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【全面分析】DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)、上市時(shí)間、性能對(duì)比及價(jià)格波動(dòng)

《國(guó)際電子商情》訊,2021年第一季度PC及平板電腦的出貨量大漲,對(duì)于DDR內(nèi)存的需求也增大,在DDR5已經(jīng)開(kāi)始推向市場(chǎng)的當(dāng)口,本文較為詳細(xì)介紹了DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)內(nèi)外DDR5產(chǎn)品的上市時(shí)間,以及性能和價(jià)格的波動(dòng),為消費(fèi)者選擇DDR4還是即將普及的DDR5做參考,同時(shí)也為市場(chǎng)提供DDR5的相關(guān)分析。

海外研究機(jī)構(gòu)Canalys于2021年5月5日公布了第一季度全球電腦市場(chǎng)報(bào)告:全球電腦市場(chǎng)出貨量同比增長(zhǎng)53.1%,達(dá)到了1.221億臺(tái)。在這其中,谷歌的Chromebook增長(zhǎng)最為明顯,出貨量1200萬(wàn)臺(tái),同比增長(zhǎng)274.6%。除此之外,平板電腦增長(zhǎng)51.7%,出貨量3970萬(wàn)臺(tái)。kEcesmc

PC及平板電腦的出貨量大漲,對(duì)于DDR內(nèi)存的需求也增大,在DDR5已經(jīng)開(kāi)始推向市場(chǎng)的當(dāng)口,本文較為詳細(xì)介紹了DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)內(nèi)外DDR5產(chǎn)品的上市時(shí)間,以及性能和價(jià)格的波動(dòng),為消費(fèi)者選擇DDR4還是即將普及的DDR5做參考,同時(shí)也為市場(chǎng)提供DDR5的相關(guān)分析。kEcesmc

20207DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

盡管在2017年,負(fù)責(zé)計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的組織JEDEC就宣稱將在2018年完成DDR5內(nèi)存的最終標(biāo)準(zhǔn),鎂光、三星等廠商在2018年也就開(kāi)始研發(fā)16GB的DDR5產(chǎn)品,甚至在去年幾個(gè)廠商都已經(jīng)開(kāi)始逐漸量產(chǎn)DDR5內(nèi)存。但是直到2020年7月,JEDEC才正式發(fā)布了DDR5內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn),而且起跳就是4800MHz,這比原先想象的要高出不少。kEcesmc

DDR5標(biāo)準(zhǔn)kEcesmc

據(jù)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)介紹,全新DDR5標(biāo)準(zhǔn)將為開(kāi)發(fā)人員提供兩倍性能并大大提高電源效率。在全新DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)下,最高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣饶苓_(dá)到6.4Gbps,與之對(duì)比,在DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)下最高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣戎荒苓_(dá)到3.2Gbps。此外,DDR5也改善了DIMM的工作電壓,將電壓從DDR4的1.2V降至1.1V,能夠進(jìn)一步提升內(nèi)存的能效表現(xiàn)。kEcesmc

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在內(nèi)存密度方面,DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)將允許單個(gè)內(nèi)存芯片的密度達(dá)到64Gbit,這比DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的16Gbit密度高出4倍。如此高的內(nèi)存密度,再結(jié)合多芯片封裝技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)最高40個(gè)單元的堆疊,如此堆疊的LRDIMM有效內(nèi)存容量可以達(dá)到2TB。kEcesmc

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如上圖所示,在針腳設(shè)計(jì)上,DDR5內(nèi)存將保持與DDR4相同的288個(gè)引腳數(shù),但因?yàn)槠洳捎昧穗p通道設(shè)計(jì),對(duì)應(yīng)引腳布局也發(fā)生了一些改變,故DDR4內(nèi)存和DDR5產(chǎn)品是無(wú)法兼容的。這代表著用戶要想使用最新的DDR5內(nèi)存,需要更換支持該標(biāo)準(zhǔn)的最新款主板才行。kEcesmc

