汽車級圖形處理器

7月8日，Imagination推出面向汽車領(lǐng)域的XS圖形處理器（GPU）產(chǎn)品系列，可實現(xiàn)先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）加速和安全關(guān)鍵圖形處理功能。據(jù)介紹，XS是迄今為止所開發(fā)的最先進(jìn)的汽車GPU知識產(chǎn)權(quán)（IP），并且是業(yè)界首款符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)的可授權(quán)IP，該標(biāo)準(zhǔn)旨在解決汽車行業(yè)中存在的功能安全風(fēng)險。8i9esmc

由于全景環(huán)視、數(shù)字儀表盤和ADAS等下一代車載系統(tǒng)都需要安全關(guān)鍵圖形處理和計算功能，XS的設(shè)計采用了一種新型安全架構(gòu)，該架構(gòu)具有獨特的計算和圖形處理機(jī)制，對關(guān)鍵工作負(fù)載性能的提升可高達(dá)2倍，從而實現(xiàn)豐富、高性能且具備功能安全性的圖形處理能力。8i9esmc

XS GPU的主要特性包括：8i9esmc

• ADAS計算加速：XS產(chǎn)品系列專門針對ADAS加速進(jìn)行了優(yōu)化，可提供高性能且具備功能安全性的計算能力。
• 安全關(guān)鍵圖形處理：XS是業(yè)界首個專為安全關(guān)鍵圖形處理應(yīng)用而設(shè)計的GPU產(chǎn)品系列，在這些應(yīng)用中GPU負(fù)責(zé)數(shù)字儀表盤、全景環(huán)繞和攝像系統(tǒng)等關(guān)鍵任務(wù)。
• ISO 26262流程一致性：XS是汽車行業(yè)首款符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)的GPU IP。整車廠（OEM）、一級供應(yīng)商（Tier1）和半導(dǎo)體供應(yīng)商現(xiàn)在可以深具信心地將符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)的IP集成至其產(chǎn)品中。

據(jù)了解，Imagination的XS GPU產(chǎn)品系列現(xiàn)已可提供授權(quán)。8i9esmc

汽車級開關(guān)IC

近期，Power Integrations發(fā)布已通過AEC-Q100認(rèn)證的新款LinkSwitch™-TN2開關(guān)IC，新器件適合降壓或非隔離反激式應(yīng)用。新款汽車級LinkSwitch-TN2 IC采用750V集成MOSFET，可為連接到高壓母線的電動汽車子系統(tǒng)提供簡單可靠的電源，這些子系統(tǒng)包括HVAC、恒溫控制、電池管理、電池加熱器、DC-DC變換器和車載充電機(jī)系統(tǒng)。這種表面貼裝器件不需要散熱片，只需要很少的外圍元件，而且占用的PCB面積非常小。8i9esmc

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PI產(chǎn)品營銷經(jīng)理Edward Ong表示：“我們的汽車開關(guān)IC在減小尺寸的同時，還提高了汽車子系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。通過使用LinkSwitch-TN2電源直接從高壓母線為輔助系統(tǒng)供電，汽車工程師可以降低對傳統(tǒng)12V分布式電源軌的要求，節(jié)省裝配和物料成本。”8i9esmc

資料顯示，7W（反激式）/360mA（降壓式）LinkSwitch-TN2具有60 VDC至550 VDC的寬輸入電壓范圍，可有效支持電動汽車應(yīng)用中常見的400 VDC母線。新的電源IC可在各種輸入電壓、負(fù)載、溫度和元件公差下提供優(yōu)于+/-5%的精確調(diào)整。目前該樣品已供貨。8i9esmc

SiC MOSFET

7月14日，英飛凌為其1200V CoolSiC™ MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計，以及溝槽柵芯片技術(shù)，為碳化硅打開了250kW以上（硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限）中等功率應(yīng)用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎(chǔ)上，將碳化硅的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到了太陽能、服務(wù)器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。8i9esmc

該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片，可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。在高開關(guān)頻率下運行時，可使用更小的磁性元件。借助英飛凌CoolSiC芯片技術(shù)，客戶可以設(shè)計尺寸更小的逆變器，從而降低整體系統(tǒng)成本。8i9esmc

它采用62mm標(biāo)準(zhǔn)基板和螺紋接口，具有高魯棒性的結(jié)構(gòu)設(shè)計，從而最大限度地優(yōu)化并提高系統(tǒng)可用性，同時降低維修成本并減少停機(jī)損失。出色的溫度循環(huán)能力和150℃的連續(xù)工作溫度（Tvjop），帶來出色的系統(tǒng)可靠性。其對稱的內(nèi)部設(shè)計，使得上下開關(guān)有了相同的開關(guān)條件?？梢赃x裝“預(yù)處理熱界面材料”（TIM）配置，進(jìn)一步提高模塊的熱性能。8i9esmc

雙MOSFET

7月9日，Vishay推出新款30 V n溝道MOSFET半橋功率級模塊——SiZF300DT，將高邊TrenchFET®和低邊SkyFET® MOSFET與集成式肖特基二極管組合在一個小型PowerPAIR® 3.3 mm * 3.3 mm封裝中。該器件提高了功率密度和效率，同時有助于減少元器件數(shù)量、簡化設(shè)計，適用于計算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換。8i9esmc

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新發(fā)布器件中的兩個MOSFET采用半橋配置內(nèi)部連接。通道1MOSFET在10和4.5V條件下，最大導(dǎo)通電阻分別為4.5mW和7.0mW。通道2MOSFET在10V和4.5V條件下，導(dǎo)通電阻分別為1.84mW和2.57mW。兩個MOSFET典型柵極電荷分別為6.9nC和19.4nC。8i9esmc

新款雙MOSFET模塊現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨供貨周期為12周。8i9esmc

儲能電容器

7月13日，Vishay推出七款用于能量采集和備用電源應(yīng)用的小型ENYCAPÔ雙層儲能電容器，外形尺寸從10mm * 20mm到12.5mm * 40mm，容值為5F至22F。8i9esmc

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最新推出的小型ENYCAP系列電容器包括標(biāo)準(zhǔn)型220 EDLC、加固型225 EDLC-R、高壓230 EDLC-HV和加固型高壓235 EDLC-HVR，具有更高功率密度，節(jié)省各種工業(yè)、再生能源和汽車應(yīng)用空間，包括智能電表、手持電子設(shè)備、機(jī)器人、能量采集設(shè)備、電子門鎖系統(tǒng)、應(yīng)急照明等。8i9esmc

Vishay的ENYCAP電容器適用于各種標(biāo)準(zhǔn)和惡劣高濕環(huán)境，+85℃條件下使用壽命長達(dá)2,000小時，免維護(hù)，具有極高的設(shè)計靈活性。器件堅固耐用，經(jīng)過1500小時85℃/相對濕度85%帶電測試，耐潮能力達(dá)到最高等級，高壓電容器額定電壓達(dá)3.0V。器件經(jīng)過AEC-Q200認(rèn)證，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，可進(jìn)行快速充放電，提供通孔封裝版本。8i9esmc

外型尺寸更小的ENYCAP電容器現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨供貨周期為六周。8i9esmc

責(zé)任編輯：Momo8i9esmc