柵極驅(qū)動IC

2021年1月4日，英飛凌科技推出全新 EiceDRIVER™ 2EDL8柵極驅(qū)動IC產(chǎn)品系列，以滿足移動網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)備DC-DC電信磚的增長需求。這款雙通道接面隔離式柵極驅(qū)動IC能為隔離式DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器/電信磚提供高功率密度、高效率和耐用度，助力打造5G和LTE電信基礎(chǔ)設(shè)備的宏基站。H3Qesmc

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新款2EDL8系列包含四個版本，分為兩種不同的上拉電流和兩種不同的輸入配置。3A（安培）版本適合用于改裝設(shè)計，領(lǐng)先業(yè)界的4A（安培）版本則適用于降低MOSFET開關(guān)耗損。H3Qesmc

其中，2EDL802x的雙通道可分別獨立運作，是一次側(cè)對角驅(qū)動全橋及二次側(cè)同步整流級用于降低續(xù)流（freewheeling）損耗的理想選擇。2EDL812x采用差分輸入結(jié)構(gòu)，并內(nèi)置直通（shoot-through）保護，是DC-DC磚式轉(zhuǎn)換器非對角驅(qū)動一次側(cè)半橋級的完美選擇。H3Qesmc

2EDL8具備整合式120V自舉二極管和精準的通道對通道傳播延遲匹配（典型值±2ns）。此系列所有產(chǎn)品皆采用符合業(yè)界標準的PG-VDSON-8無引線封裝和引腳輸出。H3Qesmc

低噪聲放大器

1月26日，Qorvo推出針對基站基礎(chǔ)設(shè)施部署[包括5G大規(guī)模MIMO（m-MIMO）]量身定制的高性能低噪聲放大器（LNA）系列產(chǎn)品——QPL9547、QPL9057、QPL9058和QPL9504。全新系列LAN外形小巧，兼具業(yè)界最低的噪聲系數(shù)（2GHz時可達0.3dB）與出色的可靠性和可擴展性。H3Qesmc

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該系列的旗艦產(chǎn)品QPL9547 LNA采用Qorvo新一代增強模式贗晶型高電子遷移率晶體管 （pHEMT）工藝，可為蜂窩基站提供市場領(lǐng)先的噪聲系數(shù)和更高的接收器靈敏度。這款LNA可實現(xiàn)內(nèi)部匹配，采用2mm x 2mm緊湊型封裝，為系統(tǒng)設(shè)計節(jié)省了空間。該產(chǎn)品系列中的其他LNA（如QPL9057、QPL9058和QPL9504）均經(jīng)過優(yōu)化，可提供5G無線基礎(chǔ)設(shè)施所需的高增益和禁用引腳功能。H3Qesmc

目前，全系列產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)，開始供貨。H3Qesmc

微控制器

1月13日，東芝電子推出五組全新的微控制器——M4K、M4M、M4G、M4N和M3H，且均屬于TXZ+™族。其中M4K、M4M、M4G和M4N組基于Arm^® Cortex^®-M4內(nèi)核；M3H組基于Arm^® Cortex^®-M3內(nèi)核。全組均可實現(xiàn)低功耗，適合多種類型的應(yīng)用，如電機控制、互聯(lián)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、先進傳感功能等。H3Qesmc

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該系列高級微控制器的最高工作頻率達200MHz，閃存存儲容量最大為2MB，并集成12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器，還集成了應(yīng)用專用外圍設(shè)備，如高效率電機控制引擎或豐富的連接接口。H3Qesmc

工程樣片將從2020財年第四季度開始提供（2021年1月到3月），量產(chǎn)將從2021財年第二季度開始（2021年7月到9月）。此外，還將同時提供相關(guān)文檔、開發(fā)工具和示例軟件。H3Qesmc

收發(fā)器模塊

1月6日，Summit Wireless推出了一款全新的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）收發(fā)器模塊，該模塊旨在將音頻信號以無線的方式從電視和條形音箱低成本地傳輸?shù)江h(huán)繞聲和低音炮音箱，從而便捷地獲得沉浸式聲效體驗。H3Qesmc