量產(chǎn)計(jì)劃kEcesmc

實(shí)際上,最早公布DDR5量產(chǎn)計(jì)劃的內(nèi)存廠商是Rambus,早在2017年Rambus就宣稱已經(jīng)在實(shí)驗(yàn)室完成了DDR5內(nèi)存的研發(fā),并打算在2019年量產(chǎn),但是顯然Rambus的計(jì)劃并沒(méi)有能夠?qū)崿F(xiàn)。在2019年宣布量產(chǎn)DDR5內(nèi)存的廠商實(shí)際是鎂光和三星。不過(guò)在之前的信息中,DDR5內(nèi)存的規(guī)格是3200MHz和4800MHz兩種,而且內(nèi)存廠商也表示:即使DDR5是3200MHz的頻率,帶寬也依然比DDR4 3200要高出36%。所以大家一直以為DDR5內(nèi)存也會(huì)從3200MHz開(kāi)始。kEcesmc

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不過(guò)在JEDEC公布的DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中,顯然和之前廠商公布的計(jì)劃和性能有了區(qū)別。按照J(rèn)EDEC的說(shuō)法,DDR5內(nèi)存的引腳帶寬(頻率)是DDR4的兩倍,首發(fā)將以4800MHz起,頻率部分比DDR4 3200MHz增加了50%,而總傳輸帶寬則提升了38%。而最關(guān)鍵的一點(diǎn)是,DDR5內(nèi)存未來(lái)最高可達(dá)到的頻率為8400MHz,這幾乎奠定了未來(lái)數(shù)年里DDR5內(nèi)存在PC領(lǐng)域不可動(dòng)搖的位置。kEcesmc

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而在其他方面,根據(jù)公布的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)看,DDR5內(nèi)存芯片Bank數(shù)量翻番到32,每Bank的自刷新速度翻番到16Gbps。VDD電壓從DDR4的1.2V降至1.1V,也就是減少功耗。此外,芯片級(jí)別的ECC、更好的設(shè)計(jì)伸縮性、更高的電壓耐受度等都保證了性能、產(chǎn)能、工藝水準(zhǔn)等。kEcesmc

此外在大家關(guān)注的容量問(wèn)題上,目前DDR5內(nèi)存單顆芯片可以達(dá)到64Gb,也就是8GB,如果單面設(shè)計(jì)4顆芯片,那么內(nèi)存容量可以達(dá)到32GB,雙面則可達(dá)到64GB,如果單面做到8顆芯片,那么容量最大則可達(dá)到128GB。當(dāng)然至于內(nèi)存顆粒容量的設(shè)計(jì),以及單條內(nèi)存最大的容量,則需要廠商自己衡量。從目前PC的發(fā)展來(lái)看,大內(nèi)存并不是剛需,所以至少在初期,單條DDR5內(nèi)存能做到16GB的容量就應(yīng)該能滿足用戶的需求了。應(yīng)該說(shuō)在服務(wù)器上,大容量的DDR5內(nèi)存才有更多發(fā)揮的空間。kEcesmc

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至于DDR5內(nèi)存正式應(yīng)用在PC平臺(tái)的時(shí)間點(diǎn),現(xiàn)在來(lái)看用戶還需要等待一陣。即使是最激進(jìn)的AMD,在明年的Zen 3+處理器上,依然會(huì)使用DDR4內(nèi)存,而Intel明年發(fā)布的第十一代酷睿桌面處理器也會(huì)采用目前相同的針腳設(shè)計(jì),這意味著Intel也會(huì)繼續(xù)使用DDR4內(nèi)存。AMD最早使用DDR5內(nèi)存的平臺(tái)將是今年的服務(wù)器平臺(tái),但在民用PC平臺(tái)上要等待2022年的Zen 4架構(gòu)處理器才會(huì)用上DDR5;至于Intel則要等到十二代酷睿桌面處理器才有希望用上DDR5內(nèi)存,那也是2022年的事情。kEcesmc

所以不出意外的話,市場(chǎng)要在2022年才能看到大量DDR5內(nèi)存以及支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái)上市。當(dāng)然,這并不妨礙現(xiàn)在廠商們就開(kāi)始對(duì)DDR5的青睞,AMD、Intel、鎂光、三星、海力士等廠商紛紛為DDR5站臺(tái)表示全力支持,而鎂光和三星更是已經(jīng)開(kāi)始正式量產(chǎn)DDR5內(nèi)存。雖然要等待2022年才能用上DDR5內(nèi)存,不過(guò)Intel和AMD的新一代企業(yè)級(jí)平臺(tái)在下半年都將啟動(dòng),屆時(shí)都會(huì)采用DDR5服務(wù)器內(nèi)存。kEcesmc

