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4月新品推薦:智能模塊、傳感器、nvSRAM、MEMS麥克風(fēng)、MOSFET

本月將推薦8款上新產(chǎn)品,包括控制模塊、SiC智能功率模塊、控制器IC、TMR傳感器IC、紅外傳感器、nvSRAM、MEMS麥克風(fēng)、MOSFET,多應(yīng)用在智能工廠、航天航空、汽車及車艙、智能硬件等領(lǐng)域。

運動控制和觸發(fā)模塊

4月14日,凌華科技推出兩款全新EtherCAT模塊—— ECAT-4XMO運動控制和觸發(fā)模塊,以及ECAT-TRG4觸發(fā)模塊,適用于凌華科技6通道EU系列數(shù)字I/O設(shè)備。由此,EU從站系列產(chǎn)品線得以完美補足,可提升自動組裝、測試和檢查設(shè)備的性能,如手機玻璃屏檢測、電池組裝、相機鏡頭組裝和測試、點膠設(shè)備和檢查設(shè)備等。ik3esmc

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ECAT-4XMO運動控制和觸發(fā)模塊是一款4通道控制和高速觸發(fā)模塊,可連接至EtherCAT或非EtherCAT電機,包括步進電機、線性電機、直流驅(qū)動電機及交流電機。ECAT-4XMO的高級功能包括高精度運動插補、連續(xù)軌跡規(guī)劃、軸同步、以Point Table定位進行電路限制和2D補償。ik3esmc

ECAT-TRG4的卓越性能則包括高速位置比較觸發(fā)器(4通道,10MHz線性/表格)、脈沖輸出(12MHz)、編碼輸入(20MHz),并支持編碼器信號中繼器操作。ECAT-TRG4還具備靈活的擴展接口,可輕松連接攝像頭和氣槍。在測試應(yīng)用中,EtherCAT系統(tǒng)可節(jié)省高達10%的總體擁有成本(TCO),并提高30%的生產(chǎn)率。ik3esmc

SiC智能功率模塊

4月27日,CISSOID推出了一種基于輕質(zhì)AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM),以滿足航空和其他特殊工業(yè)應(yīng)用中針對自然空氣對流或背板冷卻的需求。此項高溫芯片和模塊技術(shù)平臺亦將大力推動電動汽車動力總成系統(tǒng)(電機、電控及變速箱)的深度整合,以使其體積、重量及相應(yīng)成本大幅降低,并實現(xiàn)最佳能源效率。ik3esmc

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CISSOID的IPM技術(shù)平臺可迅速適應(yīng)新的電壓、功率和冷卻要求,極大地加速了基于SiC的功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計,從而實現(xiàn)了高效率和高功率密度。嵌入式柵級驅(qū)動器解決了與快速開關(guān)SiC晶體管有關(guān)的多個挑戰(zhàn):例如用負驅(qū)動和有源米勒鉗位(AMC)來防止寄生導(dǎo)通;去飽和檢測(DeSAT)和軟關(guān)斷(SSD)可以快速且安全地應(yīng)對短路事件。柵極驅(qū)動器上的欠壓鎖定(UVLO)和DC總線電壓監(jiān)視系統(tǒng)以確保正常運行,等等。ik3esmc

新的風(fēng)冷模塊 (CMT-PLA3SB340AA和CMT-PLA3SB340CA) 系專為無法使用液體冷卻的應(yīng)用而設(shè)計,例如航空機電執(zhí)行器和功率轉(zhuǎn)換器等等。該模塊的額定阻斷電壓為1200V,最大連續(xù)電流為340A;導(dǎo)通電阻僅有3.25mΩ,而開關(guān)損耗僅為分別為8.42mJ和7.05mJ(在600V 300A條件下)。該功率模塊的額定結(jié)溫為175℃,而柵極驅(qū)動器的額定環(huán)境溫度為125℃,通過AlSiC扁平底板冷卻,熱阻較低、耐熱性強。ik3esmc

4功率因數(shù)校正控制器IC

4月13日,Power Integrations推出內(nèi)含Qspeed™低反向恢復(fù)電荷(Qrr)升壓二極管的HiperPFS™-4功率因數(shù)校正(PFC)控制器IC。該組合可以為75W至400W的PC、電視機和類似應(yīng)用提供超過98%的滿載效率。ik3esmc

