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長江存儲(chǔ)年中試產(chǎn)192層3D NAND?官方辟謠

長江存儲(chǔ)強(qiáng)調(diào),關(guān)于公司下一步建設(shè)計(jì)劃具體情況請(qǐng)以公司官方渠道為準(zhǔn)。

日經(jīng)亞洲評(píng)論12日引述未具名消息人士報(bào)導(dǎo),長江存儲(chǔ)計(jì)劃在2021下半年,將存儲(chǔ)器芯片的月產(chǎn)量倍增至10萬片硅晶圓,約占全球產(chǎn)出7%。相較之下,全球最大NAND 型快閃存儲(chǔ)器制造商三星的月產(chǎn)出為48萬片硅晶圓,美國最大存儲(chǔ)器廠商美光(Micron Technology, Inc.)則月產(chǎn)18萬片硅晶圓。bMWesmc

除了擴(kuò)產(chǎn)現(xiàn)有芯片,長江存儲(chǔ)也打算加快科技發(fā)展進(jìn)程,近期,有消息人士表示,長江存儲(chǔ)計(jì)劃最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片。此外,計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍,至10萬片晶圓。bMWesmc

當(dāng)然,消息補(bǔ)充稱,由于192層工藝的復(fù)雜性,需要時(shí)間確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量,這一計(jì)劃有可能會(huì)被推遲到今年下半年。bMWesmc

對(duì)于上述消息,1月13日長江存儲(chǔ)發(fā)出《聲明》稱“均為不實(shí)言論” 。長江存儲(chǔ)強(qiáng)調(diào),關(guān)于公司下一步建設(shè)計(jì)劃具體情況請(qǐng)以公司官方渠道為準(zhǔn)。bMWesmc

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