上周,半導(dǎo)體行業(yè)人的朋友圈被“分析師“怒懟”中芯國際技術(shù)大拿:你算老幾?”一組截圖消息“刷屏”了。I4Xesmc
據(jù)國際電子商情了解,事件發(fā)生的背景是:在全球缺芯持續(xù)之下,一個半導(dǎo)體行業(yè)500人的微信群內(nèi)正就國內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域緊缺的“光刻膠”耗材國產(chǎn)化進(jìn)行交流,但是對于光刻膠以及中芯國際看法上,被稱為“中芯國際光刻膠負(fù)責(zé)人”的楊曉松認(rèn)為,雖然國產(chǎn)光刻膠方面已經(jīng)有了產(chǎn)品,但國內(nèi)ArF光刻膠領(lǐng)域還是空白的,廠商們都不敢見他。但已經(jīng)有一些人在“瞎炒貨”了。不過,這一觀點引起了方正證券首席電子分析師陳杭的強(qiáng)烈反對,還質(zhì)問楊曉松“你算老幾”。I4Xesmc
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對此,楊曉松繼續(xù)回復(fù)表示“你去問問國內(nèi)所有做光刻的,我敢不敢這么說。”
該分析師觀點是:中芯是個代工平臺,說白了屬于來料加工,而非最核心的底層硬科技,眼下成熟制程供應(yīng)鏈國產(chǎn)化比依托于美國技術(shù)的7nm制程更有意義,中芯配合好上游設(shè)備材料公司做產(chǎn)品驗證即可。I4Xesmc
之后,群內(nèi)備注為“華泰證券電子紀(jì)攀峰”人士則表示“先請杭所(陳杭)出去了,最近行情好,他太激動了”,隨即將陳杭移除群聊。I4Xesmc
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值得一提的是,盡管群內(nèi)備注陳杭為西南電子分析師,但是據(jù)中證協(xié)信息,陳杭畢業(yè)于北京大學(xué)計算機(jī)碩士,2017年6月加入西南證券,直到2019年6月23日獲得分析師資格成為西南證券電子分析師,2019年11月,陳杭跳槽到方正證券研究所,擔(dān)任科技與電子首席分析師,這意味,陳杭擔(dān)任分析師時長大約2年多時間。I4Xesmc
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ArF光刻膠是什么?
芯片生產(chǎn)過程中,需要用光學(xué)材料將數(shù)以萬計的電路刻在小小的7nm的芯片上,而這種輔助的光學(xué)材料,就是光刻膠。I4Xesmc
從光刻膠的發(fā)展歷程看,從 20 世紀(jì) 50 年代至今,光刻技術(shù)經(jīng)歷了紫外全譜(300-340nm),G 線(436nm),I 線(365nm),深紫外(Deep Ultraviolet,DUV,248nm 和 193nm),以及目前最引人注目的極紫外(EUV,13.5nm)光刻,電子束光刻等六個階段,隨著光刻技術(shù)發(fā)展,各曝光波長的光刻膠組分(成膜樹脂、感光劑和添加劑等)也隨之變化。I4Xesmc
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光刻技術(shù)及光刻材料的發(fā)展I4Xesmc
根據(jù)反應(yīng)機(jī)理和顯影原理,可以將光刻膠分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。正性光刻膠形成的圖形與掩膜版(光罩)相同,負(fù)性光刻膠顯影時形成的圖形與掩膜版相反。根據(jù)感光樹脂的化學(xué)結(jié)構(gòu),光刻膠可分為光聚合型,光分解型和光交聯(lián)型。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域,光刻膠可以分為 PCB 光刻膠、面板光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠。I4Xesmc
