ISP處理器

12月3日，安謀中國(guó)發(fā)布了全新“玲瓏”多媒體產(chǎn)品線，其中首款產(chǎn)品“玲瓏”i3/i5 ISP處理器由安謀中國(guó)本土團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)，在降噪、清晰度和寬動(dòng)態(tài)等指標(biāo)上達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平，具有高畫質(zhì)、低延時(shí)、可配置能力強(qiáng)、擴(kuò)展兼容性高等特點(diǎn)。該款I(lǐng)SP處理器可廣泛適用于安防監(jiān)控、AIoT及智能汽車等領(lǐng)域的視頻、圖像處理工作，滿足不同場(chǎng)景的數(shù)據(jù)處理需求。tq3esmc

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“玲瓏”ISP處理器依照不同場(chǎng)景的數(shù)據(jù)處理需求劃分為多個(gè)系列產(chǎn)品。i3系列主要針對(duì)低功耗的輕量級(jí)應(yīng)用場(chǎng)景，支持2K視頻處理及單路視頻信號(hào)接入處理；i5系列主打中高端市場(chǎng)應(yīng)用，支持4K視頻及多路視頻信號(hào)接入處理。分別具有以下技術(shù)亮點(diǎn)：tq3esmc

硬件架構(gòu)靈活可配置，客戶可自行選配可選模塊進(jìn)行集成；多元的工作模式，可兼容線性、原始/壓縮的HDR數(shù)據(jù)，單路及多路攝像頭輸入，支持超高分辨率分屏處理；DMA接口數(shù)據(jù)輸入輸出模式可配，可在ISP多個(gè)節(jié)點(diǎn)輸出不同格式的數(shù)據(jù)；軟件API接口豐富，圖像效果調(diào)試流程簡(jiǎn)易、清晰；提供豐富的軟硬件參考設(shè)計(jì)，如標(biāo)定工具、調(diào)優(yōu)工具和MIPI轉(zhuǎn)DVP數(shù)字電路等。tq3esmc

目前，“玲瓏”i3/i5 ISP處理器均已可向客戶交付。tq3esmc

隔離器芯片

川土微電子發(fā)售全系列集成隔離電源的隔離器芯片，這是國(guó)內(nèi)首款集成隔離電源的隔離器芯片系列，能夠在一顆芯片里同時(shí)完成信號(hào)隔離+電源隔離+RS-485/CAN信號(hào)收發(fā)；具備SOP16-W, POD=10.3mm x 7.5mm x 2.5mm的小尺寸封裝，完全突破行業(yè)現(xiàn)有局限；全集成微型片上變壓器、高達(dá)53%的轉(zhuǎn)換效率、高隔離耐壓5kV_RMS 。tq3esmc

據(jù)悉，該系列新品涵蓋了CA-IS36XX高性能數(shù)字隔離器（集成隔離電源）、CA-IS309X集成隔離電源的隔離式RS-485收發(fā)器、CA-IS306X集成隔離電源的隔離式CAN收發(fā)器。tq3esmc

CA-IS36XX是一系列集成高效電源轉(zhuǎn)換器的高性能多通道數(shù)字隔離器，提供最高500mW的隔離式電源輸出功率，節(jié)省空間，可滿足各種輸入和輸出電壓配置。該隔離芯片采用電容式耐壓隔離，具有更好的隔離電壓（VISO），更高的傳輸速率（DC-150Mbps）和更強(qiáng)抗干擾能力（CMTI）。tq3esmc

CA-IS309X是一系列集成高效電源轉(zhuǎn)換器的高可靠性隔離式RS-485收發(fā)器，符合TIA/EIA-485標(biāo)準(zhǔn)。此器件采用片上二氧化硅（SiO₂）電容作為隔離層，在RS-485協(xié)議控制器和物理層總線之間創(chuàng)建一個(gè)完全隔離的接口，與隔離電源集成在單個(gè)SOIC封裝內(nèi)，可有效防止數(shù)據(jù)總線或其他電路上的噪聲和浪涌進(jìn)入本地接地端。tq3esmc

