圖形處理器

10月13日，Imagination推出全新的IMG B系列（IMG B-Series）圖形處理器（GPU）。vZ8esmc

據(jù)悉，IMG B系列可提供高達(dá)6 TFLOPS（每秒萬(wàn)億次浮點(diǎn)運(yùn)算）的計(jì)算能力，與前幾代產(chǎn)品相比，功耗降低了多達(dá)30％，面積縮減了25％，且填充率比競(jìng)品IP內(nèi)核高2.5倍。同時(shí)它提供了多種全新配置，可以針對(duì)給定的性能目標(biāo)實(shí)現(xiàn)更低的功耗和高達(dá)35％的帶寬降低，這使其成為頂級(jí)設(shè)計(jì)的理想解決方案。vZ8esmc

B系列提供了各種不同的配置，從而擁有更廣泛的應(yīng)用空間，包括成為移動(dòng)設(shè)備（從高端到入門級(jí)）、消費(fèi)類設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、微控制器、數(shù)字電視（DTV）和汽車等多個(gè)市場(chǎng)的終極解決方案。vZ8esmc

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• IMG BXE：絢麗的高清顯示，每個(gè)時(shí)鐘周期可以處理從1個(gè)像素到高達(dá)16個(gè)像素，可支持從720p到8K的分辨率；
• IMG BXM：圖形處理性能高，為中檔移動(dòng)端游戲以及用于數(shù)字電視和其他市場(chǎng)的復(fù)雜UI解決方案提供支持；
• IMG BXT：是一個(gè)四核部件，可以提供6 TFLOPS的性能，每秒可處理192 Gigapixel（十億像素），擁有24 TOPS（每秒萬(wàn)億次計(jì)算）的AI算力；
• IMG BXS：符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)，面向未來(lái)的汽車GPU，可為下一代人機(jī)界面（HMI）、UI顯示、信息娛樂(lè)系統(tǒng)、數(shù)字駕艙、環(huán)繞視圖提供解決方案，未來(lái)還可支持自動(dòng)駕駛和ADAS。

隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

10月27日，Silicon（芯科科技）推出新型Si823Hx/825xx隔離柵極驅(qū)動(dòng)器。新產(chǎn)品結(jié)合了更快更安全的開關(guān)、低延遲和高噪聲抑制等能力，可更靠近功率晶體管放置，以實(shí)現(xiàn)緊湊的PCB設(shè)計(jì)。它可以滿足甚至超越日益提高的能效標(biāo)準(zhǔn)及尺寸限制，同時(shí)支持使用碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）和快速Si FET等新興技術(shù)。vZ8esmc
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由于空間限制至關(guān)重要，Si823Hx/Si825xx具有多種封裝選項(xiàng)。一款緊湊型驅(qū)動(dòng)器現(xiàn)在采用了8引腳封裝，而不是類似的16引腳封裝，從而減小了系統(tǒng)尺寸并降低了成本。其他新升級(jí)的功能包括過(guò)熱保護(hù)，當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)，會(huì)觸發(fā)驅(qū)動(dòng)器自動(dòng)關(guān)閉。附加的安全功能包括停滯時(shí)間、重疊保護(hù)和輸入噪聲毛刺消除，從而最大程度提高安全性。vZ8esmc

該器件可用于多種電源應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)中心電源、太陽(yáng)能微型逆變器、汽車市場(chǎng)的牽引式逆變器和工業(yè)電源，并計(jì)劃于2020年第四季度以汽車級(jí)產(chǎn)品供貨。vZ8esmc

全硅可編程振蕩器

10月19日，益昂半導(dǎo)體（Aeonsemi）推出其Arcadium™系列高性能全硅可編程振蕩器。該產(chǎn)品系列實(shí)現(xiàn)了在超寬工業(yè)溫度范圍內(nèi)頻率穩(wěn)定度優(yōu)于±50ppm，能產(chǎn)生10kHz至350MHz之間任意頻率，且相位抖動(dòng)性能達(dá)到350fs rms的時(shí)鐘信號(hào)。它可適用于服務(wù)器、AI處理器、網(wǎng)絡(luò)接口、邊緣計(jì)算、汽車電子以及廣泛工業(yè)應(yīng)用的理想時(shí)鐘源。vZ8esmc

