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11月新品推薦:傳感器、DC-DC、無線模塊、NNA、MOSFET

本月海內外原廠推出的電子新品集中在消費電子、汽車級、物聯網等領域。

傳感器

3D圖像傳感器cRqesmc

據觀察,游戲、虛擬電子商務、3D線上教育等應用,采用3D深度傳感器打造沉浸式增強現實(AR)體驗,連接現實與數字世界,且市場需求強勁。預計至2024年,后置攝像頭搭載3D傳感器的智能手機出貨量將達到每年5億部以上。cRqesmc

11月2日,英飛凌與pmdtechnologies攜手開發(fā)采用飛行時間(ToF)技術的3D深度傳感器,其目標是打造最具沉浸式且智能的AR體驗,以及在低光源條件下通過加快自動對焦速度,或運用圖像分割技術(picture segmentation),拍出更漂亮的夜間人像照,以提升拍照效果。此新款芯片的開發(fā),實現了以低功耗達到10米測量距離,為圖像傳感器、驅動器和處理能力的帶來新一代應用。cRqesmc

據悉,新款芯片能整合到微型化相機模組中,為AR精準測量短距和遠距的深度,同時滿足低功耗要求,為圖像傳感器節(jié)省下超過40%的電量。該芯片將于2021年第二季度開始量產。cRqesmc

接近傳感器cRqesmc

11月16日,Vishay推出兩款分辨率高達20µm、適用于各種壓力感測應用的新型全集成汽車級接近傳感器——VCNL3030X01和VCNL3036X01。這兩款傳感器將光電二極管、放大器和ADC電路集成在4mm * 2.36mm,厚度僅為0.75mm的表面貼封裝中。該芯片采用板載紅外發(fā)射器(IRED),VCNL3036X01最多可配置三個外置IRED,采用含有內部邏輯電路的板載驅動器。cRqesmc

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據悉,該芯片經過AEC-Q101認證,適用于汽車、消費電子、智能家居、工業(yè)、辦公和玩具產品,與前代傳感器相比,提高了分辨率并降低成本。用于車輛轉向控制、筆記本智能電源按鈕和多點觸控板,以及物聯網(IoT)設備和廚用電器觸摸板等壓力感測應用時,該芯片可防止誤觸發(fā),甚至允許用戶戴手套。cRqesmc

新型接近傳感器現可提供樣品并已實現量產,大宗訂貨供貨周期為6至12周。cRqesmc

神經網絡加速器

11月12日,Imagination推出面向先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和自動駕駛應用的新一代神經網絡加速器(NNA)產品——IMG Series4。它擁有全新的多核架構,可提供600TOPS(每秒萬億次操作)甚至更高的超高性能,并且可為大型神經網絡工作負載提供低帶寬和極低的延遲。cRqesmc

功耗方面,Imagination的NNA架構旨在執(zhí)行完整的網絡推理,同時滿足功能安全要求。它可以一次執(zhí)行多個操作,從而最大化每瓦性能并提供行業(yè)領先的能效。cRqesmc

該芯片主要應用于洗車領域,服務對象包括汽車行業(yè)顛覆者、一級供應商、整車廠(OEM)和汽車系統(tǒng)級芯片(SoC)廠商。目前Series4已經開始提供授權,并將于12月在市場上全面供應。cRqesmc

無線模塊

11月2日,Silicon(芯科科技)宣布擴充其預認證的無線模塊產品系列,專門用于滿足現代物聯網應用開發(fā)需求。該產品系列包括xGM210PB、BGM220、MGM220和BGX220 Xpress,是業(yè)內獨特的全棧多協(xié)議解決方案模塊,滿足商業(yè)和消費物聯網應用,并具有靈活的封裝選項和高度集成的設備安全性。cRqesmc

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據悉,Silicon高集成度的模塊具有多種封裝選項,包括系統(tǒng)級封裝(SiP)和傳統(tǒng)印制電路板(PCB)封裝。SiP模塊包含微型組件,空間受限的物聯網設計通過基于模塊的解決方案,從而消除了對復雜射頻設計和認證的需求。PCB模塊可實現靈活的引腳訪問以及可擴展射頻性能的其他選擇。cRqesmc

其中,xGM210PB具有Secure Vault、ARM PSA2級認證的物聯網設備安全性以及對藍牙、Zigbee和OpenThread動態(tài)多協(xié)議的穩(wěn)定支持,且支持Wi-Fi共存。xGM210PB模塊針對物聯網應用進行了優(yōu)化,包括可連接照明、網關、語音助手和智能電表家用顯示器,提供最大+20dBm的輸出功率且優(yōu)于-104dBm的靈敏度。cRqesmc

以上四款芯片現已量產,可提供樣品和開發(fā)工具套件。cRqesmc

DC-DC轉換器

11月18日,Silanna推出針對USB-PD應用的最新系列寬電壓、高頻負載點轉換器。兩個DC-DC轉換器(降壓穩(wěn)壓器)的SZPL3102A/3103A系列最高工作頻率為2MHz,可實現領先的寬輸入和寬輸出范圍轉換器,并以小巧的3mm * 3mm QFN封裝支持高達24VDC輸入。cRqesmc

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據官方介紹,更高的開關頻率意味著可使用更小體積和更低成本的輸出濾波器,已經試用過樣片的客戶都感到非常滿意, SZPL3102/3103能夠以最小尺寸和重量實現突破性效率。其支持工具能夠給客戶提供更高的靈活性和信心,幫助快速提高性能和效率,最終提高設計的功率密度,而體積只有低頻競爭解決方案的12%。SZPL3102/3103大大降低了BOM成本,并縮短了設計周期和上市時間。cRqesmc

SZPL3102A和SZPL3103A具有獨特的功能,可優(yōu)化其在USB端口電源應用中的性能。非常低的運行功耗可實現極低的空載功率,這是監(jiān)管認證的一個重要指標。此外,SZPL3102A包含一個瞬時內部反饋路徑,可允許進行干凈且受控的啟動操作,直到外部USB-PD控制器可以為自身設置偏壓,并接管輸出電壓的控制為止。cRqesmc

Silanna結合了內部和外部電阻分壓器的靈活性,以方便為客戶提供定制設計支持?,F正在向主要客戶提供樣片,并將于2020年下半年全面供貨。cRqesmc

MOSFET

繼2月份推出25V裝置后,11月3日,英飛凌又推出了OptiMOS™ 40V低電壓功率MOSFET,采用源極底置(SD, Source-Down)PQFN 封裝,尺寸為 3.3mm * 3.3mm。這款40V SD MOSFET 適用于服務器的SMPS、電信和OR-ing,還適用于電池保護、電動工具和充電器等應用。cRqesmc

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SD封裝的內部采用上下倒置的芯片,可以讓源極電位(而非汲極電位)能通過導熱片連接至PCB。與現有技術相比,此版本最終可使RDS(on)大大降低25%。相較于傳統(tǒng)的PQFN封裝,接面與外殼間的熱阻(RthJC)亦獲得大幅改善。SD OptiMOS可承受高達194A的高連續(xù)電流。此外,經過優(yōu)化的配置可能性和更有效的PCB利用,可實現更高的設計靈活性和出色的性能。cRqesmc

目前,低電壓功率MOSFET提供兩種版本:標準版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯作業(yè)進行了優(yōu)化。兩個版本皆采用PQFN 3.3mm * 3.3mm封裝,已開始接受訂購。cRqesmc

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