CA-IS306X是一系列具有集成式高效電源轉(zhuǎn)換器的隔離式控制區(qū)域網(wǎng)絡(luò)（CAN）物理層收發(fā)器，符合ISO11898-2標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)規(guī)范。此器件采用片上SiO₂電容作為隔離層，在CAN協(xié)議控制器和物理層總線之間創(chuàng)建一個(gè)完全隔離的接口，與隔離電源集成在單個(gè)SOIC封裝內(nèi)，可隔絕噪聲和干擾并防止損壞敏感電路。tq3esmc

柵極驅(qū)動(dòng)器IC

12月18日，英飛凌科技推出了EiceDRIVER™ X3 Enhanced系列analog（1ED34xx）和digital（1ED38xx）柵極驅(qū)動(dòng)器IC。這些器件具備3A、6A和9A的典型輸出電流，以及精確的短路檢測(cè)、米勒鉗位和軟關(guān)斷功能。此外，1ED34xx可通過(guò)外部電阻提供可調(diào)節(jié)退飽、濾波時(shí)間和軟關(guān)斷電流。由于減少了外部組件的數(shù)量，這些功能結(jié)合起來(lái)可縮短設(shè)計(jì)周期。1ED38xx通過(guò)I2C可配置多個(gè)參數(shù)，這增加了設(shè)計(jì)的靈活性，降低了硬件復(fù)雜性，縮短了評(píng)估時(shí)間。這些柵極驅(qū)動(dòng)器適用于工業(yè)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源、電動(dòng)汽車充電樁和其他工業(yè)應(yīng)用。tq3esmc

1ED34xx和1ED38xx系列適用于IGBT以及 SiC和Si MOSFET單管和模塊。輸出電流高達(dá)9A，無(wú)需外接推挽放大電路。超過(guò)200 kV/µs的CMTI魯棒性可避免誤開(kāi)關(guān)。兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器系列都具有40 V絕對(duì)最大輸出電源電壓和30 ns（最大）傳輸延遲匹配，從而縮短了死區(qū)時(shí)間。1ED38xx的I2C可配置選項(xiàng)包括短路檢測(cè)、軟關(guān)斷、欠壓鎖定（UVLO）、米勒鉗位和過(guò)溫保護(hù)。此柵極驅(qū)動(dòng)器系列還提供了通過(guò)軟件設(shè)置的兩級(jí)關(guān)斷（TLTOff）。tq3esmc

1ED34xx和1ED38xx柵極驅(qū)動(dòng)器采用小型的DSO-16細(xì)間距封裝，爬電距離為8 mm。通過(guò)UL 1577認(rèn)證的5.7 kV RMS隔離，結(jié)合精確的閾值和定時(shí)，能實(shí)現(xiàn)出色的應(yīng)用安全，專為承受惡劣的工業(yè)應(yīng)用環(huán)境而設(shè)計(jì)。tq3esmc

60V MOSFET

12月15日，Vishay推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60V MOSFET——SQJ264EP。這是采用PowerPAK^® SO-8L非對(duì)稱雙芯片封裝的業(yè)界首款此類器件。新SQJ264EP旨在滿足汽車行業(yè)節(jié)省空間以及提高DC/DC開(kāi)關(guān)模式電源效率的需求。這個(gè)新器件在一個(gè)5mm x 6mm的緊湊型封裝中集成了一個(gè)高邊和一個(gè)低邊MOSFET，低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻低至8.6 mW。tq3esmc

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與單個(gè)MOSFET解決方案相比，通過(guò)將兩個(gè)TrenchFET^® MOSFET封裝在一個(gè)非對(duì)稱封裝中，新發(fā)布的這款汽車級(jí)器件減少了元件數(shù)量和電路板空間需求，同時(shí)提高了功率密度。此外，其控制（高邊）和同步（低邊）MOSFET在裸片尺寸上的優(yōu)化組合，可在占空比低于50％的功率轉(zhuǎn)換中提供高于對(duì)稱雙器件的效率。tq3esmc

SQJ264EP的通道1 MOSFET在10V時(shí)最大導(dǎo)通電阻為20mW，典型柵極電荷為9.2nC，而通道2 MOSFET在10V時(shí)的導(dǎo)通電阻為8.6mW，典型柵極電荷為19.2nC。由于沒(méi)有內(nèi)部連接的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)，SQJ264EP為設(shè)計(jì)人員提供了將晶體管配置為不同拓?fù)涞撵`活性，包括同步降壓或同步升壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。tq3esmc

