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『全球CEO峰會』重磅演講者:EPC CEO Alex Lidow之“用GaN IC重新定義電源轉(zhuǎn)換”

ASPENCORE第三屆“全球CEO峰會”即將于2020年11月5日在深圳召開。本屆大會將邀請到EPC公司首席執(zhí)行官Alex Lidow,為我們帶來“用GaN IC重新定義電源轉(zhuǎn)換”的主題演講,從四個方面全面講解GaN技術(shù)的來龍去脈。

分立式氮化鎵(GaN)晶體管已投入生產(chǎn)十多年了,目前這項技術(shù)已成熟了很多。事實證明,GaN器件比硅功率MOSFET器件具有更高的性能和更低的成本。但是,GaN晶體管現(xiàn)在的優(yōu)勢還僅在于器件本身;未來則可以通過將多個GaN器件集成到單個芯片上,構(gòu)建完整的電源系統(tǒng),而發(fā)揮更大的優(yōu)勢。meTesmc

ASPENCORE第三屆“全球CEO峰會”即將于2020年11月5日在深圳召開,大會的主題是“重思、重構(gòu)、重升”( 點擊查看大會介紹,報名參加)。本屆大會將邀請到EPC公司首席執(zhí)行官Alex Lidow這位重要演講嘉賓,為我們帶來“Redefining Power Conversion with Gallium Nitride Integrated Circuits”(用GaN IC重新定義電源轉(zhuǎn)換)的主題演講。meTesmc

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宜普公司(EPC)聯(lián)合創(chuàng)始人兼CEO Alex LidowmeTesmc

Alex Lidow是宜普公司(EPC)聯(lián)合創(chuàng)始人兼CEO,曾任國際整流器(IR)公司CEO。他是HEXFET功率MOSFET的共同發(fā)明者,擁有21項功率半導(dǎo)體技術(shù)專利。Lidow曾獲得2015年北美SEMI獎,以表彰他在新材料功率器件商業(yè)化方面做出的貢獻。他獲得了加州理工的應(yīng)用物理學(xué)士,以及斯坦福大學(xué)應(yīng)用物理博士學(xué)位。meTesmc

據(jù)了解,今年初,宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出了首個全新的IC系列產(chǎn)品,為DC/DC轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及D類放大器等高功率密度應(yīng)用提供了更高性能及更小型化的解決方案。meTesmc

EPC推出的這款80V、12.5A功率級IC EPC2152,專為48V DC/DC轉(zhuǎn)換而設(shè)計,用于具有高功率密度的計算應(yīng)用以及針對電動汽車的電機驅(qū)動器。這款GaN IC器件內(nèi)部集成了一個單芯片驅(qū)動器,以及一個基于eGaN FET、采用EPC專有GaN IC技術(shù)的半橋功率級。在單芯片上集成了輸入邏輯接口、電平轉(zhuǎn)換電路、自舉充電電路、柵極驅(qū)動器的緩沖電路以及配置為半橋器件的輸出eGaN FET,從而實現(xiàn)芯片級LGA封裝、細(xì)小的外形尺寸(3.9mm×2.6mm×0.63mm)。meTesmc

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當(dāng)48V轉(zhuǎn)12V降壓轉(zhuǎn)換器在1MHz的開關(guān)頻率下工作時,EPC2152 ePower功率級IC可實現(xiàn)高于96%的峰值效率,相比采用多個分立器件的解決方案,這個IC在PCB的占板面積少33%。meTesmc

EPC2152是該系列的首個產(chǎn)品。該系列在未來會進一步推出采用芯片級封裝(CSP)及多芯片四方扁平模塊(QFM)的功率級IC。EPC還將在未來一年內(nèi)將推出可在高達3至5MHz頻率范圍工作、每級功率級的電流可高達15A至30A的產(chǎn)品。meTesmc

借助這一產(chǎn)品系列,設(shè)計人員就可以更容易地發(fā)揮GaN技術(shù)的性能優(yōu)勢。集成多個器件在單芯片上,設(shè)計師可以更容易設(shè)計、布局、組裝、節(jié)省占板面積及提高效率。meTesmc

Alex Lidow表示,分立式功率晶體管正在進入它的最后發(fā)展階段。硅基氮化鎵IC可以實現(xiàn)更高的性能、占板面積更小,并可省去很多的所需工程。“這個全新的功率級IC系列是氮化鎵功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的最新發(fā)展里程,從集成多個分立式器件,以至集成更復(fù)雜的解決方案都可以,從而實現(xiàn)硅基解決方案所不能實現(xiàn)的電路性能,使得功率系統(tǒng)工程師可以更容易設(shè)計出高效的功率系統(tǒng)。”他補充說。meTesmc

本次全球CEO峰會上,Alex Lidow將從以下四個部分系統(tǒng)性地講解GaN技術(shù)的來龍去脈:meTesmc

1. GaN發(fā)展的歷史背景及其背后的推動力;meTesmc

2. 目前最先進的技術(shù);meTesmc

3. 制造IC的實際方法及其最先進的技術(shù)和優(yōu)勢;meTesmc

4. 展望未來數(shù)年內(nèi)GaN技術(shù)帶來的變化。meTesmc

綜上所述,GaN技術(shù)的崛起,以及全新的GaN IC,正在重新定義電源轉(zhuǎn)換,并將為業(yè)界帶來最大的性能優(yōu)勢。meTesmc

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本文為國際電子商情原創(chuàng)文章,未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載。請尊重知識產(chǎn)權(quán),違者本司保留追究責(zé)任的權(quán)利。
趙明燦
電子技術(shù)設(shè)計(EDN China)資深技術(shù)分析師。
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