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這樣看來(lái),反而是手機(jī)行業(yè)在內(nèi)存上走得比較快一點(diǎn),至少現(xiàn)在LPDDR5內(nèi)存已經(jīng)在旗艦手機(jī)上普及了!等PC開(kāi)始普及DDR5內(nèi)存的時(shí)候,估計(jì)手機(jī)的內(nèi)存應(yīng)該進(jìn)化到LPDDR5X了。kEcesmc

20213國(guó)內(nèi)首家DDR5內(nèi)存實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)官宣

DDR5內(nèi)存最高速率可達(dá)6400Mbps,是DDR4的兩倍kEcesmc

2021年3月,江波龍電子發(fā)布了Longsys DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品(ES1),涉及兩款全新架構(gòu)產(chǎn)品原型,分別是1Rank x8和2Rank x8標(biāo)準(zhǔn)型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。在實(shí)測(cè)檢驗(yàn)中,DDR5在功能和性能上都得到了顯著提升。kEcesmc

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數(shù)據(jù)測(cè)試kEcesmc

此次測(cè)試特別選取了部分測(cè)試數(shù)據(jù)首次公開(kāi)。其中,展示的測(cè)試實(shí)例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB開(kāi)發(fā)板,搭配Longsys DDR5 32GB 內(nèi)存模組,并配置Windows 10 Pro x64操作系統(tǒng),分別通過(guò)魯大師和AIDA64兩個(gè)熟知的軟件展示DDR5的真實(shí)數(shù)據(jù)。kEcesmc

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(通過(guò)BIOS了解到DDR5新架構(gòu)采用了兩個(gè)完全獨(dú)立的32位通道)kEcesmc

AIDA64測(cè)試數(shù)據(jù)通過(guò)測(cè)試,能夠獲取到Longsys DDR5 32GB內(nèi)存讀/寫(xiě)/拷貝/延遲的性能跑分。kEcesmc

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為了更加直觀地體現(xiàn)性能的提升力度,還加入了DDR4的測(cè)試對(duì)比。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,Longsys DDR5在性能上實(shí)現(xiàn)了很大的提升。kEcesmc

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FORESEE DDR5 內(nèi)存模組產(chǎn)品(ES1)kEcesmc

未來(lái)的應(yīng)用場(chǎng)景不斷革新和進(jìn)步,對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)提出了更嚴(yán)苛的要求,亦大大加速了DDR5發(fā)展進(jìn)程,各大主流平臺(tái)對(duì)于DDR5的支持也推進(jìn)迅速。據(jù)悉,Intel方面預(yù)計(jì)今年第三季度就有支持DDR5的平臺(tái)上市。而驅(qū)動(dòng)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)向DDR5升級(jí)的動(dòng)力來(lái)自對(duì)帶寬有強(qiáng)烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,比如服務(wù)器、云計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域均有望得到重點(diǎn)部署,此次迭代也為行業(yè)客戶提供了更出色的內(nèi)存解決方案。kEcesmc

Lexar雷克沙 DDR5 內(nèi)存模組產(chǎn)品(ES1)kEcesmc

隨著全球大量資本進(jìn)入電競(jìng)市場(chǎng),促進(jìn)了電競(jìng)行業(yè)日漸普及與成熟,這也讓電競(jìng)玩家對(duì)內(nèi)存等電腦配件的性能有了更高的追求。而Lexar雷克沙 DDR5的面世,不僅能夠助力電競(jìng)玩家擁有更流暢的電競(jìng)體驗(yàn),亦能帶動(dòng)電競(jìng)行業(yè)的可持續(xù)性發(fā)展。非但如此,對(duì)于白領(lǐng)用戶,特別是設(shè)計(jì)師、剪輯師等對(duì)設(shè)備性能有剛需的職業(yè),Lexar雷克沙DDR5可有效提高辦公效率,將更多時(shí)間留給創(chuàng)造性工作。kEcesmc

