電源模塊

2月23日，Silicon Labs（芯科科技）推出全新的多合一隔離解決方案Si823Hx柵極驅(qū)動器板，可為最近發(fā)布的Wolfspeed WolfPACK™電源模塊提供支持。Wolfspeed電源模塊可用于眾多電源應(yīng)用，包括工業(yè)和汽車市場中的電動汽車（EV）充電器和電機(jī)驅(qū)動器。該板包含Si823Hx隔離柵極驅(qū)動器和集成了DC-DC轉(zhuǎn)換器的Si88xx數(shù)字隔離器，可以緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的設(shè)計提供卓越的性能，并針對各種模塊進(jìn)行了優(yōu)化。Ki0esmc

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據(jù)介紹，Si823Hx柵極驅(qū)動器板可高效地驅(qū)動和保護(hù)采用任何開關(guān)技術(shù)的電源模塊，包括在要求最嚴(yán)苛的大功率應(yīng)用中使用的先進(jìn)碳化硅（SiC）模塊。Ki0esmc

通過在小型封裝中內(nèi)置死區(qū)時間控制和重疊保護(hù)功能，雙通道Si823Hx隔離柵極驅(qū)動器提供了較大價值，其能夠以較少的設(shè)計工作量來安全地驅(qū)動半橋拓?fù)?。高度集成的Si88xx器件不僅可以將電源模塊的溫度傳輸給控制器，還可為板上電路提供所有電源，從而進(jìn)一步降低成本和簡化設(shè)計。Ki0esmc

IGBT 單管

2月23日，英飛凌科技推出650V關(guān)斷電壓的CoolSiC™ Hybrid IGBT單管。新款器件結(jié)合了650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT及CoolSiC™肖特基勢壘二極管的主要優(yōu)點，具有出色的開關(guān)頻率和更低的開關(guān)損耗，特別適用于DC-DC和功率因數(shù)校正（PFC）。其常見應(yīng)用包括：電池充電基礎(chǔ)設(shè)施、儲能系統(tǒng)、光伏逆變器、不間斷電源（UPS），以及服務(wù)器和電信開關(guān)電源（SMPS）。Ki0esmc

由于IGBT反并聯(lián)SiC肖特基勢壘二極管，在dv/dt和di/dt值幾乎不變下，CoolSiC™ Hybrid IGBT能大幅降低開關(guān)損耗。與標(biāo)準(zhǔn)的Si二極管解決方案相比，新產(chǎn)品可降低多達(dá)60%的E_on和30%的E_off。也可在輸出功率保持不變下，開關(guān)頻率提高至少40%。較高的開關(guān)頻率有助于減小無源器件的尺寸，進(jìn)而降低物料成本。該Hybrid IGBT可直接替代TRENCHSTOP™ 5 IGBT，無需重新設(shè)計，便能使每10kHz開關(guān)頻率提升0.1%的效率。Ki0esmc

此產(chǎn)品系列可作為全Si解決方案和高效能SiC MOSFET設(shè)計之間的銜接，與全Si設(shè)計相比，Hybrid IGBT可提升電磁兼容性和系統(tǒng)可靠性。由于SiC肖特基勢壘二極管的單極性特性，使二極管能快速開關(guān)，而不會有嚴(yán)重的振蕩和寄生導(dǎo)通的風(fēng)險。此系列提供TO-247-3或TO-247-4引腳的Kelvin Emitter封裝供客戶選擇。Kelvin Emitter封裝的第四引腳可實現(xiàn)超低電感的柵極發(fā)射極控制回路，并降低總開關(guān)損耗。Ki0esmc

AI深度學(xué)習(xí)加速平臺

2月2日，凌華科技推出高度緊湊且支持GPU的全新DLAPx86系列深度學(xué)習(xí)加速平臺，是目前市場上較為緊湊的GPU深入學(xué)習(xí)加速平臺。DLAPx86系列可用于部署邊緣處的大規(guī)模深度學(xué)習(xí)，采集邊緣產(chǎn)生的數(shù)據(jù)并采取行動。DLAPx86系列針對大規(guī)模邊緣AI布署所設(shè)計，可將深度學(xué)習(xí)帶進(jìn)終端，拉近與現(xiàn)場資料、現(xiàn)場決策應(yīng)變的距離。該平臺的優(yōu)化配置可加速需要大量內(nèi)存的計算密集型AI推理和任務(wù)學(xué)習(xí)，助力各行業(yè)應(yīng)用的AI部署。Ki0esmc

