽能和電動汽車等更高功率市場的速度。Jc5esmc

據(jù)納微半導(dǎo)體的財報數(shù)據(jù)顯示：2020年公司的毛利率為33%。2021年的毛利率目標(biāo)是46%。隨著新一代產(chǎn)品的不斷推出，包括在工業(yè)和汽車領(lǐng)域的供應(yīng)鏈的優(yōu)化，公司未來的毛利率有望達(dá)到51%-55%。今年，納微預(yù)期的營收目標(biāo)是2700萬美金，2022年的目標(biāo)是7000萬美金。Jc5esmc

在未來產(chǎn)品布局方面，查瑩杰簡要透露了納微未來幾年內(nèi)的產(chǎn)品發(fā)展方向。他介紹說：“預(yù)計到2023年，我們的海外數(shù)據(jù)中心客戶進(jìn)入量產(chǎn)。到2022年底，我們的車規(guī)級GaN器件完成AC認(rèn)證和測試，2025年將進(jìn)入大規(guī)模的量產(chǎn)。”Jc5esmc

納微在中國的發(fā)展

中國是當(dāng)前第三代功率器件的重要市場，也是相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的兵家必爭之地。在GaN上面有發(fā)力的TI、英飛凌、ST、NXP等巨頭，都有在積極加大對中國市場的投入。專注于GaN業(yè)務(wù)的納微半導(dǎo)體也不例外，據(jù)了解，目前納微有60多位中國員工，占全球總員工人數(shù)的40%以上，同時納微70%以上的營收來自中國。Jc5esmc

• 2018年，納微在深圳成立首個中國公司，當(dāng)時納微中國只有兩位員工。到今年10月，納微深圳搬遷到了新辦公室，新辦公室面積達(dá)到了1000平方米。為響應(yīng)客戶端的發(fā)展要求，支持小米、OPPO、戴爾、LG等客戶，納微把小功率應(yīng)用團(tuán)隊(duì)放在了深圳。
• 2018年，納微在杭州成立了應(yīng)用設(shè)計中心。由于與浙大有深度合作，納微決定把首個數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器設(shè)計團(tuán)隊(duì)放在杭州，這也是納微2022年重要的發(fā)力點(diǎn)。
• 2019年，納微成立上海辦公室，是芯片設(shè)計團(tuán)隊(duì)以及汽車事業(yè)部總部。與此同時，從今年四季度開始，納微在上海設(shè)立了首個全球電動汽車應(yīng)用產(chǎn)品研發(fā)中心，未來會有更多電動汽車領(lǐng)域的專家加入納微。
• 2020年，納微在臺北設(shè)立了辦公室，業(yè)務(wù)包括產(chǎn)品銷售、技術(shù)支持等。

“雖然納微中國的員工還較少，但整體成員的知識構(gòu)成非常完整，在每個領(lǐng)域都能獨(dú)擋一面。”查瑩杰還透露說，納微中國未來要做很多事情——首先，將進(jìn)一步增加銷售、研發(fā)團(tuán)隊(duì)，以覆蓋整個全球的市場能力；然后，擴(kuò)張芯片設(shè)計團(tuán)隊(duì)，擴(kuò)招海外和國內(nèi)員工；其次，加速在數(shù)據(jù)中心方面的發(fā)展，目前與頭部數(shù)據(jù)中心客戶在合作，預(yù)計明年年底將進(jìn)入量產(chǎn)；再次，與汽車廠商聯(lián)合開發(fā)OBC、DCDC等。之后納微會通過合資公司、收購，來進(jìn)一步加速在中國的發(fā)展，主要將圍繞大功率模塊、技術(shù)新應(yīng)用場景。Jc5esmc

當(dāng)然，從消費(fèi)類的快充，到數(shù)據(jù)中心、汽車方面拓展，這個過程中在芯片設(shè)計以及產(chǎn)品量產(chǎn)上也面臨一些技術(shù)難點(diǎn)。查瑩杰坦言，往服務(wù)器、汽車方向發(fā)展會面臨一些挑戰(zhàn)。氮化鎵是平面型結(jié)構(gòu)，很適合做集成，但容易存在散熱問題，這些問題需要進(jìn)一步得到解決。Jc5esmc