20213瞻宣布推動(dòng)成立DDR5生態(tài)聯(lián)盟

三星、美光、SK海力士的DDR5芯片已經(jīng)出樣測(cè)試了,DDR5內(nèi)存模組也有產(chǎn)品亮相,就是還需等待平臺(tái)支持。kEcesmc

內(nèi)存大廠宇瞻宣布推動(dòng)成立DDR5生態(tài)聯(lián)盟,公布DDR5全產(chǎn)品線發(fā)展藍(lán)圖,涵蓋服務(wù)器、工業(yè)級(jí)、消費(fèi)型與電競(jìng)四大類別。kEcesmc

宇瞻表示,為了讓DDR5內(nèi)存盡快落地,除了支持平臺(tái)之外,零部件整合與測(cè)試的作用也不可小視。kEcesmc

在DDR5生態(tài)聯(lián)盟中,從DRAM芯片顆粒、CPU、主板,關(guān)鍵零組件如PCB、RCD、DB、電源管理IC、SPD Hub與溫度感測(cè)器,到測(cè)試軟件與SPD燒錄器,聯(lián)盟將以群策群力的方式整合DDR5關(guān)鍵技術(shù)驗(yàn)證,加速上下游伙伴技術(shù)發(fā)展及深化,成功打造目前最接近量產(chǎn)的DDR5芯片。kEcesmc

根據(jù)宇瞻的消息,他們的DDR5內(nèi)存首先會(huì)選擇UDIMM規(guī)格,接著是RDIMM、SODIMM,也就是PC桌面級(jí)內(nèi)存先發(fā),然后才是服務(wù)器、筆記本市場(chǎng)。kEcesmc

DDR5支持平臺(tái)主要是Intel的12代酷睿Alder Lake系列,服務(wù)器級(jí)的Sapphire Rapids-SP,AMD的平臺(tái)主要是Zen4架構(gòu)EPYC,也是下下代的Genoa,預(yù)計(jì)在2022年問(wèn)世。kEcesmc

至于產(chǎn)品的上市時(shí)間,DDR5內(nèi)存將在今年下半年開(kāi)始送樣,2022年才會(huì)大規(guī)模量產(chǎn)。kEcesmc

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20214月首批國(guó)產(chǎn)阿斯加特DDR5內(nèi)存量產(chǎn)下線,美光顆粒,4800MHz

今年3月底,國(guó)內(nèi)廠商嘉合勁威表示,正在積極備貨DRAM內(nèi)存顆粒,有機(jī)會(huì)國(guó)內(nèi)率先量產(chǎn)DDR5內(nèi)存。4月26日,嘉合勁威旗下品牌阿斯加特宣布,首批DDR5內(nèi)存條量產(chǎn)入倉(cāng),已經(jīng)完成備貨,預(yù)計(jì)會(huì)在英特爾和AMD發(fā)布下一代處理器的時(shí)候上市。kEcesmc

早在今年2月份,阿斯加特就推出了首款DDR5內(nèi)存條。3月份,美光的DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒到廠后,嘉合勁威就進(jìn)入積極備貨狀態(tài),截至今日,首批產(chǎn)品終于量產(chǎn)下線,不過(guò)距離上市銷售還需要較長(zhǎng)一段時(shí)間。kEcesmc

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阿加斯特首批DDR5內(nèi)存條采用美光DRAM顆粒制造,提供16GB和32GB兩個(gè)容量規(guī)格,頻率均為4800MHz,電壓1.1V,時(shí)序?yàn)?0-40-40。首批產(chǎn)品定位為入門(mén)級(jí),規(guī)格性能并不高,主要是為了滿足玩家嘗鮮的需求。kEcesmc

阿拉斯加官方表示,未來(lái)還會(huì)生產(chǎn)更大容量,更高頻率的DDR5內(nèi)存。從目前曝光的信息中了解到,阿拉斯特目前所研發(fā)的高規(guī)格DDR5內(nèi)存中,最高為128GB 6400MHz,預(yù)計(jì)在2022年量產(chǎn)。另外還有128GB/64GB 5600MHz規(guī)格的型號(hào),計(jì)劃在下半年進(jìn)行生產(chǎn)和發(fā)布。kEcesmc