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根據(jù) IC 光刻膠所能使用到的制程節(jié)點來看,可以看到隨著制程的逐步增長,所用的IC 級光刻膠品種將會逐步發(fā)生變化,并且隨之帶來的 IC 光刻膠的價值量也將會發(fā)生巨大的變化(單位價值量:ArF>KrF>I>G)。I4Xesmc
其中,ArF光刻膠的制造難度是最高的,這也是14nm/7nm芯片制造過程中不可或缺的原材料。I4Xesmc
芯片的工藝也分等級,平板電腦、汽車芯片等工藝水平并不高,這各等級的芯片中國已經(jīng)實現(xiàn)了從光刻機(jī)到芯片的完全自主化生產(chǎn)。真正困難的在于7nm的芯片,也就是華為遭到斷供的手機(jī)芯片。I4Xesmc
這種工藝的手機(jī)芯片,不僅需要荷蘭ASML先進(jìn)的EUV光刻機(jī)來生產(chǎn),更需要高端的光刻膠作為輔助材料,以及大量的芯片原材料,才能成功生產(chǎn)出華為手機(jī)所需要的芯片。I4Xesmc
光刻機(jī)被美國和荷蘭的公司壟斷,現(xiàn)在EUV光刻機(jī)對中國處于斷供狀態(tài),中芯國際花了12億購買的EUV光刻機(jī)至今仍未到貨。I4Xesmc
芯片原材料,雖然國內(nèi)已有部分原材料實現(xiàn)自主生產(chǎn),但是硅片、光掩模、電子特氣、拋光材料、濺射靶材、光刻膠以及濕電子化學(xué)品這其中原材料完全依賴進(jìn)口。I4Xesmc
日本絕對領(lǐng)導(dǎo)的光刻膠市場
全球光刻膠行業(yè)主要被 JSR、東京應(yīng)化、羅門哈斯、信越化學(xué)、及富士合理占據(jù),前五大家占據(jù)了全球光刻膠領(lǐng)域的 86%;如若聚焦到全球半導(dǎo)體用光刻膠領(lǐng)域,前六大家(主要以日本為主)實現(xiàn)了對于市場的 87%的占據(jù),所以日本在半導(dǎo)體領(lǐng)域有極大的控制能力。I4Xesmc
以 ArF 光刻膠產(chǎn)品為代表的先進(jìn)光刻膠以及工藝的主要技術(shù)和專利都掌握在國外的企業(yè)與研究部門,如日本的信越化學(xué)(Shin-Etsu Chemical)、合 成橡膠(JSR)、東京應(yīng)化(TOK)、住友化學(xué)(Sumitomochem)、富士膠片 (Fujifilm)和美國陶氏(Dow Chemical Company),其中尤其是日本企業(yè),占有率極高。I4Xesmc
在KrF光刻膠方面,日本也是占了主導(dǎo)地位,在這領(lǐng)域有全球5%市場占有率的韓國企業(yè)和11%的美國企業(yè)。I4Xesmc
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2019 年 arf 光刻膠市場占比I4Xesmc
反觀中國光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈,中國半導(dǎo)體光刻膠的占比僅有 2%,LCD 僅為 3%,而最為簡單 PCB 光刻膠占比高達(dá) 94%。I4Xesmc
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中國光刻膠廠商生產(chǎn)結(jié)構(gòu)情況I4Xesmc
而半導(dǎo)體國產(chǎn)光刻膠的發(fā)展速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)慢于其他產(chǎn)業(yè),原因在于:I4Xesmc
- 光刻膠的驗證周期長。光刻膠批量測試的過程需要占用晶圓廠機(jī)臺的產(chǎn)線時間,在產(chǎn)能緊張的時期測試時間將會被延長。測試的過程需要與光刻機(jī)、掩膜版及半導(dǎo)體制程中的許多工藝步驟配合,付出成本極高。通常面板光刻膠驗證周期為 1-2 年,半導(dǎo)體光刻膠為 2-3 年。但驗證過之后便會形成長期供應(yīng)關(guān)系,甚至在未來會推動企業(yè)之間的聯(lián)合研發(fā)。
- 原材料成膜樹脂具有專利壁壘。樹脂的合成難度高,通常光刻膠廠商在合成一種樹脂后會申請相應(yīng)的專利,目前樹脂結(jié)構(gòu)上的專利主要被日本公司占據(jù)。