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DLAPx86系列優(yōu)勢：（1）高性能異構(gòu)架構(gòu)——采用Intel^®處理器和NVIDIA Turing™ GPU架構(gòu)，提供比其他技術(shù)更高的GPU加速運(yùn)算以及優(yōu)化的每瓦效能和每單位投資效能。（2）DLAPx86系列的最小體積僅為3.2升，是移動醫(yī)療成像設(shè)備等緊湊型移動設(shè)備和儀器的理想選擇。（3）DLAPx86系列采用堅固耐用型設(shè)計，可承受高達(dá)50攝氏度/240瓦特的散熱溫度及2Grms的振動強(qiáng)度，并提供高達(dá)30Grms的防震保護(hù)，具備工業(yè)、制造業(yè)和醫(yī)療環(huán)境所需的可靠性。Ki0esmc

DLAPx86在邊緣AI應(yīng)用中在效能、體積、重量、功耗等設(shè)計取得平衡，將每瓦效能、每單位投資效能極大化，應(yīng)用案例包括：Ki0esmc

• 移動醫(yī)療成像設(shè)備：C型臂、內(nèi)窺鏡系統(tǒng)、手術(shù)導(dǎo)航系統(tǒng)
• 制造生產(chǎn)：對象識別、機(jī)器人拾取和放置、質(zhì)量檢驗
• 用于知識遷移的邊緣AI服務(wù)器：結(jié)合預(yù)訓(xùn)練AI模型與本地數(shù)據(jù)集

熱敏電阻

2月18日，Vishay推出新款符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)的NTC熱敏電阻——NTCLE350E4，采用PEEK絕緣鎳鐵（NiFe）合金引線，熱梯度低。而且其熱敏電阻耐高溫達(dá)+185℃，適合各種汽車應(yīng)用快速、高精度溫度檢測。Ki0esmc

NiFe合金NTCLE350E4傳感器導(dǎo)線導(dǎo)熱性目前在市場上最低。因此，器件熱梯度小于0.01K/K（或1%），幾乎不向周圍環(huán)境散發(fā)熱量，可進(jìn)行高精度溫測，優(yōu)于銅等其他導(dǎo)線材料幾個度量級。為加強(qiáng)高濕度條件下的可靠性，傳感器PEEK絕緣引線與封裝環(huán)氧樹脂之間具有高粘合強(qiáng)度。NTC檢測芯子最大直徑為2.4mm，空氣中快速響應(yīng)時間為6秒。Ki0esmc

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NTCLE350E4具有高精度、快速響應(yīng)和耐高溫能力，適用于內(nèi)燃發(fā)動機(jī)冷卻液、燃料、歧管氣體壓力（MAP / TMAP）傳感器，以及暖通空調(diào)（HVAC）應(yīng)用。在電力牽引電機(jī)中，器件可灌封或模壓到傳感器中，保護(hù)大電流連接器。除廢氣再循環(huán)（EGR）應(yīng)用外，NTCLE350E4還可以用作變速箱系統(tǒng)和液冷起動發(fā)電機(jī)系統(tǒng)的油溫傳感器（OTS）。Ki0esmc

目前，NTCLE350E4現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為12周。Ki0esmc

光電二極管

2月19日，Vishay推出新款可見紅外高感光度高速硅PIN光電二極管——VEMD8081，擴(kuò)充光電二極管產(chǎn)品組合。該器件采用矩形4.8mm x 2.5mm頂視表面貼封裝，厚度薄至0.48mm，典型反向光電流為33µA，提高可穿戴設(shè)備和醫(yī)療應(yīng)用生物傳感器性能。Ki0esmc

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VEMD8081在相同封裝尺寸條件下，反向光電流比其前身VEMD8080大15%，為設(shè)計人員提供直接替代器件，增加信號輸出提高性能，或減小LED電流延長電池壽命。Ki0esmc

VEMD8081位于兩個綠色脈動LED之間，可在運(yùn)動追蹤器和智能手表等可穿戴設(shè)備中進(jìn)行心率檢測。光電二極管接收皮膚反射回來的光，將其轉(zhuǎn)換為輸出電流，器件提高了靈敏度，可進(jìn)行更精確的測量。VEMD8081矩形形狀最大化光電二極管感光區(qū)，消除一般正方形光電二極管浪費(fèi)的面積。結(jié)合紅光和紅外發(fā)射器，器件適用于醫(yī)療監(jiān)護(hù)儀的SpO2測量。Ki0esmc

目前VEMD8081現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為10周。Ki0esmc

責(zé)任編輯：MomoKi0esmc