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和DDR4內(nèi)存相比,DDR5功耗更低,穩(wěn)定性和安全性更高,而且在容量、頻率等方面能實(shí)現(xiàn)數(shù)倍的提升,有助于更徹底地發(fā)揮處理器的性能。嘉合勁威公布的數(shù)據(jù)顯示,DDR5內(nèi)存在讀寫(xiě)、拷貝速度上顯著高于DDR4內(nèi)存,但延遲較高。不過(guò),該內(nèi)存將支持On-die-ECC糾錯(cuò)功能,且單條即可實(shí)現(xiàn)雙通道,相比DDR4內(nèi)存的升級(jí)還是非常大的。kEcesmc

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上個(gè)月,外媒曝光了三星首款DDR5內(nèi)存,據(jù)說(shuō)是基于HKMG工藝技術(shù)打造,單條最高容量可達(dá)到512GB,頻率可達(dá)到7200MHz,相比DDR4內(nèi)存,提升幅度相當(dāng)驚人。目前阿加斯特最高規(guī)格型號(hào)與三星相比也有很大差距,看來(lái)在高端內(nèi)存方面,國(guó)內(nèi)廠商還需要繼續(xù)努力。kEcesmc

不過(guò),DDR5內(nèi)存并沒(méi)有那么快普及,最快需要等到英特爾12代酷睿和600系列主板的發(fā)布,才會(huì)正式支持DDR5內(nèi)存。所以,大家不需要急著想買DDR5內(nèi)存,現(xiàn)在能買到也用不了。kEcesmc

20215月金士頓DDR5內(nèi)存預(yù)計(jì)第三季度發(fā)貨

2021年注定是DDR5內(nèi)存元年,多家內(nèi)存品牌最近都曝光了DDR5內(nèi)存條,現(xiàn)在全球內(nèi)存著名廠商金士頓的DDR5內(nèi)存也來(lái)了,預(yù)計(jì)Q3季度上市。該內(nèi)存不僅會(huì)支持XMP超頻文件,還可以獨(dú)立控制電源管理,這將帶來(lái)額外的內(nèi)存超頻靈活性,使得內(nèi)存電壓可以超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的1.1V。金士頓預(yù)計(jì)在Q3季度開(kāi)始上市 DDR5內(nèi)存,不出意外的話首發(fā)應(yīng)該是Intel的Alder Lake平臺(tái),也就是12代酷睿,現(xiàn)在基本上確認(rèn)配套的600系主板支持DDR5內(nèi)存。kEcesmc

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未來(lái)DDR5內(nèi)存的頻率有望超過(guò)10000MHz。預(yù)計(jì)在今年,金士頓會(huì)推出16GB、32GB、64GB、128GB的內(nèi)存產(chǎn)品,速度為4800MHz或5600MHz。DDR5內(nèi)存的性能有望提升至DDR4的兩倍,目前DDR4內(nèi)存的極限超頻頻率為7GHz,因此新一代內(nèi)存超頻至10GHz將十分有可能。kEcesmc

DDR5內(nèi)存的問(wèn)世,為桌面電腦性能的提升提供了可靠的硬件保障。DDR5內(nèi)存的起跳頻率就在4800MHz,相對(duì)于DDR4提升了38%,最高頻率未來(lái)更是有可能達(dá)到1000MHz。據(jù)悉DDR5內(nèi)存將從16GB起步,這也就意味著內(nèi)存單顆核心容量可以達(dá)到2GB,理論上內(nèi)存最大容量可以達(dá)到512GB。高頻和大容量?jī)?nèi)存可以大幅提高電腦的響應(yīng)時(shí)間和多任務(wù)處理器能力。kEcesmc

帶有PCIe 5.0和DDR5內(nèi)存的英特爾Alder Lake-S CPU將在11月上市

英特爾將在今年11月推出其第12代Alder Lake-S處理器,并支持最新的內(nèi)存和I / O技術(shù),例如DDR5,PCIe 5.0等。這家總部位于克拉拉(Clara)的芯片制造商目前正在向其董事會(huì)合作伙伴介紹新產(chǎn)品的發(fā)布情況,并由他們來(lái)決定自己的主板將支持更新的DDR5內(nèi)存接口還是堅(jiān)持使用DDR4。kEcesmc