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PI介紹稱,使用HiperPFS-4 IC的設(shè)計在整個負載范圍內(nèi)表現(xiàn)出極高的效率,在230VAC下的空載功耗僅為36mW。HiperPFS-4產(chǎn)品系列不僅非常適合PC和電視機應(yīng)用,而且也適用于電池充電器、電動工具、工業(yè)電源和LED照明。HiperPFS-4 IC中集成的有源器件的額定電壓為600V,從而可以輕松滿足常用的80%降額規(guī)范。ik3esmc

HiperPFS-4 IC將連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM) PFC控制電路、升壓二極管和600V MOSFET集成在一個器件中。通過加入升壓二極管,減少了散熱片的安裝,從而使設(shè)計更簡單,溫升性能更佳。而且,將Qspeed二極管集成在IC內(nèi)部可以將走線上的寄生電感最小化,進而在交流輸入發(fā)生浪涌的情況下具有更高的可靠性,功率開關(guān)在瞬態(tài)期間其兩端呈現(xiàn)的電壓尖峰最多可降低50V。因此,當(dāng)采用385VDC的恒壓母線供電時,集成的600V MOSFET能夠輕松滿足80%的降額要求。ik3esmc

HiperPFS-4 IC可以在20%以上負載時實現(xiàn)大于0.95的功率因數(shù)。Qspeed升壓二極管針對連續(xù)導(dǎo)通模式PFC操作進行了優(yōu)化,具有非常低的反向恢復(fù)損耗,其性能接近碳化硅器件,卻不會帶來成本的增加。目前,4功率因數(shù)校正(PFC)控制器IC現(xiàn)已開始批量供貨。ik3esmc

TMR傳感器IC

艾普凌科有限公司(ABLIC)推出了“S-5701 B系列”表面貼裝隧道磁阻(TMR)傳感器IC,這款磁傳感器IC具有超低電流消耗、高磁靈敏度、長壽命的特點,工作電流消耗僅為160nA。它具有高靈敏度和超低電流消耗(160nA)的特點,使其成為一款解決傳統(tǒng)磁簧開關(guān)局限性的創(chuàng)新產(chǎn)品。ik3esmc

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S-5701 B系列使用3.3V電源電壓時,IC的平均電流消耗為160nA,約為普通AMR IC電流消耗的六分之一。其工作電壓范圍:1.7至5.5V,工作溫度范圍為-40至125℃,可滿足廣泛的工作環(huán)境要求。同時采用超薄TSOT-23-3S封裝,可提供BOP = 1.0mT的高磁靈敏度產(chǎn)品。ik3esmc

據(jù)悉,窗戶開關(guān)傳感器、電子鑰匙、煙霧探測器,煤氣表、水表、智能電表等應(yīng)用都可食用該IC產(chǎn)品。ik3esmc

室外用紅外傳感器模塊

4月26日,Vishay宣布,其Heimdall封裝的TSSP77038紅外(IR)傳感器模塊新增擴展溫度“E”選項的裝置——TSSP77038ETR。由于該器件采用牢固的Heimdall封裝設(shè)計,可在更寬的溫度范圍下工作,儲存溫度擴展至-40 ℃至+110 ℃,工作溫度擴展至-30 ℃至+85℃,專門滿足戶外應(yīng)用的特殊要求,包括車庫門光柵系統(tǒng)、門鎖以及包裝和垃圾箱傳感器。ik3esmc

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與Vishay的TSAL6200紅外發(fā)射管配合使用,50 mA正向電流下,TSSP77038ETR檢測距離達8 m。該裝置適合探測物體距離,可用于玩具、遙控飛機和機器人,還可用作反射式傳感器,用于干手機、毛巾或肥皂盒、自動水龍頭、衛(wèi)生間、自動售貨機落物探測以及安全門和寵物出入門。ik3esmc

傳感器模塊可接收峰值波長為940 nm的發(fā)射器的紅外脈沖,工作電壓2.5 V~5.5 V,供電電流低至0.7 mA,對38 kHz載波頻率敏感。器件對電源電壓紋波噪聲不敏感,可屏蔽EMI,日光濾光片可抑制可見光。傳感器模塊符合RoHS和Vishay綠色標準,無鹵素。ik3esmc

