“預(yù)計 2021年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到5020億美元，增幅為12%。其中，以DRAM和NAND為代表的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品市場規(guī)模為1460億美元，增長達(dá)19%。盡管我們已經(jīng)為應(yīng)對需求增長的趨勢投入了非常多的資源，但DRAM市場未來幾年內(nèi)仍將維持供不應(yīng)求的局面。”15Wesmc

這是美光科技(Micron)執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana日前在美光1α節(jié)點 DRAM產(chǎn)品發(fā)布會上做出的預(yù)測。他表示，科技正在加速發(fā)展，突如其來的新冠疫情加速了企業(yè)和消費者對數(shù)字技術(shù)的采用，云端和設(shè)備端市場的旺盛需求直接推動了DRAM產(chǎn)品的大幅增長。以5G智能手機(jī)為例，Sadana預(yù)計，2021年5G智能手機(jī)的出貨量會是2020年的兩倍，達(dá)到5億部。15Wesmc

缺貨漲價將成為常態(tài)

美光科技最新公布的2021第一季度財報顯示，截至去年12月3日，美光營收總額為57.73億美元，較上一財年同期的51.44億美元增長12.23%，毛利潤17.36億美元，凈利潤8.03億美元。DRAM市場的需求激增推動了美光業(yè)務(wù)的增長，數(shù)據(jù)顯示，在上一個季度中，美光DRAM營收為40.56億美元，占總營收的70%，同比增長16.9%。15Wesmc

Sadana對《國際電子商情》表示，半導(dǎo)體行業(yè)供需嚴(yán)重失衡已經(jīng)對不少公司的運營產(chǎn)生了影響。“我們看到今年第一季度DRAM的價格開始上漲，一些DRAM的零部件開始出現(xiàn)短缺，在整個2021年自然年，這個需求不斷上升的趨勢會持續(xù)下去。但相比之下，NAND產(chǎn)品在市場上的供應(yīng)仍然是充足的，市場會自行調(diào)節(jié)。” 15Wesmc

不過，Sadana表示，在面對芯片供應(yīng)不足問題時，美光一方面正在積極地配合中國客戶，通過合理分配產(chǎn)能來滿足他們的需求；另一方面也在與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈協(xié)作，希望在短期和中期擴(kuò)大供應(yīng)，解決晶圓代工產(chǎn)能不足的問題。15Wesmc

在談及影響2021年存儲市場的一些因素時，Sadana說驅(qū)動力將首先來自于數(shù)據(jù)中心和客戶端設(shè)備對SSD的大規(guī)模采用。為了適應(yīng)數(shù)據(jù)不斷增長的趨勢，2021年會有很多數(shù)據(jù)中心開始采用NVMe/SSD產(chǎn)品。而由于NAND價格不斷下跌，目前全球有高達(dá)90%以上的輕薄或是企業(yè)級筆記本電腦搭載了SSD，在PlayStation/XBox游戲主機(jī)中同樣如此。未來，SSD全面取代硬盤將成為不可逆轉(zhuǎn)的趨勢。15Wesmc

從64GB到現(xiàn)在的256GB，智能手機(jī)對NAND的需求也在急速增長。與此同時，考慮到所有進(jìn)入手機(jī)的DRAM當(dāng)中，有將近60%是和NAND封裝在一起的，所以能夠帶來更低功耗，更強(qiáng)性能的多芯片封裝將成為趨勢。15Wesmc

“下一個十年，內(nèi)存與存儲技術(shù)在汽車領(lǐng)域的成長會是最快的，我們看到汽車行業(yè)增加了他們的需求。”Sadana認(rèn)為就像蘋果改寫了手機(jī)行業(yè)一樣，特斯拉也顛覆了人們對電動汽車的想象，電動汽車的成長可能會超出預(yù)期。他強(qiáng)調(diào)說，汽車數(shù)字化和電動化的發(fā)展趨勢非常顯著，未來軟件定義汽車將成為汽車開發(fā)的核心，車載娛樂系統(tǒng)、輔助駕駛等新興功能不但對計算處理能力提出需求，對DRAM和NAND也是如此。“我這里所說的提升不是20%或是40%，而是好幾倍。”他說。15Wesmc

世界上最先進(jìn)的DRAM技術(shù)

再讓我們將目光轉(zhuǎn)回1α節(jié)點的DRAM產(chǎn)品。15Wesmc

按照Sadana的說法，該制程是目前世界上最為先進(jìn)的DRAM技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。例如對比上一代的1z DRAM制程，1α技術(shù)將內(nèi)存密度提升了40%。這也是繼最近首推全球最快顯存和176層 NAND產(chǎn)品后，美光實現(xiàn)的又一突破性里程碑，進(jìn)一步加強(qiáng)了公司在業(yè)界的競爭力。15Wesmc

根據(jù)規(guī)劃，美光的1α先進(jìn)內(nèi)存節(jié)點將提供8Gb至16Gb的密度，并會在位于臺灣地區(qū)的工廠批量生產(chǎn)1α節(jié)點DRAM，首先出貨的是面向運算市場的DDR4內(nèi)存以及英睿達(dá)(Crucial)消費級PC DRAM產(chǎn)品。美光同時也已開始向移動客戶提供LPDDR4樣片進(jìn)行驗證，并計劃在2021自然年內(nèi)推出基于該技術(shù)的更多產(chǎn)品。15Wesmc

Sadana還透露，接下來，美光不但為從1α到1β、1γ、1δ制定了相應(yīng)的路線圖，也正在評估將EUV光刻機(jī)納入DRAM制程的可行性。“在衡量成本后，我們會在適當(dāng)?shù)臅r候?qū)UV技術(shù)納入產(chǎn)品組合中，但前提是該技術(shù)能夠提供絕佳成本效益。”但在此之前，考慮到多重曝光浸潤式光刻(multi-patterning immersion lithograph)技術(shù)非常成熟，所以美光認(rèn)為不需要過早引進(jìn)EUV技術(shù)。15Wesmc

對于中國競爭對手的發(fā)展，Sadana表示，“芯片產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展不僅僅是技術(shù)問題，還包括制造和產(chǎn)能規(guī)?；哪芰?，以及大規(guī)模量產(chǎn)之后產(chǎn)品的穩(wěn)定性等。”15Wesmc