正如之前的報(bào)道,預(yù)算H610和B660板將保留DDR4內(nèi)存,而更高端的Z690陣容將過(guò)渡到DDR5。這意味著Core i3和低端Core i5 SKU將主要使用DDR4內(nèi)存,而Core i7和i9部件將利用更快的DDR5內(nèi)存。可以說(shuō)關(guān)于PCIe 5.0的支持也是如此,因?yàn)樗枰黾拥膶訑?shù)。kEcesmc

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由于該公司將改用Alder Lake-S更新的LGA1700插座,因此現(xiàn)有的散熱器將再次不兼容,并且用戶升級(jí)也必須在該方面進(jìn)行新的購(gòu)買。kEcesmc

就核心架構(gòu)本身而言,您可能聽(tīng)說(shuō)過(guò)數(shù)百次,Alder Lake將采用混合核心架構(gòu),其中包含高性能(Golden Cove)核心集群和低功耗(Grace Mont)核心集群。它的主要測(cè)試將在軟件方面,因?yàn)檩^舊的應(yīng)用程序可能無(wú)法區(qū)分兩個(gè)不同的群集,從而導(dǎo)致性能不理想。kEcesmc

考慮到英特爾在PC市場(chǎng)中的影響力,大多數(shù)主流應(yīng)用程序和游戲應(yīng)迅速優(yōu)化并適當(dāng)支持新處理器??紤]到Grace Mont或多或少會(huì)與Skylake(盡管在較低頻率下)相提并論,因此應(yīng)該在某種程度上減輕了AMD和Intel之間的核心數(shù)量差異。但是,由于AMD仍在使用同構(gòu)核心設(shè)計(jì),因此應(yīng)在多線程性能領(lǐng)域中保持領(lǐng)先地位。kEcesmc

三星推出模組電源管理芯片解決方案

現(xiàn)在三星已經(jīng)推出了面向DDR5雙列直插式存儲(chǔ)模塊(DIMM)的集成式電源管理芯片(PMIC)。其中包括S2FPD01、S2FPD02、以及S2FPC01。kEcesmc

據(jù)悉,新一代DDR5DRAM的一項(xiàng)重大設(shè)計(jì)改進(jìn),就是將PMIC也集成到了內(nèi)存模組上(前幾代仍將PMIC放在主板端)。kEcesmc

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(來(lái)自:Samsung Newsroom)kEcesmc

TechPowerUp 指出,集成 PMIC 的最大益處,就是能夠帶來(lái)更高的兼容性和信號(hào)完整度,輔以持久可靠的性能表現(xiàn)。kEcesmc

為了提升性能效率和負(fù)載下的瞬態(tài)響應(yīng),三星還為面向 DDR5 內(nèi)存模組的新型 PMIC 配備了高效率的混合柵極驅(qū)動(dòng)和專有的控制設(shè)計(jì)(基于異步的雙相降壓控制方案)。kEcesmc

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該方案允許 DC 電壓的高瞬態(tài)響應(yīng)輸出,負(fù)載電流的變化也能夠適時(shí)地調(diào)整轉(zhuǎn)換,以將輸出電壓有效地調(diào)節(jié)到接近恒定的水平。輔以脈沖寬度和脈沖頻率調(diào)制方法,可防止切換模式時(shí)的延遲和故障。kEcesmc

三星表示,對(duì)于實(shí)時(shí)運(yùn)行繁重的分析、機(jī)器 / 深度學(xué)習(xí)、以及其它各種計(jì)算密集型任務(wù)的數(shù)據(jù)中心 / 企業(yè)服務(wù)器來(lái)說(shuō),S2FPD01 和 S2FPD02 這兩款 DDR5 DIMM PMIC 能夠助其實(shí)現(xiàn)最佳性能。kEcesmc

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具體說(shuō)來(lái),F(xiàn)PD01 專為低密度模組而設(shè)計(jì),而 FPD02 能夠?qū)崿F(xiàn)更高的密度。此外通過(guò)實(shí)現(xiàn)高效的混合柵極驅(qū)動(dòng)(而不是線性穩(wěn)壓器),三星新型 PMIC 可達(dá)成 91% 的運(yùn)行功率能效。kEcesmc

至于 S2FPC01 這款 PMIC,則是專為臺(tái)式機(jī) / 筆記本電腦而設(shè)計(jì)。其采用 90nm 工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì),能夠以較小的封裝帶來(lái)更高的敏捷性能。kEcesmc

目前上述三款 DDR5 DIMM PMIC 正在向客戶出樣,不久后,我們就可以在諸多不同的應(yīng)用領(lǐng)域都見(jiàn)到它們的身影。kEcesmc

DDR4內(nèi)存漲價(jià),該不該等DDR5?