這款名為“Discovery”的全新模塊由Summit Wireless先進的Wi-Fi兼容軟件提供支持，該軟件專為固定的低延遲無線音頻傳輸而設(shè)計。這款收發(fā)器模塊可在寬達10平方米的房間內(nèi)保持多達4個獨立的無線音頻通道完全同步。Discovery模塊非常適合入門級家庭娛樂系統(tǒng)，包括條形音箱、電視、低音炮和杜比全景聲（DolbyAtmos^®）應(yīng)用等。H3Qesmc

Discovery模塊引入了一個名為“ConexUs™”的新型無線揚聲器配對過程選項，該選項只需一個簡單的按鈕即可對揚聲器進行配對并為其分配合適的音頻通道。一旦揚聲器接通電源并放置在所需的家庭影院配置中，配對過程通常只需不到60秒的時間。ConexUs配對過程無需訪問路由器、網(wǎng)絡(luò)密碼、特殊用戶界面或移動應(yīng)用程序，從而極大地簡化了消費者的開箱即用體驗。H3Qesmc

時鐘發(fā)生器

1月28日，Silicon Labs推出在其AEC-Q100合規(guī)的Si5332-AM時鐘發(fā)生器系列中采用的SmartClockTM新技術(shù)，為業(yè)界廣泛應(yīng)用的基于硅的汽車時鐘解決方案組合擴展了更多的功能。全新的SmartClockTM技術(shù)可主動監(jiān)測參考時鐘以檢測潛在故障，并提供內(nèi)置的時鐘冗余功能。H3Qesmc

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Silicon表示，汽車電子設(shè)計傳統(tǒng)上依賴于石英晶體和振蕩器，它們在整個使用壽命中容易發(fā)生故障。隨著汽車應(yīng)用對時鐘的要求變得越來越復(fù)雜，所需的精密時鐘數(shù)量也在不斷增加。我們的SmartClockTM新技術(shù)為系統(tǒng)設(shè)計人員提供了新工具，可以主動監(jiān)測系統(tǒng)時鐘的運行狀況和可靠性，提高每個設(shè)計的彈性和操作性。H3Qesmc

如果檢測出故障情況，SmartClockTM會與外部的系統(tǒng)微控制器或系統(tǒng)安全管理器共享信息，它們會轉(zhuǎn)而指示Si5332-AM切換到冗余的備份源，以確保系統(tǒng)繼續(xù)安全運行。在僅需對單一時鐘進行運行監(jiān)測的應(yīng)用中，新型的Si5118-AM SmartClockTM合成器可以在參考時鐘源和端點之間運行。這些創(chuàng)新的功能有助于解決汽車網(wǎng)絡(luò)、先進駕駛輔助系統(tǒng)、自動駕駛以及車載信息娛樂系統(tǒng)（IVI）/數(shù)字駕艙等應(yīng)用的電子設(shè)計中日益復(fù)雜的時鐘挑戰(zhàn)。H3Qesmc

泛光照明器

艾邁斯半導(dǎo)體本月帶來兩款泛光照明器。一款是全球首款符合AEC-Q102和ISO 26262標準的VCSEL泛光照明器，另一款是針對工業(yè)市場2D/3D傳感應(yīng)用推出的VCSEL紅外泛光照明器。H3Qesmc

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1月12日推出的新型TARA2000-AUT系列VCSEL（垂直腔面激光發(fā)射器）泛光照明器，非常適合基于2D近紅外成像或3D TOF傳感的新型光學(xué)車內(nèi)傳感（ICS）系統(tǒng)，支持下一代汽車輔助駕駛和自動駕駛技術(shù)。H3Qesmc