由于可在超過(guò)+175℃的高溫環(huán)境下工作，雙MOSFET能夠提供信息娛樂(lè)系統(tǒng)、顯示器、LED照明以及電動(dòng)自行車等汽車應(yīng)用所需的耐用性和可靠性。同時(shí)，SQJ264EP的樣品和批量產(chǎn)品現(xiàn)已開(kāi)始提供，大宗訂單的交貨期為12周。tq3esmc

SiC IPM

12月11日，英飛凌科技推出了采用轉(zhuǎn)模封裝的1200 V碳化硅（SiC）集成功率模塊（IPM），以及其SiC解決方案。CIPOS™ Maxi IPM IM828系列是業(yè)界在這一電壓級(jí)別上的第一款產(chǎn)品。該系列為變速驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的三相交流電動(dòng)機(jī)和永磁電動(dòng)機(jī)提供了一種緊湊的變頻解決方案，具有出色的導(dǎo)熱性能和廣泛的開(kāi)關(guān)速度。具體應(yīng)用包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、泵驅(qū)動(dòng)器和用于暖通空調(diào)（HVAC）的有源濾波器。tq3esmc

CIPOS Maxi IPM集成了改進(jìn)的6通道1200 V絕緣體上硅（SOI）柵極驅(qū)動(dòng)器和六個(gè)CoolSiC™ MOSFET，以提高系統(tǒng)可靠性，優(yōu)化PCB尺寸和系統(tǒng)成本。它采用DIP 36x23D封裝，使其成為1200V IPM的最小封裝，具有同類產(chǎn)品中最高的功率密度和最佳性能。IM828系列的隔離雙列直插式封裝具有出色的熱性能和電氣隔離性，滿足高要求設(shè)計(jì)的EMI和過(guò)載保護(hù)要求。tq3esmc

該SiC IPM堅(jiān)固耐用的6通道SOI柵極驅(qū)動(dòng)器提供內(nèi)置的死區(qū)時(shí)間，以防止瞬態(tài)損壞。它還在所有通道上提供欠壓鎖定（UVLO）功能，并具備過(guò)流關(guān)斷保護(hù)功能。憑借其多功能引腳，該IPM可針對(duì)不同用途提供高度的設(shè)計(jì)靈活性。除了保護(hù)功能外，IPM還配備了獨(dú)立的UL認(rèn)證溫度熱敏電阻。可以訪問(wèn)發(fā)射極引腳以監(jiān)視相電流，從而使該器件易于控制。tq3esmc

光電二極管

12月18日，Vishay光電子產(chǎn)品部推出業(yè)界首款標(biāo)準(zhǔn)表面貼封裝、并經(jīng)過(guò)汽車應(yīng)用認(rèn)證的四象限硅PIN光電二極管——K857PE。該器件感光度高，串?dāng)_僅為0.1 %，幾乎無(wú)段間公差，適用于汽車、消費(fèi)電子和工業(yè)市場(chǎng)各種傳感控制應(yīng)用。tq3esmc

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新發(fā)布的器件經(jīng)過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，采用四支單片PIN二極管—每支感光區(qū)面積為1.6 mm²—集成在4.72mm x 4.72mm x 0.8mm單體封裝中（正貼）。K857PE封裝側(cè)面不透明，消除雜散光對(duì)光電二極管的輻照影響，具有優(yōu)異信噪比。器件光響應(yīng)線性度適于車用雨量/日光傳感器、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)、激光準(zhǔn)直和虛擬現(xiàn)實(shí)等各種應(yīng)用的小信號(hào)探測(cè)。tq3esmc

光電二極管基于外延技術(shù)，感光范圍690nm至1050nm，Ee=1mW/cm²，波長(zhǎng)850nm條件下，區(qū)段反向光電流為8.5µA。器件配有日光濾光片，半感光度角為±60°，可在-40℃至+110 ℃溫度范圍內(nèi)工作。K857PE符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素，可在車間存放168小時(shí)，潮濕敏感度等級(jí)達(dá)到J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)。目前該器件已于2020年第4季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為10周。tq3esmc

責(zé)任編輯：Momotq3esmc