目前,TSSP77038ETR現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為8周。ik3esmc

nvSRAM

4月1日,英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC宣布推出第二代非易失性靜態(tài)RAM(nvSRAM)。新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認證,支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲和數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用,包括航天和工業(yè)應(yīng)用。ik3esmc

256Kb STK14C88C和1Mb STK14CA8C nvSRAM采用32引腳300mil雙列直插式陶瓷封裝,符合MIL-PRF-38535 QML-Q規(guī)格(-55℃至125℃)和英飛凌的工業(yè)標準(-40℃至85℃)。5V和3V版本均支持用于航天、通信和導(dǎo)航系統(tǒng)以及工業(yè)高爐和鐵路控制系統(tǒng)的引導(dǎo)代碼、數(shù)據(jù)記錄和校準數(shù)據(jù)存儲。英飛凌還提供晶圓銷售,以支持封裝系統(tǒng)。ik3esmc

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MEMS麥克風(fēng)

4月21日,英飛凌科技推出XENSIV™ IM67D130A。這款新器件結(jié)合了英飛凌在汽車行業(yè)的專業(yè)知識與高端MEMS麥克風(fēng)的領(lǐng)先技術(shù),可滿足汽車應(yīng)用對高性能、低噪聲MEMS麥克風(fēng)的需求。XENSIV™ IM67D130A是市場上首款通過汽車應(yīng)用認證的麥克風(fēng),這將有助于簡化設(shè)計工作,并降低認證失敗的風(fēng)險。ik3esmc

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該麥克風(fēng)的工作溫度范圍從-40℃到+105℃,可適用于各種惡劣的汽車環(huán)境。該產(chǎn)品具有130 dB SPL的高聲學(xué)過載點(AOP),可以在嘈雜的環(huán)境中捕獲無失真的音頻信號。因此,IM67D130A很適合車艙應(yīng)用,例如免提系統(tǒng)、緊急呼叫、艙內(nèi)通信和主動降噪(ANC)。不僅如此,該產(chǎn)品也非常適合汽車外部應(yīng)用,例如警笛或路況檢測。上述特征使得該產(chǎn)品作為輔助傳感器,用于高級駕駛輔助系統(tǒng)和預(yù)測性維護。ik3esmc

將67 dB的高信噪比(SNR)與超低失真相結(jié)合,該麥克風(fēng)可為語音識別應(yīng)用提供最佳的語音質(zhì)量和出色的語音交互智能。此外,該產(chǎn)品還具有緊湊的靈敏度匹配,可為多麥克風(fēng)陣列提供優(yōu)化的波束形成算法。XENSIV MEMS麥克風(fēng)IM67D130A完全符合AEC-Q103-003汽車應(yīng)用標準。ik3esmc

MOSFET

4月7日,Vishay推出通過AEC-Q101認證、全球先進的p溝道80V TrenchFET® MOSFET——SQJA81EP。新型器件導(dǎo)通電阻達到80Vp溝道器件優(yōu)異水平,可提高汽車應(yīng)用功率密度和能效。并且采用歐翼引線結(jié)構(gòu)5.13mm x 6.15mm PowerPAK® SO-8L小型單體封裝,10V條件下最大導(dǎo)通電阻僅為17.3mW /典型值為14.3mW。ik3esmc

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日前發(fā)布的汽車級MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低2 %,比前代解決方案低31%,占位面積減小50%,有助于降低導(dǎo)通功耗,節(jié)省能源,同時增加功率密度提高輸出。SQJA81EP 10 V條件下優(yōu)異的柵極電荷僅為52nC,減少柵極驅(qū)動損耗,柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積,即用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的MOSFET優(yōu)值系數(shù)(FOM)達到業(yè)界出色水平。ik3esmc

該新器件可在+175℃高溫下工作,滿足反向極性保護、電池管理、高邊負載開關(guān)和LED照明等汽車應(yīng)用牢固性和可靠性要求。此外,SQJA81EP鷗翼引線結(jié)構(gòu)還有助于提高自動光學(xué)檢測(AOI)功能,消除機械應(yīng)力,提高板級可靠性。ik3esmc

SQJA81EP現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為14周。ik3esmc

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