在監(jiān)測駕駛員駕駛過程中注意力是否高度集中的駕駛員狀態(tài)監(jiān)測系統(tǒng)（DMS）中，較高的光輸出功率可覆蓋整個照明區(qū)域（FOI），意味著一顆高功率TARA2000-AUT照明器即可取代多個低功率發(fā)射器。這將使得汽車OEM廠商可以利用該技術(shù)來減小模塊占用的空間、減少元器件數(shù)量并降低成本。TARA2000-AUT的峰值光輸出中心波長為940nm，光譜非常窄，使汽車OEM廠商可以輕松應(yīng)對陽光帶來的干擾，提升監(jiān)測系統(tǒng)的性能和可靠性。H3Qesmc

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1月19日推出的紅外VCSEL泛光照明器EGA2000系列，旨在滿足工業(yè)制造商為機器人、協(xié)作機器人、自動導(dǎo)引車以及使用2D/3D光學(xué)傳感的智能設(shè)備開發(fā)各種創(chuàng)新應(yīng)用。H3Qesmc

在對所有關(guān)鍵元器件實行嚴格品控的供應(yīng)鏈管理下，艾邁斯半導(dǎo)體自主研發(fā)和生產(chǎn)的VCSEL和勻光片可保證每一顆EGA2000系列產(chǎn)品都能夠提供均勻、嚴格符合設(shè)計規(guī)格的高功率泛光照明，而這對于測距、物體檢測、臉部識別這類新興應(yīng)用尤為重要——這些應(yīng)用均需配合2D或是更復(fù)雜的基于飛行時間（ToF）或立體視覺（SV）3D技術(shù)，其高效地泛光性能乃是重中之重。H3Qesmc

MOSFET

1月11日，Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的100Vp溝道TrenchFET^® MOSFET——SQJ211ELP，用以提高汽車應(yīng)用功率密度和能效。該器件不僅是業(yè)內(nèi)首款鷗翼引線結(jié)構(gòu)5mm x 6mm緊湊型PowerPAK^® SO-8L封裝器件，而且10V條件下其導(dǎo)通電阻僅為30mΩ，達到業(yè)內(nèi)優(yōu)異水平。H3Qesmc

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據(jù)悉，這款汽車級MOSFET與最接近的DPAK和D2PAK封裝競品器件相比，導(dǎo)通電阻分別降低26%和46%，占位面積分別減小50%和76%。SQJ211ELP低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通功耗，從而節(jié)省能源，10V條件下優(yōu)異的柵極電荷僅為45nC，減少柵極驅(qū)動損耗。H3Qesmc

這款新型MOSFET可在+175℃高溫下工作，滿足反向極性保護、電池管理、高邊負載開關(guān)和LED照明等汽車應(yīng)用牢固性和可靠性要求。此外，SQJ211ELP鷗翼引線結(jié)構(gòu)還有助于提高自動光學(xué)檢測（AOI）功能，消除機械應(yīng)力，提高板級可靠性。H3Qesmc

SQJ211ELP現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為14周。H3Qesmc

肖特基二極管

1月28日，Vishay推出十款新型650V碳化硅（SiC）肖特基二極管。該器件采用混合PIN Schottky（MPS）結(jié)構(gòu)設(shè)計，通過降低開關(guān)損耗提升高頻應(yīng)用能效，不受溫度變化的影響—從而使二極管能夠在更高的溫度下工作。H3Qesmc

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新發(fā)布的MPS二極管可屏蔽肖特基勢壘產(chǎn)生的電場，減少漏電流，同時通過空穴注入提高浪涌電流能力。與硅肖特基器件相比，新型二極管處理電流相同的情況下，正向壓降僅略有上升，堅固程度明顯提高。H3Qesmc

該器件適用于服務(wù)器、電信設(shè)備、UPS和太陽能逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域的功率因數(shù)校正（PFC）續(xù)流、升降壓續(xù)流和LLC轉(zhuǎn)換器輸出整流，為設(shè)計人員實現(xiàn)系統(tǒng)優(yōu)化提供高靈活性。二極管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封裝，額定電流為4A~40A，可在+175℃高溫下工作。H3Qesmc

目前，新型SiC二極管現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為10周。H3Qesmc