由于需求的增加以及廠商的減產(chǎn),從2020年底開(kāi)始,市面上內(nèi)存價(jià)格就出現(xiàn)比較明顯的上漲,直到現(xiàn)在價(jià)格還未到定點(diǎn)。因此就有用戶覺(jué)得既然DDR5內(nèi)存就要來(lái)了,這時(shí)是不是就不用買DDR4了,直接上DDR5呢?kEcesmc

DDR4內(nèi)存漲價(jià)明顯kEcesmc

在2020年中的時(shí)候,DDR4內(nèi)存價(jià)格觸底,甚至出現(xiàn)了比較嚴(yán)重的庫(kù)存積壓?jiǎn)栴}。產(chǎn)品價(jià)格太低,會(huì)影響上游廠商的盈利。所以從去年下半年開(kāi)始,三星、SK海力士和美光三家紛紛削減內(nèi)存資本開(kāi)支,意味廠商著要削減內(nèi)存芯片產(chǎn)能,影響市場(chǎng)上的供需平衡。再加上去年頻發(fā)的意外事件,比如中國(guó)臺(tái)灣的美光晶圓廠多次出現(xiàn)停工,三星華城芯片工廠則是因?yàn)閰^(qū)域電力傳輸電纜出現(xiàn)問(wèn)題而斷電,導(dǎo)致三星停產(chǎn)了3天DRAM內(nèi)存顆粒,相當(dāng)于全球1%的產(chǎn)能。kEcesmc

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在這些因素共同的努力下,從去年底開(kāi)始,DDR4內(nèi)存價(jià)格終于上漲,去年才300多元的DDR4 3200 16GB現(xiàn)在價(jià)格已經(jīng)翻倍,達(dá)到了600元以上。與此同時(shí),更老的DDR3內(nèi)存因?yàn)槿必泝r(jià)格漲得更多,像駭客神條 Fury雷電系列DDR4 1600 8GB都賣到499元。kEcesmc

DDR5頻率、容量暴漲kEcesmc

去年7月15日,JEDEC固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了DDR5 SDRAM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范:DDR5內(nèi)存起步頻率3200MHz,最高可達(dá)到6400MHz,比起DDR4 2400MHz的起步頻率高了不少,目前各廠商首先宣布的產(chǎn)品,頻率都是從4800MHz起跳,頻率提升的同時(shí),性能上也有更好的表現(xiàn)。與此同時(shí),DDR5內(nèi)存的容量也更大,各家首發(fā)產(chǎn)品基本都是16GB起,而且內(nèi)存工作電壓為1.1V,比DDR4的1.2V低。kEcesmc

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一句話總結(jié),DDR5內(nèi)存的優(yōu)勢(shì)在于速度更快、功耗更低、且支持芯級(jí)ECC糾錯(cuò)。既然DDR5內(nèi)存的優(yōu)勢(shì)如此明顯,而且從各方的消息來(lái)看,今年無(wú)論是DDR5內(nèi)存的產(chǎn)品還是相關(guān)的平臺(tái)都會(huì)上市,那么現(xiàn)在是否應(yīng)該放棄DDR4直接等DDR5呢?kEcesmc

DDR5想要普及尚需時(shí)日,2022年都難kEcesmc

雖然各大內(nèi)存廠商非常重視DDR5內(nèi)存,很快就推出了DDR5內(nèi)存的樣品,但是DDR5內(nèi)存想要取代DDR4卻不是一朝一夕。先不說(shuō)DDR5內(nèi)存的上市價(jià)格(估計(jì)不會(huì)便宜),僅從平臺(tái)對(duì)其的支持進(jìn)度就能一窺究竟。kEcesmc