以GaN在汽車中的應(yīng)用為例，現(xiàn)在主流的新能源汽車電池系統(tǒng)有兩種，一種是800V的系統(tǒng)，一種是400V的系統(tǒng)。800V系統(tǒng)主要用于長續(xù)航里程的中高端車型。因?yàn)闅W洲車主對續(xù)航里程沒有太大的要求，該地區(qū)的新能源汽車仍以400V的系統(tǒng)為主。預(yù)計到2030年之前，歐洲大部分車型的電池系統(tǒng)都會以400V為主。而中國是一個特例，我國的國土遼闊，汽車充電樁分布廣泛。預(yù)估到2030年之前，中國會有一半數(shù)量的汽車會從400V升級為800V。不過，在全球范圍內(nèi)400V還將是主流，Tier 1廠商規(guī)劃的未來幾年內(nèi)的車載充電平臺，依然以400V為主。Jc5esmc

目前，主要的氮化鎵器件是650V，這些產(chǎn)品的實(shí)測遠(yuǎn)高于650V，它們的應(yīng)用場景處于650V這一檔。同時，由于氮化鎵工藝在不斷完善，很多研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)表明，氮化鎵在1200V部分有了很大的突破。所以1200V并不是GaN技術(shù)的極限，未來GaN能適應(yīng)的電壓還會往上提，而電流這一部分也不是太大的問題。例如，納微在今年四季度將推出的很多大電流產(chǎn)品的工作電流可達(dá)到上百安培。Jc5esmc

GaN的發(fā)展?jié)摿?/h2>

同為第三代半導(dǎo)體，GaN和SiC(碳化硅)經(jīng)常被相提并論。這兩種材料現(xiàn)在正處在商業(yè)化的過程中。以前大家說的更多的是SiC，因?yàn)樗谄囶I(lǐng)域的廣泛使用，加速了它整個產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。SiC第一次大規(guī)模的展示是在特斯拉汽車上，僅特斯拉一家公司就“吃”掉了全球幾乎所有的SiC產(chǎn)能。客觀來說，SiC在1200V系統(tǒng)及以上的汽車、輸電、高鐵應(yīng)用中有明顯的優(yōu)勢。Jc5esmc

而GaN作為一個新生事物，它是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的關(guān)鍵材料，它更適用于1200V以下的系統(tǒng)。今年在6月，英特爾發(fā)布了5V轉(zhuǎn)1V的氮化鎵系統(tǒng)，這意味著英特爾CPU的供電更高效。英特爾5V轉(zhuǎn)1V氮化鎵系統(tǒng)的發(fā)布，給GaN行業(yè)帶來了巨大革命，GaN的電壓限制進(jìn)一步被突破。以上特點(diǎn)，讓GaN的應(yīng)用場景非常廣泛，包括高壓適配器，汽車、手機(jī)、數(shù)據(jù)中心PMIC的替代等。Jc5esmc

查瑩杰介紹說，從性能角度來說，碳化硅適用與從65kHz到200kHz頻率應(yīng)用，而氮化鎵的頻率上限還在上探。目前，納微量產(chǎn)GaN產(chǎn)品的頻率大多在200kHz-300kHz之間,而采用納微GaN芯片的OPPO 50W的快充已經(jīng)跑到了500kHz。實(shí)際上，GaN器件本身的頻率已經(jīng)突破兩兆Hz以上，但控制器跟不上這么高的頻率，預(yù)計到明年整個系統(tǒng)頻率會突破1兆Hz。Jc5esmc

另外，從成本的角度來看，氮化鎵的成本更低。由于納微半導(dǎo)體的帶動，GaN進(jìn)入到了消費(fèi)類功率器件市場，很快它的出貨量將會超過SiC，同時GaN的成本也會急速下降。Jc5esmc

“我們認(rèn)為，氮化鎵會成為改變行業(yè)規(guī)則的技術(shù)。它的速度比硅快20倍，體積和質(zhì)量小近3倍，效率可提升40%，單位體積內(nèi)功率密度增加3倍……同時，我們會進(jìn)一步降低成本，推動新技術(shù)發(fā)展、量產(chǎn)。”查瑩杰強(qiáng)調(diào)說，納微的目標(biāo)是提高整個電力關(guān)鍵行業(yè)的效率。Jc5esmc