- 光刻膠產(chǎn)品品類多,配方需要滿足差異化需求。根據(jù)產(chǎn)品需求來調(diào)配適合的樹脂來滿足差異化需求對于光刻膠企業(yè)是一大難點,也是光刻膠制造商最核心的技術(shù)。
- 材料替代的挑戰(zhàn)。所有性能必須與晶圓產(chǎn)線上的 Baseline 一致,不能比其差,但在某些領(lǐng)域也不能比 Baseline 好。
國內(nèi)廠商找到了突破口
在外資供應(yīng)商統(tǒng)治了全球光刻膠行業(yè)的基礎(chǔ)下,中國內(nèi)資廠商耗費(fèi)十多年的時間,在當(dāng)前已經(jīng)實現(xiàn)了各大類(除 EUV)光刻膠的突破,實現(xiàn)了厚積薄發(fā)的現(xiàn)狀。I4Xesmc
去年12月,寧波南大光電發(fā)表公告稱,公司自主研發(fā)的 ArF 光刻膠產(chǎn)品近日成功通過客戶的使用認(rèn)證。I4Xesmc
據(jù)南大光電介紹,“ArF 光刻膠產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”是寧波南大光電承接國家“02 專項”的 一個重點攻關(guān)項目。本次產(chǎn)品的認(rèn)證通過,標(biāo)志著“ArF 光刻膠產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn) 業(yè)化”項目取得了關(guān)鍵性的突破,成為國內(nèi)通過產(chǎn)品驗證的第一只國產(chǎn) ArF 光 刻膠,為全面完成項目目標(biāo)奠定了堅實的基礎(chǔ)。I4Xesmc
他們指出,認(rèn)證評估報告顯示,“本次認(rèn)證選擇客戶 50nm 閃存產(chǎn)品中的控制柵進(jìn)行驗 證,寧波南大光電的 ArF 光刻膠產(chǎn)品測試各項性能滿足工藝規(guī)格要求,良率結(jié)果達(dá)標(biāo)。”I4Xesmc
在談到這個光刻膠通過客戶認(rèn)證對公司的價值的時候,南大光電表示,ArF 光刻膠材料是集成電路制造領(lǐng)域的重要關(guān)鍵材料,可以用于 90nm-14nm 甚至 7nm 技術(shù)節(jié)點的集成電路制造工藝。廣泛應(yīng)用于高端芯片制 造(如邏輯芯片、 AI 芯片、5G 芯片、大容量存儲器和云計算芯片等)。I4Xesmc
ArF 光刻膠的市場前景好于預(yù)期。隨著國內(nèi) IC 行業(yè)的快速發(fā)展,自主創(chuàng)新和國產(chǎn)化步伐的加快,以及先進(jìn)制程工藝的應(yīng)用,將大大拉動光刻膠的用量。本次通過客戶認(rèn)證的產(chǎn)業(yè)化意義大。本次驗證使用的 50nm 閃存技術(shù)平臺,I4Xesmc
在特征尺寸上,線制程工藝可以滿足 45nm-90nm 光刻需求,孔制程工藝可滿足 65nm-90nm 光刻需求,該工藝平臺的光刻膠在業(yè)界有代表性。I4Xesmc
此外,實現(xiàn)技術(shù)突破的還有彤程新材、上海新陽、徐州博康、晶瑞股份等等。I4Xesmc
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中國內(nèi)資光刻膠公司當(dāng)前產(chǎn)品突破及未來規(guī)劃情況梳理I4Xesmc
隨著中國半導(dǎo)體光刻膠逐步突破技術(shù)壁壘,實現(xiàn)部分產(chǎn)品種類上對于海外領(lǐng)先者們的替代;此外,隨著中國晶圓廠不斷擴(kuò)產(chǎn)新線,我們有望看到中國光刻膠企業(yè)產(chǎn)品加速導(dǎo)入新產(chǎn)線,從過去的 Baseline 規(guī)則的追逐者向著 Baseline 制定者的身份轉(zhuǎn)變,在巨大的國產(chǎn)替代空間內(nèi)實現(xiàn)成長的巨大動力。I4Xesmc
(本文綜合整理自券商中國、EDN China、富途證券、電商報、國盛證券、知乎) 責(zé)編:ElaineI4Xesmc