據(jù)市場(chǎng)咨詢機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，全球振蕩器市場(chǎng)規(guī)模在2022年將達(dá)到32億美元。邊緣計(jì)算及汽車電子應(yīng)用的趨勢(shì)表明，高可靠性和低成本振蕩器的需求正在不斷增長(zhǎng)。當(dāng)前的振蕩器市場(chǎng)主要是由具有百年歷史但有多方面技術(shù)局限的石英振蕩器所壟斷。Arcadium™振蕩器是基于純CMOS工藝，利用自主創(chuàng)新的先進(jìn)電路和補(bǔ)償算法來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能的相位穩(wěn)定性和頻率穩(wěn)定性，同時(shí)相比基于石英的同類產(chǎn)品可提供更高的可靠性。石英晶振需要的真空陶瓷封裝基座一直以來(lái)被日系企業(yè)壟斷，而Arcadium™振蕩器只需要普通的塑封工藝即可，大大提高了供應(yīng)鏈的靈活性和安全性。此外，高度靈活的頻率和輸出配置可以顯著提高產(chǎn)品研發(fā)效率。vZ8esmc

為適用于各種應(yīng)用場(chǎng)景，Arcadium™系列有三種型號(hào)可供選擇：1）AS5001——單頻點(diǎn)振蕩器；2）AS5002——多頻點(diǎn)多配置振蕩器，可通過(guò)控制引腳的方式從多達(dá)九組預(yù)燒錄的配置中選擇所需的輸出頻率及格式；3）AS5003——可編程頻率振蕩器，提供I2C接口靈活配置輸出頻率及格式并支持DCO模式。Arcadium™系列振蕩器將于2020年12月開始批量發(fā)貨。vZ8esmc

MOSFET

(1)英飛凌vZ8esmc

在工業(yè)應(yīng)用 SMPS 的設(shè)計(jì)上，最新的技術(shù)趨勢(shì)會(huì)將高效率、高功率密度及總線電壓上升的需求作整體考慮，也因此觸發(fā)了對(duì) 650V擊穿電壓功率器件的需求。10月9日，英飛凌科技推出旗下650V CoolMOS™ CFD7 產(chǎn)品系列，即可滿足上述需求。此器件適用于軟切換應(yīng)用的諧振拓?fù)?，例如通信電源、服?wù)器、太陽(yáng)能和非車載的電動(dòng)車充電。vZ8esmc

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新款650V器件擴(kuò)展了聲譽(yù)卓越的CoolMOS CFD7系列的電壓范圍，且是CoolMOS CFD2的后繼產(chǎn)品。新款650V產(chǎn)品可搭配LLC和零電壓切換相移全橋拓?fù)?，較前幾代產(chǎn)品能提供多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。本產(chǎn)品系列擊穿電壓提升50V，搭配整合高速本體二極管技術(shù)及更出色的切換效能，非常適合用于當(dāng)代設(shè)計(jì)。極低的反向恢復(fù)電荷加上優(yōu)異的熱性能，也添加了更多優(yōu)勢(shì)。vZ8esmc

開關(guān)損耗與RDS(on)過(guò)熱相依性皆大幅降低，此產(chǎn)品系列具備非常優(yōu)異的硬式整流耐用度。由于閘極電荷(Qg)改善，加上快速的開關(guān)性能，650V CoolMOS CFD7系列可提高整個(gè)負(fù)載范圍的效率。在主要的SMPS應(yīng)用中，相較于競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品，這些MOSFET提供絕佳的輕載效率，滿載效率也有所提升。此外，同級(jí)最低RDS(on)也能讓客戶能以極具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格，提升SMPS 的功率密度。vZ8esmc

（2）VishayvZ8esmc

10月27日，Vishay推出新型40Vn溝道MOSFET半橋功率級(jí)——SiZ240DT，可用來(lái)提高白色家電以及工業(yè)、醫(yī)療和通信應(yīng)用的功率密度和效率。該器件在小型PowerPAIR® 3.3mmx 3.3mm單體封裝中集成高邊和低邊MOSFET，導(dǎo)通電阻和導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）達(dá)到業(yè)界出色水平。vZ8esmc

