圖形模塊

5月11日，凌華科技推出業(yè)內(nèi)首款基于NVIDIA Turing架構(gòu)的圖形模塊，以加速邊緣AI推理，適用于對尺寸、重量與功耗（SWaP）有嚴(yán)格限制的應(yīng)用。有越來越多的邊緣應(yīng)用依靠GPU實現(xiàn)AI推理，同時必須考慮SWaP限制。凌華科技嵌入式MXM圖形模塊可提供強(qiáng)大的計算能力，將邊緣處的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為可執(zhí)行的洞察，且采用符合系統(tǒng)集成商、獨立軟件供應(yīng)商和原始設(shè)備制造商需求的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，兼顧性能與功耗。egXesmc

egXesmc

凌華科技的嵌入式MXM圖形模塊可加速眾多計算密集型應(yīng)用的邊緣計算和邊緣AI，且尤其適用于如通風(fēng)不良、密閉或具腐蝕性的嚴(yán)苛環(huán)境。相關(guān)應(yīng)用包括醫(yī)學(xué)影像、工業(yè)自動化、生物識別訪問控制、自主移動機(jī)器人、交通、航天和國防等。隨著邊緣AI應(yīng)用的普及，業(yè)界對高性能、低功耗GPU?？斓男枨笠才c日俱增。egXesmc

凌華科技嵌入式MXM圖形模塊：可通過NVIDIA^® CUDA^®、Tensor和RT核心加速計算；尺寸只有全高全長PCI Express圖形卡的五分之一；使用壽命為非嵌入式圖形模塊的三倍以上；功耗低至50瓦。egXesmc

柵極驅(qū)動器

5月11日，英飛凌推出集成式功率級（IPS）產(chǎn)品CoolGaN™ IPS系列，其產(chǎn)品組合包括半橋和單通道產(chǎn)品，目標(biāo)市場為低功率至中功率的應(yīng)用，例如充電器、適配器以及其他開關(guān)電源（SMPS）。egXesmc

egXesmc

據(jù)悉，代表產(chǎn)品600V CoolGaN 半橋式 IPS IGI60F1414A1L適合低功率至中功率范圍、小型輕量化的設(shè)計應(yīng)用。外觀為8x8 QFN-28封裝型式，針對散熱效能進(jìn)行強(qiáng)化，可為系統(tǒng)提供極高的功率密度。此產(chǎn)品包含兩個140mΩ/600V CoolGaN增強(qiáng)型（e-mode）HEMT開關(guān)以及英飛凌EiceDRIVER™系列中的電氣隔離專用高低側(cè)柵極驅(qū)動器。egXesmc

隔離柵極驅(qū)動器擁有兩個數(shù)字PWM輸入，讓IGI60F1414A1L更易于控制。 為了達(dá)到縮短開發(fā)時間、減少系統(tǒng)物料清單項目和降低總成本等目標(biāo)，利用集成隔離功能、明確分隔數(shù)字和電源接地以及簡化PCB配置等，皆是不可或缺的要素。柵極驅(qū)動器采用英飛凌的單芯片無磁芯變壓器（CT）技術(shù)，將輸入與輸出有效隔離。 即便在電壓上升或下降速率超過150V/ns的超快速切換瞬時下，仍可確保高速特性和穩(wěn)定性。egXesmc

此外，系統(tǒng)級封裝集成和柵極驅(qū)動器具備的高精度和穩(wěn)定的傳輸延遲，可讓IGI60F1414A1L提供最低的系統(tǒng)死區(qū)時間。 這將有助于系統(tǒng)效率極大化，使充電器和適配器解決方案的功率密度提升至更高水平，達(dá)到35 W/in³。 靈活、簡單及快速的設(shè)計特色，也適用于如LLC諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、馬達(dá)驅(qū)動器等其他應(yīng)用。egXesmc

隔離式柵極驅(qū)動器

5月18日，Silicon Labs宣布其隔離柵極驅(qū)動器產(chǎn)品系列增加新成員Si828x版本2。這一更新使該產(chǎn)品系列能夠?qū)崿F(xiàn)高效的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動，從而滿足不斷發(fā)展的半橋和全橋逆變器及電源市場，這些設(shè)備需要提高功率密度、降低運行溫度并減少開關(guān)損耗。egXesmc

egXesmc

Si828x產(chǎn)品系列擁有多項優(yōu)勢，這使其非常適合混合動力和電動汽車（EV）及工業(yè)應(yīng)用。在設(shè)計汽車充電器和牽引逆變器時，將SiC FET用于功率開關(guān)的客戶可以極大地受益于Si828x獨特的功能組合，包括強(qiáng)健的柵極驅(qū)動、強(qiáng)大的去飽和故障響應(yīng)和高效率的米勒鉗位。egXesmc