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商用平臺(tái)對(duì)普通玩家影響不大,我們主要考查的是消費(fèi)級(jí)平臺(tái)對(duì)于 DDR5內(nèi)存的支持情況。Intel方面,年底推出的Alder Lake第12代酷睿就將加入對(duì)DDR5內(nèi)存的支持??墒菑哪壳暗那闆r來(lái)看,這一代酷睿平臺(tái)應(yīng)該也是DDR4/DDR5共存的情況。有消息披露華碩的旗艦、高端Z690主板都會(huì)搭配DDR5內(nèi)存,中低端則繼續(xù)搭檔DDR4內(nèi)存??梢?jiàn)在第12代酷睿平臺(tái)上,DDR5內(nèi)存很可能只面對(duì)高端用戶群體,不菲的價(jià)格并不是主流玩家所能承受的,他們的選擇依然是DDR4內(nèi)存。當(dāng)然也不排除中端會(huì)出現(xiàn)同時(shí)提供DDR5/DDR4兩種內(nèi)存插槽的產(chǎn)品,DDR2/3、DDR3/4過(guò)渡時(shí)代都曾有此類產(chǎn)品,但這并不是主流。kEcesmc

至于AMD方面,Zen4新平臺(tái)的上市時(shí)間就有些撲朔迷離了。剛開(kāi)始說(shuō)今年第5nm制程并支持DDR5內(nèi)存的Zen4處理器就將上市??墒亲钚孪⑹?,在Zen4之前AMD還有一代過(guò)渡性質(zhì)的升級(jí)版的Zen3 XT或者叫Zen3 Refresh。要到2022年9~10月份才會(huì)宣布,10~11月份上市,也就是說(shuō)從現(xiàn)在算起還有一年半的時(shí)間我們才能買到Zen4架構(gòu)的銳龍7000處理器。kEcesmc

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可見(jiàn)DDR5想要普及的速度其實(shí)并不快,Intel平臺(tái)雖然可以率先支持,但可能只是高端主板才能支持。而 AMD Zen4平臺(tái)甚至明年底才會(huì)推出,產(chǎn)品大規(guī)模上市也就是2023年的事情了。kEcesmc

可以說(shuō)消費(fèi)級(jí)平臺(tái)真正要全面支持DDR5內(nèi)存,也要等到2023年才會(huì)完全普及,如果等不了那么久的話,不妨繼續(xù)用DDR4吧。kEcesmc

結(jié)語(yǔ):DDR5內(nèi)存上市時(shí)間或延后,價(jià)格由市場(chǎng)決定

2021年,kEcesmc

3月,有消息說(shuō)DDR5內(nèi)存下半年出樣,2022年量產(chǎn)。kEcesmc

4月,嘉合勁威旗下品牌阿斯加特宣布,首批DDR5內(nèi)存條量產(chǎn)入倉(cāng),已經(jīng)完成備貨,預(yù)計(jì)會(huì)在英特爾和AMD發(fā)布下一代處理器的時(shí)候上市。kEcesmc

阿拉斯特目前所研發(fā)的高規(guī)格DDR5內(nèi)存中,最高為128GB 6400MHz,預(yù)計(jì)在2022年量產(chǎn)。另外還有128GB/64GB 5600MHz規(guī)格的型號(hào),計(jì)劃在下半年進(jìn)行生產(chǎn)和發(fā)布。kEcesmc

5月,有消息表示金士頓DDR5內(nèi)存預(yù)計(jì)第三季度發(fā)貨。kEcesmc

然而,由于受到疫情影響導(dǎo)致芯片短缺,波及各產(chǎn)業(yè)鏈和生產(chǎn)代工廠,因此,DDR5內(nèi)存的上市時(shí)間或許會(huì)延后。kEcesmc

由于內(nèi)存市場(chǎng)波動(dòng)很大,DDR5上市以后的價(jià)格也將根據(jù)當(dāng)時(shí)的情況由廠家和市場(chǎng)決定。kEcesmc

參考來(lái)源

https://blog.csdn.net/weixin_30258621/article/details/112328291kEcesmc

https://article.pchome.net/content-2131787.htmlkEcesmc

責(zé)任編輯:MomokEcesmc

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