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SiZ240DT中的兩個(gè)TrenchFET® MOSFET內(nèi)部采用半橋配置連接。SiZ240DT的通道1MOSFET，通常用作同步降壓轉(zhuǎn)換器的控制開關(guān)，10V時(shí)最大導(dǎo)通電阻為8.05mΩ，4.5V時(shí)為12.25mΩ。通道2MOSFET，通常用作同步開關(guān)，10V時(shí)導(dǎo)通電阻為8.41mΩ，4.5V時(shí)為13.30mΩ。這些值比其它競(jìng)品低16%。結(jié)合6.9nC（通道1）和6.5nC（通道2）低柵極電荷，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積FOM比位居第二的器件低14%，有助于提高快速開關(guān)應(yīng)用的效率。vZ8esmc

日前發(fā)布的雙MOSFET比采用6mm x 5mm封裝的雙器件小65%，是目前市場(chǎng)上體積最小的集成產(chǎn)品之一。此外，新型器件還為設(shè)計(jì)師提供節(jié)省空間的解決方案，適用于真空吸塵器、無(wú)人機(jī)、電動(dòng)工具、家庭/辦公自動(dòng)化和非植入式醫(yī)療設(shè)備的電機(jī)控制，以及電信設(shè)備和服務(wù)器的無(wú)線充電器和開關(guān)電源。據(jù)悉，新型雙MOSFET現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨供貨周期為12周。vZ8esmc

SiC二極管

10月26日，UnitedSiC推出四種新型結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管——UJ3D 1200V和1700V，以補(bǔ)充FET和JFET晶體管產(chǎn)品。新款器件具有業(yè)界更佳的浪涌電流性能，是UnitedSiC第三代SiC混合式PiN肖特基（MPS）二極管的一部分。vZ8esmc

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UnitedSiC的SiC SB二極管針對(duì)需要更高效率水平和超快開關(guān)速度的功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)而進(jìn)行全面優(yōu)化，其VF x Qc品質(zhì)因數(shù)（FoM）至少比其他制造商二極管好12～15％。陽(yáng)極和陰極之間的間隙大于8.8mm，這意味著更適合應(yīng)對(duì)可能出現(xiàn)的電壓瞬變引起的高噪聲環(huán)境。在大電流情況下，新穎的PN結(jié)架構(gòu)使注入額外的載流子成為可能。因此，UnitedSiC二極管能夠比競(jìng)爭(zhēng)器件耐受更高的浪涌電流（高達(dá)額定電流的12倍）。vZ8esmc

新產(chǎn)品包括一款1700V 25A額定值產(chǎn)品，以及三款1200V ，電流額定值分別為10A、20A和50A的器件。所有SiC二極管完全符合AEC-Q101汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，采用緊湊型TO247-2L封裝和裸片格式。這些二極管最適合的應(yīng)用包括電動(dòng)汽車（EV）快速充電接入點(diǎn)、工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器和太陽(yáng)能逆變器等。vZ8esmc

熱敏電阻

10月9日，Vishay推出新款環(huán)氧樹脂封裝NTC熱敏電阻——NTCLE317E4103SBA，采用加長(zhǎng)PEEK絕緣鎳鐵合金引線，熱梯度超低，適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用高精度溫度測(cè)量、感測(cè)和控制，例如鍋爐、煙/火探測(cè)器、電池組電池管理系統(tǒng)（BMS）、充電電路、直流風(fēng)扇電機(jī)、汽車座椅加熱和HVAC傳感器以及打印頭等。vZ8esmc

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據(jù)悉，該器件的傳感器導(dǎo)線導(dǎo)熱性達(dá)到市場(chǎng)最低水平，并且具有出色的熱解耦性，溫度測(cè)量精度達(dá)±0.5℃，優(yōu)于其他導(dǎo)線材料（如銅）幾個(gè)度量級(jí)。vZ8esmc

為加強(qiáng)高濕度條件下的可靠性，該器件PEEK絕緣引線與封裝環(huán)氧樹脂之間具有極高的粘合強(qiáng)度。其小磁珠最大直徑為1.6mm，在空氣中的響應(yīng)時(shí)間不到3秒。75mm靈活的徑向長(zhǎng)引線滿足特殊安裝或組裝要求。目前已經(jīng)提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為6周。vZ8esmc

責(zé)任編輯：MomovZ8esmc