同時，Silicon Labs與SiC解決方案的主要提供商Wolfspeed進(jìn)行合作，其柵極驅(qū)動器已經(jīng)通過了Wolfspeed SiC MOSFET的測試。egXesmc

Chiplet

5月19日，Credo發(fā)布其最新產(chǎn)品Nutcracker——業(yè)內(nèi)首款3.2Tbps XSR低功耗、單通道速率為112Gbps的高速連接Chiplet。為適應(yīng)下一代MCM (多芯片組件) ASIC的應(yīng)用需求，該產(chǎn)品在功耗及連接距離性能上進(jìn)行了深度優(yōu)化，可用于高速交換機(jī)、高性能計算、人工智能（AI）、機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)和光電合封（CPO）等多種場景。egXesmc

Nutcracker Host端有32條低功耗112G XSR SerDes 通道，用于與片上系統(tǒng)（SOC）的主ASIC通信。Line端有32條采用DSP優(yōu)化技術(shù)的低功耗112G MR+通道, 用于提供向外通信的接口。egXesmc

Credo獨特的DSP技術(shù)使其能夠在保證低功耗的前提下，采用TSMC 12nm成熟工藝制程來開發(fā)生產(chǎn)這款32x112Gbps XSR <—> 32x112Gbps MR+ Retimer 裸片。相比之下, 其他替代解決方案則將需要使用更為昂貴的7nm或5nm工藝節(jié)點。egXesmc

經(jīng)Credo優(yōu)化設(shè)計的芯片架構(gòu)，使SOC ASIC供應(yīng)商能夠通過使用面積節(jié)省和功耗較低的XSR接口，最大限度發(fā)揮其核心處理功能。Nutcracker可為MCM提供強(qiáng)大的封裝外部接口，以便于其集成在各種系統(tǒng)級配置中。目前，Nutcracker已投入量產(chǎn)。egXesmc

SiC MOSFET

5月20日， UnitedSiC宣布繼續(xù)擴(kuò)展FET產(chǎn)品組合，并推出六款全新的650V和1200V產(chǎn)品，所有這些器件均采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝?？商峁?0、40、80和150mΩ版本，表明碳化硅器件在加速向服務(wù)器和電信電源、工業(yè)電池充電器和電源、電動汽車車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的擴(kuò)展過程中又邁出了一大步。egXesmc

egXesmc

D2PAK-7L SiC FET支持大幅提高的開關(guān)速度，通過開爾文（Kelvin）源極連接改善了柵極驅(qū)動器的回路性能，并具有業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力。通過利用銀燒結(jié)技術(shù)（Ag Sintering），可以在常規(guī)PCB以及復(fù)雜的絕緣金屬基板（IMS）上完成管芯貼附。此外，它們具有出色的爬電距離（6.7mm）和電氣間隙能力（6.1mm），這意味著即使在更高電壓下也可以確保最高的操作安全性。egXesmc

MOSFET

5月25日，Vishay推出多功能新型30Vn溝道TrenchFET^®第五代功率MOSFET——SiSS52DN，提升隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率密度和能效。該器件采用熱增強(qiáng)型3.3mm x 3.3mm PowerPAK® 1212-8S封裝，10V條件下導(dǎo)通電阻僅為0.95mW，比上一代產(chǎn)品低5%。此外，4.5V條件下器件導(dǎo)通電阻為1.5mW，而4.5V條件下導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為29.8mW*nC。egXesmc

egXesmc

SiSS52DN的FOM比上一代器件低29%，從而降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，節(jié)省功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能源。且適用于同步整流、同步降壓轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)柜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、OR-ring FET低邊開關(guān)，以及服務(wù)器、通信和RF設(shè)備電源的負(fù)載切換。MOSFET可提高隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的性能，簡化設(shè)計人員兩種電路的器件選擇。目前SiSS52DN現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為12周。egXesmc

責(zé)任編輯：MomoegXesmc